赵夕彬

作品数：18被引量：55H指数：4
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：功率放大器内匹配脉冲功率放大器功率放大模块小型化更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微波学报》《半导体技术》《无线电工程》《混合微电子技术》更多>>
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高可靠GaN内匹配功率器件降额研究被引量：3
《半导体技术》2022年第7期518-523,共6页吴家锋 赵夕彬 徐守利 陈鹏 银军 默江辉 
基于功率放大器的动态负载线理论,参照Si和GaAs功率器件的降额准则,总结工程应用经验得到了GaN功率器件不同等级的电压降额系数,即I级、II级、III级降额时击穿电压应分别大于工作电压的3.14倍、2.75倍、2.44倍。通过GaN功率器件可靠性...
关键词：动态负载线 降额准则 平均失效时间(MTTF) 击穿电压 结温 
星载功率放大器相位抖动问题研究被引量：2
《微波学报》2021年第2期31-36,共6页武小坡 吴家锋 赵海洋 赵夕彬 
针对合成孔径雷达(SAR)双星成像时对相位差要求较高的现状,文中从微波传输线理论入手分析了影响功率放大器相位变化的因素,从工程力学角度入手对材料应力应变的状态进行了理论分析,利用应力分析软件进行仿真分析了功率器件管壳引线、SM...
关键词：星载 功率放大器 相位抖动 应力应变 
P波段3kW GaN功率器件的研制被引量：3
《半导体技术》2021年第1期59-63,共5页高永辉 徐守利 银军 赵夕彬 陈欣华 黄雒光 崔玉兴 
介绍了一款高压高功率GaN功率器件及其匹配电路。基于国内高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究基础,选取了GaN HEMT芯片,确定了器件的总栅宽。根据GaN HEMT芯片阻抗,器件内部进行了LC谐振匹配设计,外部采用双边平衡同轴巴伦进行推挽...
关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 内匹配 高功率 高效率 P波段 
C波段160W连续波GaN HEMT内匹配功率器件研制被引量：7
《半导体技术》2019年第1期27-31,共5页吴家锋 徐全胜 赵夕彬 银军 
基于GaN功率器件工艺自主研发的大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,采用内匹配技术和宽带功率合成技术相结合的方法,研制出了一款C波段160 W连续波GaN HEMT内匹配功率器件。通过优化管芯的结构,设计出了满足连续波使用要求的大功率...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 内匹配 功率合成 阻抗变换 
高增益S波段小型化200 W功率模块研制技术被引量：6
《太赫兹科学与电子信息学报》2018年第1期135-138,共4页李晶 倪涛 吴景峰 赵夕彬 王毅 
采用多级射频放大电路以及高压脉冲调制技术,实现了S波段高增益小型化200 W功率模块的研制。驱动放大电路采用Ga As功率单片进行功率合成;末级放大电路依托栅长(0.5μm)Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片,选取多子胞结构来改善热分布,...
关键词：GaN 功率放大模块 高压脉冲调制技术 小型化 阻抗匹配 
8kW高功率单刀四掷射频开关被引量：3
《半导体技术》2015年第7期516-520,共5页吴家锋 吴程 赵夕彬 
介绍了pin二极管的工作原理,分析了大功率射频(RF)开关的主要参数及对应的设计方法,阐述了大功率射频开关设计过程中反向偏置电压的设计方法及安全性设计的考虑。运用ADS电路仿真软件对射频开关电路进行了仿真和优化,利用pin二极管的特...
关键词：PIN二极管 单刀四掷开关(SP4T) 峰值功率 隔离度 转换时间 
Ka波段脉冲功率放大器高速、高可靠设计被引量：1
《舰船电子对抗》2015年第2期113-116,共4页夏俊颖 赵宪章 郭芳 赵夕彬 
提出一种Ka波段脉冲功率放大器的设计方法,重点针对高速双脉冲调制开关电路进行了论述,同时针对可靠性开展了热设计,对样机进行了测试,脉冲功率信号上升、下降沿时间≤4.0ns,可靠性设计满足一级降额要求,各项主要指标满足设计要求,验证...
关键词：高速双脉冲调制 高可靠 毫米波 
提高隔离器焊接可靠性及驻波特性技术研究被引量：1
《半导体技术》2012年第9期734-737,共4页赵夕彬 吴家锋 卢小娜 
高可靠固态功率放大器(SSPA)常采用隔离器来实现较好的驻波特性,为保证隔离器联接焊点能够承受上百次温度循环试验和高量级的随机振动试验,常采用Ω桥进行联接。针对隔离器搭桥焊接后驻波特性恶化的问题进行了设计和试验,提出了改善驻...
关键词：高可靠 固态功率放大器 隔离器 Ω桥 驻波 
基于负载牵引法的小型化功率模块设计被引量：2
《半导体技术》2009年第6期602-606,共5页吴家锋 何庆国 赵夕彬 
为了更准确地设计功率放大器,放弃了依靠调试的设计方法而采用负载牵引法进行大信号参数提取并以此为基础进行放大的设计。阐述了管芯大信号模型理论,介绍了利用负载牵引技术对管芯进行大信号参数的提取过程,运用ADS软件对功率放大器的...
关键词：负载牵引 大信号参数 小型化 功率放大模块 
固态脉冲功率放大器脉冲波形顶降的研究被引量：12
《半导体技术》2009年第4期381-384,392,共5页赵夕彬 
针对固态脉冲功率放大器存在脉冲波形顶降问题,从功率放大器的基本原理构成出发,对引起脉冲顶降的三个主要方面进行了分析讨论:GaAs晶体管脉冲调制开关电路、Si微波脉冲功率晶体管自身顶降以及功率晶体管的匹配电路,通过理论推导指出了...
关键词：脉冲功率放大器 微波脉冲晶体管 调制电路 脉冲波形顶降 
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