国家自然科学基金(69976001)

作品数：6被引量：7H指数：1
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相关作者：黄如张兴王阳元廖怀林卜伟海更多>>
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氮注入多晶硅栅对超薄SiO_2栅介质性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第1期76-79,共4页许晓燕 谭静荣 黄如 张兴 
国家自然科学基金 (批准号 :699760 0 1);国家重点基础研究专项基金 (No.2 0 0 0 0 3 65 )资助项目~~
p+ 多晶硅栅中的硼在 Si O2 栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化 ,在多晶硅栅内注入 N+ 的工艺可抑制硼扩散 .制备出栅介质厚度为 4 .6 nm的 p+栅 MOS电容 ,通过 SIMS测试分析和 I- V、C- V特性及电应力下击穿特性的测试 ,观察了多...
关键词：氮注入 多晶硅 超薄SiO2栅 介质性能 栅介质 硼扩散 CMOS 
3.4nm超薄SiO_2栅介质的特性被引量：1
《电子学报》2002年第2期269-270,共2页许晓燕 谭静荣 高文钰 黄如 田大宇 张兴 
国家自然科学基金 (No .699760 0 1 ) ;国家重点基础研究专项基金 (No .2 0 0 0 0 365)
用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为 3 4nm的MOS电容样品 ,通过对样品进行I V特性和恒流应力下V t特性的测试 ,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能 ,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响 .实验结果表明 ,制备出的 3 4nmSiO2 栅介质的...
关键词：超薄栅介质 软击穿 硼扩散 二氧化碳 
SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1147-1153,共7页卜伟海 黄如 徐文华 张兴 
国家重点基础研究专项基金 ( 2 0 0 0 0 36 5 );国家自然科学基金 ( No.6 9976 0 0 1)资助项目~~
针对 SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟 ,通过改变器件参数 ,比较系统地考察了 SOI器件中瞬态浮体效应 ,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对 CMOS/SOI电路 (以环振电路为例 )的影响 ,并提出了抑制器件浮体效应的器件结构...
关键词：SOI器件 浮体效应 环振电路 集成电路 
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