国家重点基础研究发展计划(2011CB301900)

作品数：31被引量：32H指数：3
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相关机构：南京大学清华大学南京信息工程大学南京大学扬州光电研究院更多>>
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相关主题：GAN氮化镓氢化物气相外延INGANHVPE更多>>
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无电极光助化学腐蚀法制备GaN微/纳米结构及其物性研究
《中国科学：物理学、力学、天文学》2015年第8期89-102,共14页张士英 修向前 徐庆君 王恒远 华雪梅 谢自力 刘斌 陈鹏 韩平 陆海 顾书林 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(编号:2011CB301900,2012CB619304);国家高技术研究发展规划(编号:2014AA032605);国家自然科学基金(批准号:60990311,61274003,60936004,61176063,61334009);江苏省自然科学基金(编号:BK2011010,BY2013077,BE2011132,BK20141320);固态照明与节能电子学协同创新中心、教育部新世纪优秀人才支持计划(编号:NCET-11-0229);江苏高校优势学科建设工程资助;扬州市“绿扬金凤计划”;南京大学扬州光电研究院研发基金资助项目
利用K2S2O8作为氧化剂,通过无电极光助化学腐蚀GaN外延层制备多种形貌的GaN微米/纳米结构.采用扫描电子显微镜(SEM)、阴极射线发光图(CL mapping)、高分辨X射线衍射(HRXRD)、拉曼光谱(Raman spectra)和光致发光谱(PL)等先进的表征手段...
关键词：GaN微米/纳米结构 无电极光助化学腐蚀法 阴极射线发光图 
Metal–organic–vapor phase epitaxy of InGaN quantum dots and their applications in light-emitting diodes被引量：2
《Chinese Physics B》2015年第6期25-30,共6页汪莱 杨迪 郝智彪 罗毅 
Project supported by the National Basic Research Program of China(Grant Nos.2013CB632804,2011CB301900,and 2012CB3155605);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61176015,61210014,51002085,61321004,61307024,and 61176059);the High Technology Research and Development Program of China(Grant No.2012AA050601)
InGaN quantum dot is a promising optoelectronic material, which combines the advantages of low-dimensional and wide-gap semiconductors. The growth of InGaN quantum dots is still not mature, especially the growth by me...
关键词：INGAN quantum dot light emitting diode MOVPE 
InGaN蓝光LED内量子效率的评测
《中国科学：物理学、力学、天文学》2015年第6期52-58,共7页汪莱 邢雨辰 郝智彪 罗毅 孙长征 韩彦军 熊兵 王健 李洪涛 
国家重点基础研究发展计划(编号:2011CB301900;2012CB3155605;2013CB632804);国家自然科学基金(批准号:61176015;61210014;51002085;61321004;61307024;61176059)资助项目
LED的内量子效率是评价LED性能的重要指标.本文详细介绍了目前针对Ga N基LED内量子效率的多种评测方法,包括:变温光致荧光方法、变激发功率光致荧光方法、变温电致荧光方法、效率-电流曲线拟合方法,并结合对实际样品的测试结果指出了他...
关键词：内量子效率 发光二极管 氮化镓 光致荧光 电致荧光 
用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究
《高技术通讯》2014年第9期971-974,共4页俞慧强 修向前 张荣 华雪梅 谢自力 刘斌 陈鹏 韩平 施毅 郑有炓 
973计划(2011CB301900,2012CB619304,2010CB327504);863计划(2014AA032605);国家自然科学基金(60990311,61274003,60936004,61176063);江苏省自然科学基金(BK2011010)资助项目
在自制设备上用氢化物气相外延(HVPE)方法在α-Al_2O_3以及GaN/α-Al_2O_3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究。重点研究了生长温度的变化对所获得的InN薄膜的影响,并利用X射线衍射研究了InN薄膜的结构,用扫描电子显微镜研究了...
关键词：氮化铟(InN) 薄膜 氢化物气相外延(HVPE) 
Breakdown characteristics of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes fabricated on a silicon substrate
《Chinese Physics B》2014年第9期414-418,共5页蒋超 陆海 陈敦军 任芳芳 张荣 郑有炓 
supported by the National Basic Research Program of China(Grant Nos.2010CB327504,2011CB922100,and 2011CB301900);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.60936004 and 11104130);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province,China(Grant Nos.BK2011556 and BK2011050);the Priority Academic Development Program of Jiangsu Higher Education Institutions,China
In this work, the breakdown characteristics of AlGaN/GaN planar Schottky barrier diodes （SBDs） fabricated on the silicon substrate are investigated. The breakdown voltage （BV） of the SBDs first increases as a func...
关键词：ALGAN/GAN Schottky barrier diodes silicon substrate BREAKDOWN 
Recent progresses on InGaN quantum dot light-emitting diodes
《Frontiers of Optoelectronics》2014年第3期293-299,共7页Lai WANG Wenbin LV Zhibiao HAO Yi LUO 
Acknowledgements This work was supported by the National Basic Research Program of China （Nos. 2013CB632804, 2011CB301900 and 2012CB3155605）, the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos. 61176015, 61210014, 51002085, 61321004, 61307024 and 61176059）, and the High Technology Research and Development Program of China （Nos. 2011AA03Al12, 2011AA03A106, 2011AA03A105 and 2012AA050601）.
InGaN quantum dots （QDs） have attracted many research interests in recent years for their potentials to realize long wavelength visible emission from green to red, which can pave a way to fabricate the phosphor-free...
关键词：quantum dot （QD） INGAN light emitting diode （LED） quantum confined Stark effect （QCSE） 
Solar-blind ultraviolet band-pass filter based on metal–dielectric multilayer structures被引量：2
《Chinese Physics B》2014年第7期404-408,共5页王天娇 徐尉宗 陆海 任芳芳 陈敦军 张荣 郑有炓 
supported by the National Basic Research Program of China(Grant Nos.2010CB327504,2011CB922100,and 2011CB301900);the National NaturalScience Foundation of China(Grant Nos.60936004 and 11104130);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province,China(Grant Nos.BK2011556 andBK2011050);the Priority Academic Program Development of Jiangsu Higher Education Institutions,China
Solar-blind ultraviolet （UV） band-pass filter has significant value in many scientific, commercial, and military appli- cations, in which the detection of weak UV signal against a strong background of solar radiatio...
关键词：solar-blind band-pass filter metal-dielectric multilayer 
Reverse leakage current in AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes被引量：1
《Chinese Science Bulletin》2014年第12期1276-1279,共4页Rong Jiang Dawei Yan Hai Lu Rong Zhang Dunjun Chen Youdou Zheng 
supported by the National Basic Research Program of China(2010CB327504 and 2011CB301900);the National Natural Science Foundation of China(60825401 and60936004);the Fundamental Research Funds for the Central Universities(JUSRP51323B);the National Science Foundation of Jiangsu Province(BK2012110)
The reverse leakage characteristics of AlGaNbased ultraviolet light-emitting diodes fabricated on sapphire substrate are studied by temperature-variable current–voltage(I–V)measurement from 300 to 450 K.At low-rever...
关键词：反向漏电流 发光二极管 紫外线 ALGAN 空间电荷限制电流 缺陷形成 电压特性 测量特性 
GaN纳米柱的量子效率研究
《南京大学学报（自然科学版）》2014年第3期320-324,共5页李扬扬 陈鹏 蒋府龙 杨国锋 刘斌 谢自立 修向前 韩平 赵红 华雪梅 施毅 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(2011CB301900);国家高技术研究发展规划(2009AA03A198);国家自然科学基金(61176063;60990311;60936004);江苏省自然科学基金(BK2008019;BK2010385;BK2009255;BK2010178)
主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5mW时,GaN纳米柱的积分PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更高的内量子效率和...
关键词：GaN纳米柱 光致发光(PL) 量子效率 
集成封装发光二极管光提取效率的计算及优化被引量：7
《光学精密工程》2014年第5期1129-1137,共9页白一鸣 罗毅 韩彦军 李洪涛 
国家科技支撑计划资助项目(No.2011BAE01B07,No.2012BAE01B03);国家973重点基础研究发展计划资助项目(No.2012CB315605,No.2011CB301900);国家863高技术研究发展计划资助项目(No.2011AA03A112,No.2011AA03A106,No.2011AA03A105);国家自然科学基金资助项目(No.61176015,No.60723002,No.61176059,No.60977022,No.51002085);广东省科技计划资助项目(No.2011A081301003);北京市自然科学基金资助项目(No.4091001);集成光电子学国家重点联合实验室开放基金资助项目(No.IOSKL2012KF09)
基于蒙特卡罗方法模拟、计算并分析了芯片类型、大小、间距、数量以及布局对GaN基发光二极管(LED)集成封装器件COB(Chip On Board)能效的影响。计算结果表明:在芯片间距小于200μm且芯片尺寸或布局等参数相同的条件下,正装LED COB的能...
关键词：发光二极管 集成封装 COB(Chip On Board) 光提取效率 蒙特卡罗方法 
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