张向宇

作品数：6被引量：26H指数：3
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供职机构：山东大学材料科学与工程学院更多>>
发文主题：直拉硅单晶硅单晶热屏相场模拟直拉法更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》《功能材料》《徐州工程学院学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家重点实验室开放基金国家教育部博士点基金更多>>
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拉速对?400mm直拉硅单晶中空洞分布影响的数值模拟被引量：1
《功能材料》2015年第20期20112-20116,共5页于新友 关小军 曾庆凯 王进 张向宇 
山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题资助项目(KF1303)
为了研究拉速对?400mm直拉硅单晶中空洞演变的影响,应用CGSim软件模拟了3种拉速下晶体中空洞演变过程。模拟结果表明,(1)3种拉晶速度下具有相同的空洞分布规律,即随着径向半径增加,晶体心部的空洞密度增大而平均直径减小,该变化趋势随...
关键词：直拉法 硅单晶 空洞 拉速 数值模拟 
直拉硅单晶中双空洞长大动力学的相场模拟被引量：3
《人工晶体学报》2015年第5期1207-1212,共6页关小军 王进 张向宇 曾庆凯 
山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)
为了研究硅单晶直拉法生长过程中双空洞的长大动力学以及空洞间的相互作用机理,采用已建立的空洞演化的相场模型及其应用程序,模拟研究了直拉硅单晶生长过程中双空洞演化和相关因素的影响规律。结果表明:所建相场模型能够有效地模拟基...
关键词：硅单晶 直拉法生长 相场模拟 双空洞 长大动力学 
热屏位置影响直拉单晶硅熔体和固液界面的模拟被引量：6
《人工晶体学报》2015年第2期329-336,共8页关小军 张向宇 潘忠奔 王进 曾庆凯 
山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)
为了研究热屏位置对于直拉单晶硅的熔体和固液界面的影响,采用CGSim有限元软件对200 mm直拉单晶硅生长过程进行了模拟,结果表明,随着热屏底端位置上升(或径向内移),熔体自由表面及其邻近区域的温度下降;随着热屏底端位置径向内移,位...
关键词：直拉单晶硅 有限元 热屏位置 流场 温场 固液界面 
热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟被引量：15
《人工晶体学报》2014年第4期771-777,共7页张向宇 关小军 潘忠奔 张怀金 曾庆凯 王进 
山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)
为了研究热屏位置对200 mm直拉硅单晶V/G、原生点缺陷浓度场以及热应力场的影响,使用CGSim有限元模拟软件进行了系统模拟。结果表明:热屏位置对硅单晶的V/G和原生点缺陷浓度的径向分布规律没有影响;较热屏至晶体侧表面距离相比,其底...
关键词：直拉硅单晶 有限元 热屏位置 原生点缺陷 热应力 
平均空位径向扩散通量对直拉硅单晶空洞演化影响的相场模拟被引量：6
《徐州工程学院学报（自然科学版）》2013年第2期41-45,共5页张向宇 关小军 曾庆凯 潘忠奔 张怀金 王进 
高等学校博士学科点专项科研基金(200804220021)
直拉硅单晶中空洞的大小和数目对其性能有着至关重要的影响.采用已有的与晶体生长温度场有限元模型相耦合的空洞演化相场模型及其应用程序,模拟研究了不同的平均径向扩散通量对直拉单晶硅生长过程中空洞形貌及其分布状态演化的影响规律...
关键词：单晶硅 直拉法 空洞 空位径向扩散通量 相场模拟 
硅单晶中空位团形成能的分子动力学模拟被引量：1
《人工晶体学报》2013年第3期413-417,422,共6页王进 关小军 曾庆凯 张向宇 
高等学校博士学科点专项科研基金(200804220021)
为了获得硅单晶中空位团的形成能以及有关因素的影响规律,采用分子动力学方法进行了模拟计算和分析,揭示了模型体系大小、空位团构型和空位数目对空位团形成能的影响规律和机理。结果表明:总体上,模型体系大小和空位团构型对空位团形成...
关键词：硅单晶 形成能 空位团 分子动力学 
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