国家自然科学基金(60890192)

作品数：5被引量：10H指数：2
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相关作者：冯志红刘波李佳戴隆贵王小丽更多>>
相关机构：专用集成电路与系统国家重点实验室中国科学院中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《发光学报》《微纳电子技术》更多>>
相关主题：GANALNMOCVDALN缓冲层X射线衍射更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
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High performance AlGaN/GaN HEMTs with AlN/SiN_x passivation被引量：1
《Journal of Semiconductors》2015年第7期94-97,共4页谭鑫 吕元杰 顾国栋 王丽 敦少博 宋旭波 郭红雨 尹甲运 蔡树军 冯志红 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60890192)
A1GaN/GaN high electron-mobility transistors （HEMTs） with 5 nm A1N passivation by plasma en- hanced atomic layer deposition （PEALD） were fabricated, covered by 50 nm SiNx which was grown by plasma enhanced chemica...
关键词：A1GaN/GaN HEMTs plasma enhanced atomic layer deposition （PEALD） AIN PASSIVATION sub-threshold hysteresis thermal stability 
Enhancement-mode InAlN/GaN MISHEMT with low gate leakage current
《Journal of Semiconductors》2012年第6期28-30,共3页顾国栋 蔡勇 冯志红 刘波 曾春红 于国浩 董志华 张宝顺 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.10990102,60890192,60876009)
We report an enhancement-mode InAlN/GaN MISHEMT with a low gate leakage current by a thermal oxidation technique under gate.The off-state source-drain current density is as low as～10^（17） A/mm at V_（GS）= 0 V and...
关键词：enhancement-mode InAlN/GaN HEMT threshold voltage thermal oxidation gate leakage 
利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化(英文)被引量：7
《发光学报》2011年第4期363-367,共5页何涛 陈耀 李辉 戴隆贵 王小丽 徐培强 王文新 陈弘 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(60890192,60877006,50872146);the Chinese Science and Technology Ministry(“863”,No.2009AA033101)~~
采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于...
关键词：GAN 各向异性 X射线衍射 ALN 缓冲层 
Si衬底GaN外延材料六角形缺陷分析
《微纳电子技术》2010年第10期603-605,共3页尹甲运 刘波 王晶晶 周瑞 李佳 敦少博 冯志红 
国家自然科学基金重大项目(60890192)
通过改变AlN形核层的生长温度分别在Si(111)衬底上生长了两个GaN样品,并对GaN外延材料表面的六角形缺陷进行了分析研究。通过显微镜和扫描电镜(SEM)观测发现,AlN形核层在高温下生长时,GaN材料表面会产生大量六角形缺陷。通过电子能谱(E...
关键词：GAN 六角形缺陷 AlN形核层 温度 SI衬底 
高性能SiC整流二极管研究被引量：2
《微纳电子技术》2010年第7期394-396,408,共4页杨霏 商庆杰 李亚丽 闫锐 默江辉 潘宏菽 李佳 刘波 冯志红 付兴昌 何庆国 蔡树军 杨克武 
国家自然科学基金资助项目(60876009,60890192)
在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性p型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au...
关键词：碳化硅 击穿电压 合并p-i-n肖特基 肖特基接触 欧姆接触 场板 
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