云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 陈炽

陈炽: 作品数：12被引量：22H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国空间技术研究院更多>>; 发文主题：氮化镓功率附加效率输出功率电极星载更多>>; 发文领域：电子电信航空宇航科学技术一般工业技术自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《人工晶体学报》《微波学报》《西安电子科技大学学报》《固体电子学研究与进展》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金西安应用材料创新基金国家科技重大专项更多>>

星载氮化镓固态功率放大器整机高可靠设计技术研究被引量：1: 《空间电子技术》2023年第5期17-23,共7页陈伟伟陈炽罗聃夏维娟胡宽殷康杨飞; 陕西青年拔尖人才支持项目(编号:Y23-RCSXYCQB-01);航天五院西安分院杰出青年人才基金(编号:Y21-RCFYJQ1-06); 为了满足星载应用对于固态功率放大器长寿命的应用需求,针对近年来研究较多的氮化镓(gallium nitride,GaN)固态功率放大器(solid state power amplifier,SSPA),阐述了器件存在的可靠性问题,提出了整机高可靠设计方法。首先,探讨了氮化...; 关键词：星载固态功率放大器氮化镓可靠性

工作点对氮化镓微波功率器件交调特性影响研究被引量：1: 《空间电子技术》2019年第4期1-5,共5页陈伟伟韩良陈炽王程杨章朱光耀苏璞菊卫东汪蕾; 国家科技重大专项(2017ZX01001101-018); 氮化镓微波功率器件非常适用于卫星通信,而交调特性是通信载荷最重要的指标之一。文章首先结合器件输出特性测试结果,选取不同工作状态下的偏置点对氮化镓微波功率器件进行交调特性测试。测试结果表明,在不同的栅压范围内,器件交调特性...; 关键词：氮化镓微波功率器件交调跨导

基于连续模FV类的VHF频段放大器设计被引量：3: 《空间电子技术》2019年第2期5-9,82,共6页陈炽陈伟伟王程朱光耀苏璞汪蕾; 文章利用CREE公司的CGH40006P,完成了VHF频段高效放大器设计,该设计不同于此频段的通常设计方法。设计中,基于连续模放大器FV模式的设计理论,在F类放大器偏置条件和基波阻抗的基础上,通过改变时域电压的波形,得到了连续模FV类模式下的...; 关键词：VHF频段连续模FV类高效率

基于谐波调谐的F类30W高效率放大器设计: 《空间电子技术》2018年第6期35-39,共5页陈炽陈伟伟王程杨章菊卫东汪蕾; 文章基于CREE公司的CGH40025氮化镓HEMT器件,利用谐波调谐的方法,设计了一种L波段F类30W高效率放大器。该放大器由偏置电路、输入匹配电路及输出匹配电路构成。偏置电路由四分之一波长线和射频电容构成,完成电源供电与射频厄流作用。在...; 关键词：F类放大器谐波阻抗高效率

星用X频段调制功率放大模块设计被引量：2: 《空间电子技术》2018年第4期13-16,共4页陈伟伟陈炽菊卫东汪蕾; 为了满足遥感卫星对数传单机小型化的要求,文章提出了一种星用X频段调制功率放大模块的设计方法。首次通过采用半导体单片集成电路芯片,对射频电路进行创新性设计,将驱动放大、载波调制、功率放大等功能集成在一个模块中,实现功率放大...; 关键词：X频段调制功率放大器热设计小型化

偏置电路对功率放大器性能的影响被引量：1: 《空间电子技术》2013年第1期96-98,共3页崔浩罗维玲何兵哲胡文宽陈炽; 文章首先给出偏置电路影响功率放大器性能的理论依据,然后采用3种不同的偏置电路,得出了3种不同的试验结果。试验结果表明,偏置电路会对放大器的输出功率、线性度、三阶交调产生影响。最后给出了一种比较好的偏置电路和元件取值。; 关键词：偏置电路功率放大器输出功率三阶交调

立式MOCVD反应室中一种刻槽基座的热分析被引量：2: 《人工晶体学报》2010年第4期1072-1077,共6页李志明郝跃张进成陈炽薛军帅常永明许晟瑞毕志伟; 国家自然科学基金重点项目(No.60736033);国防预研基金(No.51308030102); 在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中,提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小。与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬底温度分布的均匀性显著提高。另外,通过对基座温度随加热时...; 关键词：MOCVD 感应加热热分析基座

功率合成电路在氮化镓放大器中的应用被引量：5: 《微波学报》2010年第1期58-63,共6页陈炽郝跃冯辉马腾胡仕刚; 国家自然科学基金重点基金项目(60736033和60676048); 针对氮化镓大功率放大器,由于传统1/4λ枝节线的电桥互耦造成放大器的直流自激和低频自激,在传统1/4λ传输枝节的Wilkinson电桥的基础上,结合氮化镓器件尺寸,设计出以3/4λ传输枝节的Wilkinson电桥为功率分配器/合成器。其输出端口尺寸...; 关键词：Wilkinson电桥插入损耗隔离度合成效率 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管

X波段单级氮化镓固态放大器被引量：2: 《西安电子科技大学学报》2009年第6期1039-1043,共5页陈炽郝跃冯辉马晓华张进城胡仕刚; 国家自然科学基金重点基金支持研究项目资助(60736033); 利用自主研制的SiC衬底的栅宽为2.5 mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了单级X波段氮化镓固态放大器模块.模块由AlGaN/GaN HEMT器件、偏置电路和微带匹配电路构成.采用金属腔体和测试夹具,保证在连续波下具有良好的接地和散热性能.利用...; 关键词：ALGAN/GAN HEMT 固态放大器模块饱和输出功率增益压缩功率附加效率

Degradation of nMOS and pMOSFETs with Ultrathin Gate Oxide Under DT Stress: 《Journal of Semiconductors》2008年第11期2136-2142,共7页胡仕刚郝跃马晓华曹艳荣陈炽吴笑峰; the National Natural Science Foundation of China(Nos.60736033,60506020)~~; The degradation of device parameters and the degradation of the stress induced leakage current （SILC） of thin tunnel gate oxide under constant direct-tunneling voltage stress are studied using nMOS and pMOSFETs with...; 关键词：threshold voltage interface traps direct tunneling SILC

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