国家自然科学基金(60576044)

作品数：9被引量：17H指数：2
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生长温度对6H-SiC上SiCGe薄膜发光特性的影响被引量：2
《发光学报》2010年第3期373-377,共5页李连碧 陈治明 
国家自然科学基金(60576044);西安理工大学优秀博士学位论文研究基金(602-210809)资助项目
利用低压化学气相淀积工艺在6H-SiC衬底成功制备了SiCGe薄膜。通过光致发光(PL)谱研究了生长温度对SiCGe薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,1030,1060℃的SiCGe薄膜的室温光致发光峰分别位于2.13,2.18,2.31eV处;通过组分分析...
关键词：SiCGe薄膜 低压化学气相沉积 生长温度 光致发光 
SiC based Si/SiC heterojunction and its rectifying characteristics被引量：2
《Chinese Physics B》2009年第11期4966-4969,共4页朱峰 陈治明 李连碧 赵顺峰 林涛 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 60576044)
The Si on SiC heterojunction is still poorly understood, although it has a number of potential applications in electronic and optoelectronic devices, for example, light-activated SiC power switches where Si may play t...
关键词：Si/6H-SiC HETEROJUNCTION heteroepitaxy SiC 
SiC衬底上SiCGe薄膜的岛状机理分析
《材料科学与工艺》2009年第5期704-706,712,共4页李连碧 陈治明 李青民 
国家自然科学基金(60576044);西安理工大学优秀博士学位论文研究基金资助项目(602210809)
对热壁化学气相沉积法(HWCVD)在6H-SiC(0001)面上外延生长的SiCGe薄膜结构进行了机理分析.SiCGe薄膜具有球形岛和三角形层状堆叠岛两种岛状结构,球形岛为金刚石型结构,而三角形层状堆叠岛则为闪锌矿型结构.认为球形岛是Ge富集后,高温析...
关键词：SIC SiCGe 岛状生长 热壁化学气相沉积 
Effect of Growth Gas Flow Rate on the Defects Density of SiC Single Crystal被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第5期851-854,共4页杨莺 林涛 陈治明 
国家自然科学基金(批准号:60576044);教育部高校博士学科点专项科研基金(批准号:20040700001);国家博士后科学基金(批准号:200704111137)资助项目~~
A method for estimating the defects density in SiC bulk crystals by defect-selective etching in molten KOH has already been successfully demonstrated. In this paper, the results of applying this technique to bulk SiC ...
关键词：SIC DEFECT ETCHING PVT 
6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究
《物理学报》2008年第9期6007-6012,共6页林涛 陈治明 李佳 李连碧 李青民 蒲红斌 
国家自然科学基金(批准号:60576044);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20040700001);中国博士后科学基金(批准号:20070411137)资助的课题~~
采用低压热壁化学气相沉积法,在6H-SiC衬底(0001)面上生长了不同温度(1100—1250℃),不同GeH4流量比(6.3%—25%)的SiCGe薄膜样品,研究了SiCGe薄膜的表面形貌、生长特性以及样品中Ge组分含量的变化.扫描电镜测试结果表明,SiCGe薄膜在低...
关键词：碳化硅 化学气相沉积 反相边界 岛状生长 
6H-SiC衬底上异质外延3C-SiC薄膜的结构研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第5期936-939,共4页林涛 李青民 李连碧 杨莺 陈治明 
国家自然科学基金(批准号:60576044);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20040700001);中国博士后科学基金(批准号:20070411137)资助项目~~
以SiH4和C3H8为反应源,在1250℃下,采用低压热壁化学气相淀积法在6H-SiC衬底上异质外延生长了3C-SiC薄膜.扫描电镜和原子力显微镜测试结果显示,样品表面光滑、无明显岛状结构物质.剖面透射电镜照片显示SiC外延层致密均匀、界面平整,厚...
关键词：碳化硅 化学气相沉积 异质外延 透射电子显微镜 
湿法腐蚀工艺研究碳化硅晶体缺陷表面形貌被引量：11
《人工晶体学报》2008年第3期634-638,共5页杨莺 陈治明 
国家自然科学基金(No.60576044);教育部高校博士学科点专项科研基金(No.20040700001);国家博士后科学基金(No.200704111137)资助项目
采用湿法腐蚀工艺,对PVT法生长的碳化硅单晶缺陷进行了研究。利用熔融态KOH和K2CO3作为腐蚀剂,通过分别改变腐蚀剂配比、腐蚀时间、腐蚀温度的方法,获得了良好的湿法腐蚀工艺参数。用CCD光学显微镜和SEM观察腐蚀以后的晶体表面形貌。结...
关键词：碳化硅 缺陷 腐蚀 
Design and Simulation of a Light-Activated Darlington Transistor Based on a SiCGe/3C-SiC Hetero-Structure
《Journal of Semiconductors》2006年第2期254-257,共4页陈治明 任萍 蒲红斌 
国家自然科学基金(批准号:60376011,60576044);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20040700001)资助项目~~
A light-activated Darlington heterojunction transistor based on a SiCGe/3C-SiC hetero-structure is proposed for anti-EMI（electromagnetic interference） applications. The performance of the novel power switch is simul...
关键词：SiCGe SIC hetero-junction Darlington transistor 
Effects of Buffer Layer on Hetero-Epi-Growth of SiCGe on 6H-SiC
《Journal of Rare Earths》2006年第z1期19-22,共4页Tan Changxing Chen Zhiming Pu Hongbin Lu Gang Li Lianbi 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (60376011 and 60576044) and Specialized Research Fund for the Doctoral Program of High Education (20040700001)
Growth of SiCGe ternary alloy on 6H-SiC in a conventional hot-wall CVD system was initially studied. SiH4, GeH4 and C3H8 were employed as silicon, germanium and carbon source, respectively, while H2 was employed as th...
关键词：SiCGe SiC BUFFER LAYER hetero-junction LPCVD 
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