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国家自然科学基金(50277016): 作品数：11被引量：62H指数：6; 导出分析报告; 相关作者：余岳辉彭昭廉胡乾杜如峰李焕炀更多>>; 相关机构：华中科技大学更多>>; 相关期刊：《微电子学》《中国电机工程学报》《Transactions of Tianjin University》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关主题：RSDRSD开关磁开关开通特性脉冲电源更多>>; 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

Thin Emitter Structure Improved Turn-on Characteristics in RSD: 《Transactions of Tianjin University》2008年第3期182-185,共4页梁琳余岳辉周郁明王璐; National Natural Science Foundation of China(No.50277016 and 50577028);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China(No.20050487044); The thin emitter structure was introduced into reversely switched dynistor（RSD） to improve its turn-on characteristics. According to the analysis of turn-on condition, thin emitter structure is capable of reducing t...; 关键词：reversely switched dynistor（RSD） thin emitter turn-on characteristics SWITCH forward voltage drop

反向开关复合管的物理模型与数值方法实现被引量：6: 《Journal of Semiconductors》2007年第6期931-937,共7页邓林峰余岳辉彭亚斌周郁明梁琳王璐; 国家自然科学基金(批准号:50277016;50577028);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050487044)资助项目~~; 从大注入半导体物理的基本理论推导得到了反向开关复合管(RSD)工作的基本物理方程.通过考虑大注入和强电场效应,建立了RSD以pnn+二极管方式工作于反向预充阶段,以pin二极管方式工作于正向导通阶段的物理模型.采用有限差分法把器件工作...; 关键词：RSD 大注入非平衡载流子

高速大功率半导体开关RSD的di/dt耐量极限值被引量：1: 《通信电源技术》2006年第5期1-2,8,共3页刘宝生余岳辉梁琳周郁明; 国家自然科学基金资助项目(50277016); 文章由等离子体双极漂移方程和临界预充电荷条件出发,得出高速大功率半导体开关RSD的di/dt耐量表达式。从外电路和器件结构本身两方面分析了RSD的di/dt耐量的影响因素,并提出了改善di/dt耐量的措施,测试结果证明了理论分析的正确性。; 关键词：脉冲功率技术 RSD 半导体开关 di/dt特性

一种宽频带大摆幅的三级CMOS功率放大器被引量：2: 《华中科技大学学报（自然科学版）》2005年第5期95-97,共3页刘三清张诗娟余岳辉陈晓飞; 国家自然科学基金资助项目(50277016).; 设计了一种用于耳机驱动的CMOS功率放大器,该放大器采用0.35μm双层多晶硅工艺实现,驱动32Ω的电阻负载.该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构,通过提高增益带宽来提高音频放大器的性能.仿真结果表明,该电路的开环直流增益为70dB,...; 关键词：CMOS 功率放大器单位增益带宽输出摆幅

基于RSD开关的脉冲放电主回路被引量：7: 《电力电子技术》2005年第2期111-114,共4页李谋涛余岳辉胡乾杜如峰; 国家自然科学基金资助项目(50277016); 运用RLC 电路脉冲产生原理设计出一种以反向导通双晶复合晶体管(Reversely Switching Dynistor,简称RSD)作为开关的脉冲放电主回路。基于RSD 开通的预充要求,引入磁开关作为主回路和触发回路的延迟隔离器。根据磁开关饱和时间τ和饱和电...; 关键词：电力半导体器件脉冲/磁开关反向导通双品复合晶体管

超高速半导体开关RSD的开通机理与大电流特性研究被引量：23: 《电工技术学报》2005年第2期36-40,62,共6页余岳辉梁琳李谋涛刘玉华刘璐; 国家自然科学基金资助项目(50277016)。; 基于反向注入控制RSD(ReverselySwitchedDynistor)的大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点,新开通机制的RSD将在脉冲功率技术中获得重要应用。本文研究了RSD的开通机理和开通条件,为器件开通特性的改进和...; 关键词：大功率开关 RSD 开通特性脉冲

半导体脉冲功率开关RSD的开通电压特性研究被引量：5: 《微电子学》2004年第2期195-197,202,共4页杜如峰余岳辉彭昭廉李焕炀胡乾; 国家自然科学基金资助项目(50277016); 　RSD(ReverselySwitchedDynistor)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构高速大功率半导体开关器件,该器件采用控制等离子体层触发的开通模式。文章从理论上推导出其最大开通电压,并研究了该电压与器件结构参数之间的关系,给出了...; 关键词：半导体脉冲功率开关 RSD 开通电压等离子体层触发晶闸管晶体管

RSD开关在脉冲电源中的应用研究被引量：29: 《中国电机工程学报》2003年第11期23-28,共6页李焕炀余岳辉胡乾彭昭廉杜如峰黄秋芝; 国家自然科学基金(50277016)~~; 该文提出应用RSD(Reversely Switched Dynistor)设计脉冲功率电源的方法,并在应用RSD设计脉冲电源过程中对两种关键元件磁开关和脉冲变压器进行了重点设计,确定回路参数配合原则。在3种典型触发方式的RSD脉冲电源基础上,提出了RSD端电...; 关键词：脉冲电源 RSD开关磁开关磁性元件脉冲变压器

RSD开关的谐振式触发电路设计与研究被引量：10: 《电力电子技术》2003年第6期33-36,共4页李焕炀余岳辉彭昭廉; 国家自然科学基金资助项目(50277016); 运用谐振电路原理,设计出一种用于脉冲变压器高电压、大电流脉冲开关RSD(ReverselySwitchedDynis tor)的触发电路。重点设计了控制触发的脉冲变压器;分析并讨论了触发电路的输出波形。经实验验证了该方案的正确性和选择元件参数的合理性。; 关键词：半导体开关触发电路谐振参数设计

预充电荷对RSD开通特性的影响被引量：12: 《电力电子技术》2003年第5期84-86,89,共4页杜如峰余岳辉胡乾彭昭廉; 国家自然科学基金(50277016); RSD(ReverselySwitchedDynistors)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构半导体开关器件,采用控制等离子体层触发的开通模式。从理论上分析了预充电荷对RSD开通特性的影响,给出了RSD的开通条件,实验结果与理论分析相符。最后,提出...; 关键词：半导体器件预充电荷开通特性

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