国家自然科学基金(10075029)

作品数：8被引量：8H指数：2
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A study of radiation effects of 9 and 12 MeV protons on Chinese CMOS image sensor degradation
《Chinese Physics C》2008年第6期442-445,共4页孟祥提 黄强 马艳秀 郑永男 范平 朱升云 
National Natural Science Foundation of China(10375034,10075029)
The 9 and 12 MeV proton irradiations of the Chinese CMOS Image Sensor in the fluence range from 1× 10^9 to 4×10^10 cm^-2 and 1 × 10^9 to 2×10^12 cm^-2 have been carried out respectively. The color pictures and dar...
关键词：semiconductor technology CMOS image sensor proton irradiation average brightness TRIM simulation 
辐照对SiGe HBT增益的影响
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期430-434,共5页孟祥提 王吉林 黄强 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10075029,10375034)
比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.针对测得的一些电子陷...
关键词：SiGe HBT 电子辐照 Γ射线辐照 Si BJT 直流增益 
DC Characteristics of Gamma-ray Irradiated SiGe HBT in Comparison with Si BJT
《Chinese Journal of Aeronautics》2006年第B12期192-197,共6页MENG Xiang-ti HUANG Qian WANG Ji lin CHEN Pei-yi TSIEN Pei-hsin 
National Natural Science Foundation of China (10075029 and 10375034)
The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib- Ib0 increase with the ...
关键词：γ-ray irradiation SiGe HBT Si BJT DC characteristics 
阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF结构耐压机理研究被引量：2
《微电子学》2006年第2期125-128,共4页毛平 陈培毅 
国家自然科学基金资助项目(10075029)
研究了阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF(Reduce SURface Field)结构的器件几何形状和物理参数对器件耐压的影响;发现并解释了该结构纵向击穿时,耐压与浓度关系中特有的“多RESURF平台”现象。研究表明,阶梯变掺杂漂移区结构能明显改善...
关键词：SOI RESURF结构 阶梯变掺杂 耐压机理 
Electrical Performance of Electron Irradiated SiGe HBT and Si BJT
《Journal of Materials Science & Technology》2004年第6期706-708,共3页WentaoHUANG JilinWANG ZhinongLIU PeiyiCHEN PeihsinTSIEN XiangtiMENG 
This project is financially supported by the National Natural Science Foundation of China(No.10075029 and 69836020);National“863”Advanced Research Project of China(No.2002AA3Z1230).
The change of electrical performances of 1 MeV electron irradiated silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) and Si bipolar junction transistor (BJT) was studied. After electron irradiation, bot...
关键词：Electron irradiation SiGe HBT Si BJT Electrical performance 
Difference in electron-and gamma-irradiation effects on output characteristic of color CMOS digital image sensors
《Rare Metals》2004年第2期165-170,共6页MENGXiangti KANGAiguo ZHANGXimin LIJihong HUANGQiang LIFengmei LIUXiaoguang ZHOUHongyu 
This project is financially supported by the Narional Natural Science Foundation of China(Nos 10375034 and 10075029) and the Basic Research Foundation of Tsinghua University (No. JC2002058).
Changes of the average brightness and non-uniformity of dark output images,and quality of pictures captured under natural lighting for the color CMOS digital image sensorsirradiated at different electron doses have be...
关键词：semiconductor technology irradiation damage electron and gamma irradiation color CMOS image sensor output characteristic SI 
SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较被引量：1
《半导体技术》2002年第12期68-71,共4页康爱国 孟祥提 王吉林 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 
国家自然科学基金项目 (10075029)
比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下...
关键词：SiGe HBT SI BJT γ射线辐射 直流电学特性 硅锗异质结对极晶体管 同硅双极晶体管 
Dark output characteristic of γ-ray irradiated CMOS digital image sensors被引量：5
《Rare Metals》2002年第1期79-84,共6页MENG Xiangti and KANG A iguo Institute of Nuclear Energy Technology, Tsinghua University, Beijing 100084, China 
the National Natural Science Foundation of China (No.10075029).
The quality of dark output images from the CMOS (complementarymetal oxide semiconductor) black and white (B & W) digital imagesensors captured before and after γ-ray irradiation was studied. Thecharacteristic paramet...
关键词：CMOS digital image sensor gamma radiation dark output characteristic SI 
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