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渐变型量子阱垒层厚度对GaN基双波长发光二极管发光特性调控的研究被引量：1
《物理学报》2012年第17期564-570,共7页陈峻 范广涵 张运炎 
国家自然科学基金(批准号:61176043);广东省战略性新兴产业专项资金(批准号:2010A081002005);广东省教育部产学研结合计划(批准号:2010B090400192)资助的课题~~
采用软件理论分析的方法对渐变型量子阱垒层厚度的InGaN双波长发光二极(LED)的载流子浓度分布、能带结构、自发发射谱、内量子效率、发光功率及溢出电子流等进行研究.分析结果表明,增大量子阱垒层厚度会影响空穴在各量子阱的注入情况,...
关键词：GAN 数值模拟 双波长发光二级管 内量子效率 
光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响被引量：1
《发光学报》2020年第1期48-54,共7页陈澜 吴瑾照 龙浩 史晓玲 应磊莹 郑志威 丘志仁 张保平 
科学挑战专题(TZ2016003);国家自然科学基金(U1505253,11474365)资助项目~~
围绕高性能GaN基垂直腔面发射激光器(VCSELs),设计了两种具有不同光电耦合强度的InGaN/GaN量子阱(QWs)样品,研究了它们的光学性质。样品A在腔模的两个波腹处各放置两个InGaN耦合量子阱,而样品B在腔模的一个波腹处放置5个InGaN耦合量子...
关键词：有源区 相对光限制因子 内量子效率 复合寿命 垂直腔面发射激光器 
基于三角光栅的表面等离激元增强型发光二极管
《激光与光电子学进展》2021年第11期342-348,共7页徐云川 江孝伟 朱郑乔若 郑盛梅 
国家自然科学基金(61575008,61650404);江西省自然科学基金(20171BAB202037);浙江省教育厅一般科研项目(Y201941404);衢州市科技计划项目(2019K20)。
为了能够同时提高GaN发光二极管(light emitting diode,LED)的光提取效率和内量子效率,将GaN LED与准对称光波导(包含光栅、Ag薄层和SiO2层)集成,并基于时域有限差分法对该结构的GaN LED进行了优化与分析。经模拟计算发现,有源区发出的...
关键词：表面光学 发光二极管 表面等离子激元 内量子效率 三角光栅 
InGaN蓝光LED内量子效率的评测
《中国科学：物理学、力学、天文学》2015年第6期52-58,共7页汪莱 邢雨辰 郝智彪 罗毅 孙长征 韩彦军 熊兵 王健 李洪涛 
国家重点基础研究发展计划(编号:2011CB301900;2012CB3155605;2013CB632804);国家自然科学基金(批准号:61176015;61210014;51002085;61321004;61307024;61176059)资助项目
LED的内量子效率是评价LED性能的重要指标.本文详细介绍了目前针对Ga N基LED内量子效率的多种评测方法,包括:变温光致荧光方法、变激发功率光致荧光方法、变温电致荧光方法、效率-电流曲线拟合方法,并结合对实际样品的测试结果指出了他...
关键词：内量子效率 发光二极管 氮化镓 光致荧光 电致荧光 
太阳电池电势诱导衰减效应表面复合速度机理
《农业工程学报》2017年第18期157-164,共8页马逊 李明 刘祖明 罗熙 王云峰 徐永锋 李国良 
云南省科技计划面上项目"光伏组件PID效应与热斑效应机理研究"(2017FB089)
电势诱导衰减(potential induced degradation,PID)效应是导致光伏组件输出效率下降的主要原因之一。为了研究PID太阳电池前表面非平衡载流子复合特性,该论文首先分析PID太阳电池表面能带及电场变化情况,利用连续性方程以及电流密度方...
关键词：模型 波长 太阳能电池 PID 前表面复合速度 内量子效率 I-V特性 
cBN基台面结构pin紫外光电探测器建模与性能
《光学学报》2023年第20期10-19,共10页王进军 杨嘉伦 刘宇 李梓腾 段玉博 
西安市未央区科技计划项目(201705)。
采用Silvaco TCAD软件构建了立方氮化硼(cBN)基台面结构pin型光电探测器数值计算模型,采用控制变量法研究了n型、i型、p型cBN层材料掺杂浓度、厚度对探测器光电性能的影响,并利用器件物理相关理论对结果进行了分析与讨论。结果表明:p型...
关键词：探测器 CBN 光电流 暗电流 内量子效率 
东芝公司研制出内量子效率最高的紫外LED芯片
《现代材料动态》2009年第2期9-9,共1页邓志杰（摘译） 
东芝公司宣布，已采用蓝宝石衬底研制成功最有效的紫外（UV）LED芯片，以支持用“不同寻常”的方法代替白炽灯。这种倒装芯片383nm（发光波长）LED的外量子效率为36％，而其内量子效率（IQE）高达72％，属在蓝宝石衬底上所制UVLED之IQE...
关键词：内量子效率 倒装芯片 东芝公司 紫外 LED 蓝宝石衬底 外量子效率 发光波长 
王中林小组发明高效紫外发光二极管
《纳米科技》2011年第4期58-58,共1页
紫外半导体发光二极管在化学、生物、医学和军事领域具有广泛的应用,目前这种材料的内量子效率虽然可达到80%,但外量子效率只有3%左右。如今,基于压电光电子学效应,美籍华人王中林课题组发明了一种新型高效紫外半导体发光二极管,在合适...
关键词：紫外发光二极管 发明 内量子效率 外量子效率 军事领域 光电子学 美籍华人 半导体 
PC1D方法对铝背场钝化技术的分析被引量：8
《光电技术应用》2011年第4期49-52,共4页闫丽 高华 
降低单晶硅原材料成本,采用更薄的硅片作为太阳电池的原料是晶体硅太阳电池产业发展的趋势之一。对薄片化的太阳电池,铝背场的背表面钝化工艺显得愈加重要。采用PC1D太阳电池软件模拟的方法,对以商业用p型硅为衬底的单晶硅125×125太阳...
关键词：铝背场 背表面钝化 内量子效率 复合速率 少子寿命 
四层插入层量子垒AlGaN深紫外LED研究
《赣南师范大学学报》2024年第3期90-94,共5页方文浚 万垂铭 李深海 谢子敬 谭礼军 
江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ211436);赣南师范大学博士科研启动基金(BSJJ202134)。
本文通过对不同量子垒结构的AlGaN深紫外LED进行数值研究,对比分析了量子垒结构与其发光性能之间的关联.结果表明,相较于传统量子垒结构的样品A,四层插入层量子垒结构的样品B和样品C,内量子效率峰值分别提升了27.04%和18.8%,光输出功率...
关键词：AlGaN深紫外LED 量子垒 插入层 内量子效率 辐射复合率 
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