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检索条件:"关键词=晶体管模型 "
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仅采用S参数进行谐波平衡仿真的功率放大器设计
《电子工程信息》2016年第2期32-35,共4页朱宝明 
普遍观点认为,单独S参数结合谐波平衡(HB)无法仿真出晶体管的功率性能。本文采用HB仿真,描述了一种设计和仿真放大器最大功率的方法,而此时可用的数据只有晶体管的s参数。当非线性晶体管模型无法获得时,这种方法具有广泛应用性。...
关键词:放大器设计 谐波平衡 功率性能 S参数 仿真 晶体管模型 非线性模型 最大功率 
电压阀和电流阀非线性模型的提出及应用被引量:1
《现代电子技术》2012年第9期167-169,172,共4页林欣 
目前的电路分析理论中由于没有非线性电路模型,故对于非线性电路的计算没有形成一个完整的体系。然而在现代的电路中,具有非线性特征的晶体管电路是一种主要的电路。为此,针对晶体管非线性电路,提出了两种能够表示此类非线性元件的电路...
关键词:电压阀 电流阀 非线性电路 晶体管模型 
遥测用固态微波脉冲功率放大器的CAD
《遥测遥控》1998年第6期29-35,共7页杨永辉 杨洪林 
介绍用微波计算机辅助设计软件优化设计大功率固态微波脉冲功率放大器的方法,重点描述了这种方法的几个关键技术和分析、设计过程,包括建立晶体管模型,确定电路的拓扑结构和偏置电路的形式,仿真、优化、公差分析等等。用惠普公司...
关键词:计算机辅助设计 脉冲功率放大器 晶体管模型 
OrCAD/PSPICE在电力电子电路计算机辅助设计中的应用(Ⅱ) 第二讲 电力电子器件的PSPIOE仿真(上)
《电源世界》2001年第7期54-60,共7页陈建业 
2.1 引言对于一个复杂系统进行分析的第一步是对系统进行层次分解,然后根据研究的问题不同,建立相应的不同层次的模型。在对电力电子电路系统进行分析时,通常是将其分为器件(device)、装置(circuit)、系统(system)三级来进行分析,其中...
关键词:电力电子器件 晶体管模型 二极 模拟器件 器件模型 电力电子电路 数学模型 仿真研究 半导体器件 子电路模型 
Protel中加入BJT模型的简便方法
《长江工程职业技术学院学报》2005年第3期47-49,共3页高友福 
介绍了基于SPICE语言的模拟器件加入Protel软件的通用方法,说明了BJTSPICE模型的部分参数,并给出了加入BJT模型的实例。
关键词:电路仿真 晶体管模型 PROTEL SPICE 
双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应的模拟计算和实验验证
《核电子学与探测技术》1999年第1期9-14,共6页唐本奇 吴国荣 李国政 
在PC上开发了双极型晶体管电路瞬态γ辐照效应的模拟计算程序M-TRACII,建立了相应器件模型参数的测试方法,并进行双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应实验验证工作;计算结果与实测结果符合得较好,说明该模拟技术和实验方法是...
关键词:瞬态γ辐照效应 晶体管模型 参数提取 
PWM控制器欠压锁定电路的实现被引量:3
《电子技术(上海)》2003年第11期51-53,共3页邓云飞 吴玉广 
文章提出了一种用于集成PWM控制器内部的欠压锁定电路,并详细地分析了工作原理,通过建立晶体管模型,实现了电路的功能设计,并用PSPICE进行了模拟。它具有启动电流小、响应速度快等特点。
关键词:PWM控制器 欠压锁定电路 工作原理 晶体管模型 功能设计 温度漂移 
短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型
《东南大学学报(自然科学版)》1992年第6期23-29,共7页黄庆安 吕世骥 童勤义 
本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.
关键词:离子注入 晶体管模型 MESFET GAAS 
褚君浩院士团队在反铁磁领域发现普适理论
《科学家》2018年第12期5-5,共1页科学网 中国科技网 人民网 
11月9日,华东师范大学信息科学技术学院褚君浩院士团队在二维反铁磁领域获重要突破:在二维A-type反铁磁中提出了实现100%自旋极化的普适理论,并设计出新型二维自旋场效应晶体管模型.被认为是反铁磁应用的重要进展,该研究成果发表于《美...
关键词:普适理论 反铁磁 院士 信息科学技术学院 华东师范大学 自旋极化 晶体管模型 研究成果 
PSP Based DCG-FGT Transistor Model Including Characterization Procedure on Dummy Cell
《Journal of Energy and Power Engineering》2012年第11期1878-1883,共6页Abderrezak Marzaki Virginie Bidal Romain Laffont Wencelas Rahajandraibe Jean-Michel Portal Rachid Bouchakour 
A new DCG-FGT (dual-control-gate floating-gate transistor) transistor model for static and transient simulations is presented. The PSP MOS (metal-oxide-semiconductor) description is used as a basis for the formula...
关键词:晶体管模型 虚拟单元 PSP 程序 表征 FGT 意法半导体 闪速存储器 
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