何文海

作品数：9被引量：4H指数：1
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IC+MOS组合电路封装漏电机理探讨
《电子工业专用设备》2016年第6期16-19,63,共5页牛社强 胡燕燕 何文海 
通过对IC+MOS电路组合特点的讨论,重点对MOSFET晶圆前制程中的缺陷、封装过程的外力损伤缺陷等对封装后产品漏电现象的影响进行了探讨,以期通过制程控制和过程缺陷分析,为MOSFET封装在品质保证上提供保证。
关键词：IC+MOSFET组合封装 漏电 芯片缺陷 封装过程 外力损伤 
基于SSIP4L封装的磁传感器工艺研究
《电子与封装》2016年第2期14-18,共5页陈国岚 牛社强 何文海 
介绍了集成电路SSIP4L产品(磁传感器芯片封装)实现过程中的技术难点,并一一寻求解决方案,使其能够顺利批量进行生产,产品质量稳定性得到保证,顺应了市场的需求。技术难点包括引线框架材料选择、上芯粘片胶工艺控制、压焊工艺、塑封体根...
关键词：封装工艺 技术解决方案 
载荷对SiC晶片抛光质量的影响
《中国集成电路》2015年第3期67-73,共7页汶超 李科 何文海 慕蔚 
首先利用不同粒度的碳化硼研磨液对Si C晶片分别进行粗磨和细磨,然后利用金刚石微粉悬浮抛光液对晶片进行机械抛光,在此基础上进行最终的化学机械抛光。本文重点研究了化学机械抛光时,不同载荷对晶片质量的影响,并利用Taylor Surf CCI2...
关键词：SIC 研磨 抛光 化学机械抛光 载荷 
引线框架结构设计探讨被引量：1
《电子工业专用设备》2014年第11期16-19,40,共5页陈国岚 陈志祥 何文海 高睿 
在集成电路封装过程中,引线框架作为主要的原材料,直接影响到IC产品封装的效率及可靠性,而引线框架的结构是影响效率及可靠性的关键。结合实际着重对引线框架机械结构:矩阵式IDF结构设计,外引线脚、基岛的锁定和潮气隔离结构,引线框架...
关键词：引线框架 结构设计 效率 可靠性 
铜框架表面氧化过程及氧化膜厚度测量被引量：1
《中国集成电路》2014年第4期55-58,76,共5页张运娟 张胡军 何文海 高睿 
在集成电路封装过程中,表面氧化是制约铜框架大批量应用于生产的主要原因,而框架表面氧化程度的测量和管控是铜框架应用于封装的关键点。本文运用金属氧化理论阐述了铜框架表面氧化过程及机理;进行铜框架烘烤氧化实验后测量框架表面的...
关键词：铜框架 表面氧化 氧化膜厚度 
键合功率对铜线键合质量的影响被引量：1
《中国集成电路》2013年第12期60-63,共4页李科 刘旭东 杨杰 蔺兴江 何文海 
铜线键合技术是半导体封装的关键技术之一,影响键合质量的因素有很多。本文基于热压超声键合的方法,对影响铜线键合质量的主要工艺参数——键合功率,进行DOE研究分析。通过对键合后的产品进行焊点剪切失效模式、拉伸失效模式以及弹坑实...
关键词：键合功率 剪切推力 焊线拉力 弹坑 
从IC封装产品可靠性谈封装冲切模具优化设计
《电子工业专用设备》2012年第7期22-25,53,共5页蔺兴江 代赋 何文海 
随着电子产品市场日益升温,电子产品朝超薄、超小等方向发展,产品量的需求越来越大,产品可靠性越来越高,塑料封装模具的冲切工艺产生的分层现象是影响产品可靠性的主要原因之一。文章首先叙述了冲切过程产生的分层情况,其次从模具结构...
关键词：框架 胶体偏位 切筋凸模 切筋凹模 上压块 凹模托块 
崩角问题分析探讨
《中国集成电路》2009年第11期69-72,82,共5页苏新越 慕向辉 蔺兴江 何文海 
在集成电路封装过程中,L(T)QFP/PQFP系列产品在胶体四角进浇口、排气槽位置的崩角问题已直接影响到封装成品率和产品可靠性。本文展现了崩角的几种现象,对出现的原因进行了分析,并提出了通过改善模具的凸凹模结构、改善框架冲切方向(反...
关键词：崩角 胶体 塑封料 框架 浇口 冲浇口 塑封 
改善封装产品冲切毛刺的探讨被引量：1
《中国集成电路》2009年第8期74-78,共5页蔺兴江 赵寿庆 何文海 慕蔚 冯学贵 
切筋、成形是集成电路封装的重要工序之一。切筋、成形过程产生的毛刺,不仅影响到外观质量,而且会影响到产品的电性能、安全和可靠性。文章首先叙述了切筋、成形过程产生的几种形态的毛刺,接着从模具结构特点讲述了产生这些毛刺的原因...
关键词：封装框架 中筋连杆 毛刺 模具 偏位 卸料板 偏位 
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