程未

作品数：4被引量：14H指数：2
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供职机构：厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院萨本栋微机电研究中心更多>>
发文主题：MEMS技术有限元分析微机电系统MOS版图设计更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
发文期刊：《现代电子技术》《微电子学》更多>>
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一种基于MEMS技术的微变电容被引量：2
《微电子学》2003年第5期453-455,共3页卞剑涛 程未 冯勇建 颜黄苹 
　通过对接触式电容压力传感器的改进,提出了一种基于MEMS技术的微变电容模型。为确定外加驱动电压与由此所引起的电容变化之间的非线性关系,提出了一种有效的基于有限元的方法,并设计了相应的加工工艺流程,说明了其工艺的可实现性。
关键词：MEMS 微变电容 电容压力传感器 有限元分析 工艺流程 工作原理 
基于MEMS技术的微电容式加速度传感器的设计被引量：7
《传感器技术》2003年第8期75-77,共3页程未 曾晓鹭 卞剑涛 冯勇建 
给出了一种基于MEMS技术制作的微电容式加速度传感器的结构及工艺。为了准确地把握这种微电容式加速度传感器的力学和电学特性,仔细地建立了它的力学模型。在此基础上,详细分析了它的动态特性———模态。并用有限元的方法分析和计算了...
关键词：微机电系统 有限元分析 加工工艺 MEMS技术 微电容式加速度传感器 
集成电路版图(layout)设计方法与实例被引量：5
《现代电子技术》2003年第3期75-78,共4页程未 冯勇建 杨涵 
首先在理论上介绍了集成电路版图设计方法的详细步骤以及设计规则的特点。并结合一个运算放大器的版图设计实例详细讲解了集成电路版图设计的基本步骤技巧与准则。
关键词：集成电路 版图设计 MOS 面积 设计规则 
用于MEMS器件的高性能运算放大器的IC设计与测试
《现代电子技术》2003年第4期49-52,共4页程未 冯勇建 杨涵 
根据特定电容式微传感器后续处理电路的高性能要求,设计一个运算放大器芯片。设计中采用了美国MOSIS公司提供的n阱0.35μm cmos工艺的SPICE BSIM3 mos管模型,手算估计芯片的参数,然后采用了两种能系统反映芯片特性的测量电路对设计进行...
关键词：MEMS器件 运算放大器 测试电路 微机电系统 
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