云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60376024)

国家自然科学基金(60376024): 作品数：21被引量：32H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：郝跃马晓华朱志炜曹艳荣陈海峰更多>>; 相关机构：西安电子科技大学四川大学中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：《Journal of Semiconductors》《西安电子科技大学学报》《半导体技术》《Chinese Physics B》更多>>; 相关主题：应力静电放电LDDNMOSFETGIDL更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

Study on the drain bias effect on negative bias temperature instability degradation of an ultra-short p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor: 《Chinese Physics B》2010年第4期402-407,共6页曹艳荣马晓华郝跃胡世刚; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60736033 and 60376024);the National Key Technology Research and Development Program of the Ministry of Science and Technology of China (Grant No. 2007BAK25B03); This paper studies the effect of drain bias on ultra-short p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor （PMOSFET） degradation during negative bias temperature （NBT） stress. When a relatively large g...; 关键词：negative bias temperature instability drain bias electric field localized damage

Effect of High-Gate-Voltage Stress on the Reverse Gated-Diode Current in LDD nMOSFET’s被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2008年第5期875-878,共4页陈海峰郝跃马晓华; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60376024)~~; The reverse generation current under high-gate-voltage stress condition in LDD nMOSFET＇s is studied. We find that the generation current peak decreases as the stress time increases. We ascribe this finding to the dom...; 关键词：generation current high gate voltage stress trapped electron

一种改进的片内ESD保护电路仿真设计方法被引量：3: 《电子器件》2007年第4期1159-1163,共5页朱志炜郝跃马晓华; 国家自然科学基金支持研究(60376024); 对现有的片内ESD保护电路仿真设计方法进行了改进,使之适用于深亚微米工艺.文中设计了新的激励电路以简化仿真电路模型;增加了栅氧化层击穿这一失效判据;使用能量平衡方程描述深亚微米MOSFET的非本地输运,并对碰撞离化模型进行了修正;...; 关键词：静电放电片内ESD保护电路混合模式仿真能量驰豫时间非本地输运

Models and Related Mechanisms of NBTI Degradation of 90nm pMOSFETs被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第5期665-669,共5页曹艳荣马晓华郝跃于磊朱志炜陈海峰; 国家自然科学基金(批准号:60376024);国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目~~; We investigate the negative bias temperature instability （NBTI） of 90nm pMOSFETs under various temperatures and stress gate voltages （Vg）. We also study models of the time （t） ,temperature （T） ,and stress Vg d...; 关键词：NBTI 90nm PMOSFETS model

大面积拼接光栅的远场衍射分析被引量：4: 《光子学报》2007年第4期742-745,共4页马延琴杜惊雷陈铭勇; 国家自然科学基金(60376024);教育部博士点基金资助; 针对大面积光栅制作过程易出现的拼接偏差问题,基于标量衍射理论推导拼接光栅远场衍射的光强分布,计算分析几种常见拼接误差对拼接光栅性能的影响,以确定光栅拼接过程的误差容限.研究表明:拼接光栅的远场衍射光场随纵向和横向平移误差...; 关键词：拼接光栅远场衍射拼接误差远场衍射峰值光强

Effect of Snapback Stress on Gate Oxide Integrity of nMOSFET in 90nm Technology: 《Journal of Semiconductors》2007年第3期349-354,共6页朱志炜郝跃马晓华; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60376024); By measurement,we investigate the characteristics and location of gate oxide damage induced by snapback stress. The damage incurred during stress causes device degradation that follows an approximate power law with st...; 关键词：snapback breakdown tertiary electron SILC charge to breakdown oxide trap

90nm NMOS器件TDDB击穿特性研究: 《半导体技术》2007年第3期217-219,共3页周鹏举马晓华曹艳荣郝跃; 国家自然科学基金(60376024);国家高技术研究发展计划资助项目(2003AA1Z1630); 采用恒定电压应力对90 nm NMOS器件进行了TDDB击穿的评价实验,深入研究了90nm情况下TDDB的击穿机理,并对器件寿命进行预测和分析。结果表明,随着栅厚的不断减薄,E和1/E寿命预测模型不再适用。本文提出了一个器件寿命的修正模型,并按此...; 关键词：经时击穿器件寿命 E模型 1/E模型

超薄栅下LDD nMOSFET器件GIDL应力下退化特性被引量：6: 《物理学报》2007年第3期1662-1667,共6页陈海峰郝跃马晓华唐瑜孟志琴曹艳荣周鹏举; 国家自然科学基金(批准号:60376024)资助的课题.; 对1.4nm超薄栅LDDnMOSFET器件栅致漏极泄漏GIDL(gate-induced drainleakage)应力下的阈值电压退化进行了研究.GIDL应力中热空穴注进LDD区界面处并产生界面态,这导致器件的阈值电压变大.相同栅漏电压VDG下的不同GIDL应力后阈值电压退化...; 关键词：栅致漏极泄漏 CMOS 阈值电压栅漏电压

深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2007年第2期241-245,共5页孟志琴郝跃唐瑜马晓华朱志炜李永坤; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60376024)~~; 选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并对相关机理进行了分析和仿真验证.; 关键词：X射线辐射总剂量效应关态泄漏电流

Snapback应力引起的90nm NMOSFET’s栅氧化层损伤研究被引量：4: 《物理学报》2007年第2期1075-1081,共7页朱志炜郝跃马晓华曹艳荣刘红侠; 国家自然科学基金(批准号:60376024)资助的课题~~; 实验结果发现突发击穿(snapback),偏置下雪崩热空穴注入NMOSFET栅氧化层,产生界面态,同时空穴会陷落在氧化层中.由于栅氧化层很薄,陷落的空穴会与隧穿入氧化层中的电子复合形成大量中性电子陷阱,使得栅隧穿电流不断增大.这些氧化层电子...; 关键词：突发击穿软击穿应力引起的泄漏电流热电子应力

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