修立松

作品数：8被引量：15H指数：2
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供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
发文主题：X射线衍射MOCVD铁电薄膜X射线北京同步辐射装置更多>>
发文领域：理学一般工业技术机械工程电气工程更多>>
发文期刊：《科学通报》《高压物理学报》《电子显微学报》《光学精密工程》更多>>
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高压下LiB_3O_5晶体-非晶体相变的研究被引量：1
《高压物理学报》1998年第4期250-253,共4页陈良辰 王莉君 顾惠成 李凤英 周镭 车荣钲 修立松 
采用Ｘ射线粉末衍射和同步辐射能散Ｘ射线衍射技术，对ＬｉＢ３Ｏ５（ＬＢＯ）晶体进行了压致非晶化相变的研究，压力达４５．１ＧＰａ。实验结果表明，ＬＢＯ存在两个中间相变，压力分别为５ＧＰａ和１５．８ＧＰａ。而当压力增加到２...
关键词：压致非晶化相变 高压 X射线衍射 LiB3O5 
MOCVD制备PbTiO_3铁电薄膜的研究被引量：3
《电子显微学报》1997年第4期433-436,共4页陈延峰 孙力 于涛 闵乃本 姜晓明 修立松 
由于在动态随机存储器、传感器和探测器等器件中的应用，使铁电薄膜的制备成为研究热点。本文报道了利用低压ＭＯＣＶＤ工艺分别在（００１）取向ＳｒＴｉＯ３和重掺杂硅单晶衬底上制备ＰｂＴｉＯ３铁电薄膜的工作。通过Ｘ射线衍射、Ａ...
关键词：铁电薄膜 铁电体 MOCVD 
金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜被引量：2
《物理学报》1996年第10期1729-1736,共8页孙力 陈延峰 于涛 闵乃本 姜晓明 修立松 
国家高技术研究发展计划
利用低压ＭＯＣＶＤ工艺分别在（００１）取向的ＬａＡｌＯ３，ＳｒＴｉＯ３和重掺杂硅单晶衬底上制备ＰｂＴｉＯ３铁电薄膜，并通过Ｘ射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析．Ｘ射线θ－２θ扫描显示硅衬底上得到了ＰｂＴｉＯ３多晶薄膜，...
关键词：钛酸铅 铁电薄膜 MOCVD 
北京同步辐射装置X射线漫散射实验站及准周期非晶多层膜的X射线非镜面散射研究被引量：3
《高能物理与核物理》1996年第5期460-467,共8页姜晓明 景毓辉 郑文莉 修立松 武家扬 刘功淳 
讨论了北京同步辐射装置的４Ｗ１Ｃ光束线和Ｘ射线漫散射实验站的技术特点．利用在漫散射实验站上获得的能量分辨率为４．４×１０－４、光斑大小为０．５ｍｍ（水平）×０．３ｍｍ（垂直）的聚焦单色Ｘ射线光束，研究了准周期非晶多层...
关键词：X射线 漫散射 准周期 多层膜 强度调制 
双势垒超晶格结构的同步辐射及X射线双晶衍射研究被引量：3
《物理学报》1996年第10期1709-1716,共8页王玉田 庄岩 江德生 杨小平 姜晓明 武家杨 修立松 郑文莉 
利用高精度的Ｘ射线双晶衍射和同步辐射散射对可用于半导体红外探测器的双势垒超晶格材料进行了研究，并运用Ｘ射线衍射动力学理论进行模拟计算，得到了与实验结果符合得很好的理论曲线．同时发现包络函数节点处的卫星峰对结构参数的变...
关键词：X射线衍射 双势垒 超晶格 
同步辐射X射线衍射研究Si中δ掺杂(Sb)结构被引量：2
《科学通报》1996年第4期312-314,共3页修立松 姜晓明 郑文莉 卢学坤 蒋最敏 张翔九 王迅 
中国科学院重大项目"同步辐射实验方法应用"部分资助课题
半导体中掺杂是控制半导体的光电性能的手段,杂质在半导体中的浓度和分布等结构参数与材料的物理性质直接相关。随着分子束外延等材料生长技术的发展,新型的半导体材料如超晶格已经广泛地吸引了人们的注意。δ掺杂是近年来国际上出现的...
关键词：X射线衍射 同步辐射 Δ掺杂 硅 半导体 
同步辐射在高压研究中的应用
《物理》1995年第11期679-681,共3页修立松 
简述了高压研究的科学意义和同步辐射在高压研究中的作用，介绍了国内外同步辐射在高压研究中的应用情况及研究方法。
关键词：同步辐射 高压 高压物理 
纳米厚度非透明介质薄膜的测量被引量：2
《光学精密工程》1994年第1期21-25,共5页缪建伟 崔明启 唐鄂生 修立松 
本文叙述了用椭偏仪多次入射选择最佳法测量纳米厚度非透明薄膜原理及方法，给出了由此方法测量得到的数据和用迭代法（下降法）计算得到的膜厚结果，并与台阶仪测试结果进行了比较。
关键词：椭偏仪 台阶仪 纳米厚度 介质薄膜 
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