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A 3.3 kV 4H-SiC split gate MOSFET with a central implant region for superior trade-off between static and switching performance被引量：3
《Journal of Semiconductors》2021年第6期55-63,共9页Jongwoon Yoon Kwangsoo Kim 
supported by the MSIT(Ministry of Science and ICT),Korea,under the ITRC(Information Technology Research Center)support program(IITP-2020-2018-0-01421)supervised by the IITP(Institute for Information&communications Technology Promotion);then Samsung Electronics.
A split gate MOSFET(SG-MOSFET)is widely known for reducing the reverse transfer capacitance(C_(RSS)).In a 3.3 kV class,the SG-MOSFET does not provide reliable operation due to the high gate oxide electric field.In add...
关键词：4H-SIC split gate ON-RESISTANCE reverse transfer capacitance switching energy loss switching time 
磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量的影响研究被引量：1
《人工晶体学报》2023年第1期48-55,共8页张玺 朱如忠 张序清 王明华 高煜 王蓉 杨德仁 皮孝东 
浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划(2022C01021);国家重点研发计划(2018YFB2200101);国家自然科学基金委员会重大研究计划培育项目(91964107)。
研磨作为4H碳化硅(4H-SiC)晶片加工的重要工序之一,对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响,基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情...
关键词：4H碳化硅 研磨 金刚石磨料 分散介质 材料去除速率 面型参数 
SiC新一代电力电子器件的进展(续)被引量：1
《半导体技术》2013年第3期161-167,共7页赵正平 
5 SiC JFET SiC JFET利用p-n结耗尽区来控制沟道电流,可全面开发SiC的高温性能,适合高温高功率开关。SiC JFET通常是常开的,关断需加负栅压,其具有本征安全的栅驱动控制。SiC JFET具有低开关损耗、高开关频率的特点。1999年,P.Friedrich...
关键词：4H-SIC 电力电子器件 JFET 高温性能 驱动控制 低开关损耗 沟道电流 P-N结 
美国加紧研究4H-SiC器件
《微电子技术》1999年第5期53-53,共1页石松 
关键词：4H-SIC 同步加速器 X射线 大功率器件 形貌 联合投资 美国陆军 合同号 研究局 规划局 
SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究被引量：1
《光谱学与光谱分析》2010年第3期702-705,共4页苗瑞霞 张玉明 汤晓燕 张义门 
国家自然科学基金项目(60876061);西安应用材料创新基金项目(XA-AM-200704);国防基金项目(9140A08050508)资助
由于在研究SiC晶体缺陷对器件性能的影响的过程中,表征材料缺陷的常用的方法是破坏性的,因此寻找一种无损的测试方法对缺陷进行有效的表征显得尤为重要。基于阴极荧光(CL)的工作原理对4H-SiC同质外延材料的晶体缺陷进行了无损测试研究...
关键词：阴极荧光 4H-SIC 无损表征 位错及堆垛层错 
高质量6英寸4H-SiC同质外延层快速生长被引量：4
《微纳电子技术》2021年第5期446-451,共6页薛宏伟 袁肇耿 吴会旺 杨龙 
工业和信息化部2020年产业基础再造和制造业高质量发展专项。
采用化学气相沉积法在6英寸(1英寸=2.54 cm)4°偏角4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,通过研究Si/H_(2)比(所用气源摩尔比)与生长速率的相互关系,使4H-SiC同质外延层生长速率达到101μm/h。同时,系统研究了C/Si比对4H-SiC同质外延层生...
关键词：4H-SIC 同质外延片 C/Si比 表面缺陷密度 基面位错(BPD)密度 
14kV-1 A SiC超高压PiN二极管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2016年第5期365-368,共4页栗锐 黄润华 柏松 陶永洪 
设计了一种耐压超过14kV的4H-SiC超高压PiN二极管。外延材料N-层掺杂浓度3.0×10^(14) cm^(-3),厚度140μm。通过模拟仿真,采用台面结合双JTE结终端保护结构,器件实现了14kV以上耐压,正向导通电流1A。
关键词：4H-SIC PIN二极管 超高压 双结终端扩展 
掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
《电子学报》2005年第8期1512-1515,共4页王平 杨燕 杨银堂 屈汉章 崔占东 付俊兴 
教育部重点资助项目(No.02074);国防科技预研基金(No.51408010601DZ1032)
在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随...
关键词：4H-SIC 蒙特卡罗研究 中性杂质散射 饱和漂移速度 
低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备被引量：2
《无机材料学报》2023年第11期1371-1372,共2页熊希希 杨祥龙 陈秀芳 李晓蒙 谢雪健 胡国杰 彭燕 于国建 胡小波 王垚浩 徐现刚 
国家自然科学基金(52022052,62004118);山东省重点研发计划(2022ZLGX02)。
碳化硅具有优异的物理化学性能,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有广泛应用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面具有巨大的潜力,成为行业重要的技术发展方向。近期山东大...
关键词：4H-SIC 8英寸 低位错密度 单晶衬底 
SiC电力电子技术综述被引量：6
《固体电子学研究与进展》2011年第3期213-217,262,共6页李宇柱 
与硅相比,4H-SiC材料具有高功率、耐高温、高频、高集成度、高效率、高抗辐射等优势,是制作电力电子器件的理想材料,近十年以来SiC电力电子器件性能不断提高。回顾了SiC电力电子器件的发展,总结了材料、工艺和器件所面对的技术问题。笔...
关键词：4H—SiC 电力电子器件 
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