王照奎

作品数：8被引量：23H指数：2
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供职机构：河南师范大学物理系更多>>
发文主题：多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积等离子体氧含量BIFEO更多>>
发文领域：理学电子电信核科学技术自然科学总论更多>>
发文期刊：《核聚变与等离子体物理》《功能材料》《物理学报》《汕头大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划教育部留学回国人员科研启动基金河南省教育厅自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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用SiCl4/H2沉积纳米晶硅薄膜过程中氢稀释量对SiCln(n=0～2)密度的影响
《功能材料》2008年第1期12-15,共4页娄艳辉 王照奎 林揆训 林璇英 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(G2000028208)
用质谱、朗缪尔探针诊断技术研究了氢稀释的SiCl4作为源气体,用等离子体增强化学气相方法进行纳米晶硅薄膜的生长。进一步研究了氢稀释比率对SiCl4等离子体中SiCln（n=0-2）基团浓度的影响。等离子体中,平均电子能量和电子密度分别随着...
关键词：氢稀释 纳米硅薄膜 SiCln(n=0~2)基团 
氧含量对BiFeO_δ多晶陶瓷介电特性的影响被引量：10
《物理学报》2007年第10期6068-6074,共7页常方高 宋桂林 房坤 王照奎 
国家自然科学基金(批准号:60571063);教育部留学回国人员科研启动基金(批准号:[2005]55);河南省教育厅自然科学研究计划(批准号:2006700014)资助的课题~~
采用固相反应法制备了不同含氧量的BiFeOδ多晶陶瓷样品,利用HP4294A阻抗分析仪测量了样品的介电特性随频率和氧含量的变化,用正电子湮没寿命谱学的方法研究了样品中因氧含量的变化所引起的结构缺陷.实验结果表明:引入氧空位和氧填隙离...
关键词：氧含量 正电子寿命 介电常数 介电损耗 
SiCl_4等离子体中的中性基团质谱测量被引量：2
《核聚变与等离子体物理》2006年第3期252-256,共5页王照奎 林揆训 娄艳辉 林璇英 祝祖送 
国家重点基础研究发展规划项目(G2000028208)
设计了一个取样位置能在射频辉光放电等离子体电极间自由移动的取样装置，用质谱计测量了SiCl4等离子体的离子信号.提出了一种线性拟合的方法用于计算SiCl4等离子体的消耗率,利用测量的离子信号，计算出了SiCl4等离子体中SiCln（n=0～2...
关键词：射频辉光放电 中性基团 质谱测量 可移动取样装置 
SiCl_4-H_2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响被引量：1
《汕头大学学报（自然科学版）》2004年第4期14-18,共5页王照奎 林璇英 林揆训 邱桂明 祝祖送 黄锐 魏俊红 
国家科委国家重大基础研究"973"资助项目 (No :G2 0 0 0 0 2 82 0 8)
以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 .着重分析放电功率的影响 ,结果表明 :随着功率的增大 ,薄膜沉积速率基本上线性增大 ,之后有减小的趋势 ;薄膜晶化度随...
关键词：等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜 电功率 薄膜沉积 速率 大尺寸 放电 晶粒尺寸 均匀 线性 
等离子体化学气相沉积参量对Ar等离子体电子特性的影响被引量：2
《功能材料》2004年第6期755-757,共3页魏俊红 林璇英 赵韦人 池凌飞 余云鹏 林揆训 黄锐 王照奎 余楚迎 
国家重点基础研究发展计划资助项目(G2000028208)
　采用加热的调谐单探针技术,研究了射频辉光放电Ar等离子体空间电子能量分布函数,电子平均能量和电子密度,并系统分析了等离子体增强化学气相沉积工艺参量对等离子体空间电子特性的影响。
关键词：调谐单探针 等离子体化学气相沉积 Ar等离子体 
多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制被引量：8
《物理学报》2004年第11期3950-3955,共6页黄锐 林璇英 余云鹏 林揆训 姚若河 黄文勇 魏俊红 王照奎 余楚迎 
国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 8)资助的课题~~
以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜 .实验发现 ,在多晶硅薄膜的生长过程中 ,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素 ,随功率、H2 SiCl4 流量比的减小和反应室气压...
关键词：活性基团 晶粒大小 等离子体增强化学气相沉积 结晶 工艺参数 反应室 PECVD 低温生长 多晶硅薄膜 功率 
以SiCl_4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜被引量：1
《功能材料》2004年第5期613-614,617,共3页黄锐 林璇英 余云鹏 林揆训 姚若河 黄文勇 魏俊红 王照奎 余楚迎 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(G2000028208)
　报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜。实验发现,生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度,而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度...
关键词：多晶硅薄膜 SiCl4 生长速率 晶化度 
机器结构噪声转动功率流的测量
《汕头大学学报（自然科学版）》2003年第4期52-58,共7页陈胜鹏 王照奎 邱桂明 
利用互功率谱的方法对安装在混凝土地板上的小型排气扇工作时产生的转动结构声功率流进行了测量 。
关键词：机器结构噪声 转动功率流 互功率谱 劲度系数 
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