国家教育部博士点基金(20100201110018)

作品数：4被引量：17H指数：3
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相关期刊：《Science Bulletin》《强激光与粒子束》《原子能科学技术》《Science China(Technological Sciences)》更多>>
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Soft error reliability in advanced CMOS technologies—trends and challenges被引量：4
《Science China(Technological Sciences)》2014年第9期1846-1857,共12页TANG Du HE ChaoHui LI YongHong ZANG Hang XIONG Cen ZHANG JinXin 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.11175138);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China(Grant No.20100201110018);the Key Program of the National Natural Science Foundation of China(Grant No.11235008);the State Key Laboratory Program(Grant No.20140134)
With the decrease of the device size,soft error induced by various particles becomes a serious problem for advanced CMOS technologies.In this paper,we review the evolution of two main aspects of soft error-SEU and SET...
关键词：soft error rate direct ionization indirect ionization multiple errors single event transient HARDENING CHALLENGES 
Single event upset sensitivity of 45 nm FDSOI and SOI FinFET SRAM被引量：7
《Chinese Science Bulletin》2013年第7期780-785,共6页TANG Du LI YongHong ZHANG GuoHe HE ChaoHui FAN YunYun 
supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 11175138);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (Grant No. 20100201110018);the Key Program of the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 11235008)
In this work single event upset(SEU) sensitivity of 45 nm fully depleted silicon-on-insulator(FDSOI) static random access memory(SRAM) cell and that of SOI fin-shaped field-effect-transistor(FinFET) SRAM cell have bee...
关键词：SRAM单元 FINFET 单粒子翻转 SOI 敏感性 静态随机存取存储器 纳米 场效应晶体管 
4H-SiC NMOS电子、质子辐照数值模拟被引量：2
《强激光与粒子束》2011年第5期1387-1390,共4页胡志良 贺朝会 
教育部博士点基金项目(20100201110018)
分析了高能电子、质子对4H-SiC的损伤机理,建立了4H-SiC NMOS器件物理模型。电子、质子辐照效应模型。应用ISE-TCAD软件进行数值模拟计算,得出在能量为2.5 MeV、注量为5×1013cm-2的电子辐照及能量为6.5 MeV、注量为2×1014cm-2的质子...
关键词：4H-SIC 电子辐照 质子辐照 数值模拟 
超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟被引量：5
《原子能科学技术》2011年第4期456-460,共5页胡志良 贺朝会 张国和 郭达禧 
教育部博士点基金资助项目(20100201110018)
考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI NMOSFET的影响...
关键词：中子辐照 超深亚微米 SOI NMOSFET 数值模拟 
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