国家重点基础研究发展计划(G2000036503)

作品数：12被引量：6H指数：1
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用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷
《固体电子学研究与进展》2006年第4期466-470,共5页贾高升 许铭真 谭长华 段小蓉 
国家"九七三"基础研究课题(G2000036503)的资助
应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰。这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有三种氧化层高场诱生缺陷共存。...
关键词：金属-氧化物-半导体器件 直接隧穿栅电流 比例差分谱 多缺陷 
热载流子应力下n-MOSFET线性漏电流的退化被引量：1
《固体电子学研究与进展》2006年第1期20-24,48,共6页赵要 许铭真 谭长华 
国家基础研究项目(G2000036503)资助
研究了不同沟道和栅氧化层厚度的n-M O S器件在衬底正偏压的VG=VD/2热载流子应力下,由于衬底正偏压的不同对器件线性漏电流退化的影响。实验发现衬底正偏压对沟长0.135μm,栅氧化层厚度2.5 nm器件的线性漏电流退化的影响比沟长0.25μm,...
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管 可靠性 热载流子效应 衬底正向偏置 
HALO结构pMOSFETs在V_g=V_d/2应力模式下应力相关的热载流子退化
《Journal of Semiconductors》2004年第4期436-440,共5页胡靖 赵要 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 0 3 ); MOTOROL A Digital DNA实验室资助项目~~
研究了超薄栅 (2 .5 nm )短沟 HAL O- p MOSFETs在 Vg=Vd/ 2应力模式下不同应力电压时热载流子退化特性 .随着应力电压的变化 ,器件的退化特性也发生了改变 .在加速应力下寿命外推方法会导致过高地估计器件寿命 .在高场应力下器件退化...
关键词：热载流子 一次碰撞电离 二次碰撞电离 复合 
Stress Induced Leakage Current in Different Thickness Ultrathin Gate Oxide MOSFET
《Journal of Semiconductors》2004年第3期257-261,共5页张贺秋 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究发展规划(No.G2000036503);教育部博士点基金(No.97000113)资助项目~~
A study of the gate current variation is presented for various thickness ultrathin gate oxides ranging from 1.9 to 3.0nm under the constant voltage stress.The experimental results show the stress induced leakage curre...
关键词：stress induce leakage current ULTRATHIN MOSFET TRAP 
A New Lifetime Prediction Model for pMOSFETs Under V_g=V_d/2 Mode with 2.5nm Oxide
《Journal of Semiconductors》2004年第2期152-157,共6页胡靖 赵要 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究发展计划 ( No.G2 0 0 0 0 3 65 0 3 ); Motorola Digital DNA Laboratory资助项目~~
Gate current for pMOSFETs is composed of direct tunneling current,channel hot hole,electron injection current,and highly energetic hot holes by secondary impact ionization.The device degradation under V g=V d/2 is m...
关键词：hot carriers recombination electron injection secondary impact ionization 
Influence of Device Narrowing on HALO-pMOSFETs' Degradation Under V_g= V_d/2 Stress Mode
《Journal of Semiconductors》2003年第12期1255-1260,共6页胡靖 赵要 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (No.G2 0 0 0 0 3 65 0 3 )~~
The degradation characteristics of both wide and narrow devices under V _g= V _d/2 stress mode is investigated.The width-enhanced device degradation can be seen with devices narrowing.The main degradation mechanism is...
关键词：width-enhanced degradation pinch-off voltage current-crowding effect 
An Improved Method to Extract Generation of Interface Trap in Hot-Carrier-Stressed LDD n-MOSFET
《Journal of Semiconductors》2003年第8期803-808,共6页杨国勇 毛凌锋 王金延 霍宗亮 王子欧 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究发展规划资助项目(No.G2 0 0 0 0 3 65 0 3 )~~
A new improved technique,based on the direct current current voltage and charge pumping methods,is proposed for measurements of interface traps density in the channel and the drain region for LDD n MOSFET.This tech...
关键词：hot  carrier stress LDD ultra  thin gate oxide two step degradation 
Multi-Defect Generation Behavior in Ultra Thin Oxide Under DT Stresses
《Journal of Semiconductors》2003年第2期127-132,共6页霍宗亮 毛凌锋 谭长华 许铭真 
国家重点基础研究发展规则 (No.G2 0 0 0 0 3 65 0 3 );高校博士点基金资助项目~~
The saturation behavior of stress current is studied.The three types of precursor sites for trap generation are also introduced by fitting method based on first order rate equation.A further investigation by statistic...
关键词：DEFECT MOS structure time  dependence dielectric breakdown 
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