河北省自然科学基金(500016)

作品数：9被引量：8H指数：2
导出分析报告
相关作者：张维连孙军生牛新环张恩怀吕海涛更多>>
相关机构：河北工业大学更多>>
相关期刊：《Chinese Journal of Structural Chemistry》《河北工业大学学报》《人工晶体学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
相关主题：掺锗CZSI锗直拉法SINGLE_CRYSTAL更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-9
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Thermoelectric Properties of Czochralski GeSi Crystal
《Chinese Journal of Structural Chemistry》2007年第10期1247-1251,共5页索开南 张维连 林健 赵嘉鹏 周子鹏 
the Natural Science Foundation of Hebei Province (No. 500016)
In order to discuss the application possibility of SiGe crystal in thermoelectric materials, we investigated the thermoelectric properties of several silicon-germanium alloys with different content, orientation and el...
关键词：SiGe alloy single crystal thermoelectric properties Seebeck coefficient 
CZSiGe单晶的FTIR光谱研究
《功能材料与器件学报》2005年第1期23-27,共5页蒋中伟 张维连 牛新环 张书玉 
国家自然科学基金(No.59772037);河北省自然科学基金(No.500016)资助项目
利用傅立叶红外光谱(FTIR)测试技术,研究了掺锗CZSi的低温和常温红外吸收光谱。发现高浓度Ge掺入CZSi在红外吸收光谱中引起的波数为1118cm-1、710cm-1和800cm-1的新红外吸收峰,这些峰的吸收强度随Ge含量的增加也逐渐增强;碳的红外吸收峰...
关键词：CZ法 SiGe单晶 红外光谱 
掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性被引量：1
《人工晶体学报》2004年第5期792-796,共5页张维连 牛新环 吕海涛 张恩怀 孙军生 
河北省自然科学基金(No.500016)国家自然科学基金(No.59772037)资助项目
用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1％(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同。但随着掺入晶体中锗浓度的增加,红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰。锗浓度越高...
关键词：半导体材料 硅锗体单晶 红外光谱特性 FTIR谱图 
掺锗直拉硅体单晶的生长被引量：1
《固体电子学研究与进展》2004年第2期253-257,共5页张维连 赵红生 陈洪建 孙军生 张恩怀 
国家自然科学基金资助项目 ( 5 9772 0 3 7) ;河北省自然科学基金资助项目 ( 5 0 0 0 16)
为了控制锗在硅中的分凝和分布的均匀性 ,抑制熔体中因重力场引起的无规律热对流和质量对流 ,文中设计制造了一种新型的环型永磁场直拉炉 ( PMCZ法 ) ,生长了掺锗量 0 .1～ 5 .0 % ( Ge∶Si重量比 )、 65 mm和 5 2 mm的硅锗体单晶 ,拉...
关键词：锗硅单晶 永磁场 直拉法 对流 
掺锗CZ硅单晶中锗分布形式的研究
《河北工业大学学报》2004年第1期1-5,共5页牛新环 张维连 吕海涛 蒋中伟 
国家自然科学基金资助项目 (59772037);河北省自然科学基金资助项目 (500016)
利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高.根据测定的浓度计算出了该工艺条件下硅锗体单晶中锗的有效分凝系数为Ke ≈ 0.60～0.65.
关键词：直拉法 硅锗单晶 杂质分布 分凝系数 晶体生长 
掺锗CZSi禁带宽度的变化被引量：1
《功能材料》2004年第z1期3360-3363,共4页牛新环 张维连 吕海涛 蒋中伟 王雅欣 
国家自然科学基金资助项目(59772037) ;河北省自然科学基金资助项目(500016)
采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000～2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了...
关键词：直拉法 晶体生长 SiGe体单晶 禁带宽度 
Bulk single crystal growth of SiGe by PMCZ method被引量：3
《Rare Metals》2003年第3期197-201,共5页ZHANG Weilian, NIU Xinhuan, CHEN Hongjian, ZHANG Jianxin, SUN Junsheng, and ZHANG EnhuaiSemiconductor Material Institute, Hebei University of Technology, Tian jin 300130, China 
This work is financially supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 59772037);the Natural Science Foundation of Hebei Province (No. 500016)
A new type of magnetic device was used to replace the conventionalelectro-magnetic field for CZSi (doped with Ge) growth. The device was composed of three permanentmagnetic rings and called PMCZ device. The lines of m...
关键词：SiGe single crystal composition homogeneous PMCZ thermal convection crystal growth 
掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀被引量：2
《Journal of Semiconductors》2002年第10期1073-1077,共5页张维连 李嘉席 陈洪建 孙军生 张建新 张恩怀 赵红生 
河北省自然科学基金 (批准号 :5 0 0 0 16 );国家自然科学基金 (批准号 :5 9772 0 37)资助项目~~
利用锗硅单晶 (锗浓度约为 10 19cm-3 )切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺 ,生长了直径为 6 0、5 0和 40mm ,掺锗量为 0 1%和 0 5 % (锗硅重量比 )的锗硅单晶 .利用化学腐蚀 ...
关键词：掺锗直拉硅 氧沉淀 分凝 晶体缺陷 CZ法 
锗杂质对直拉单晶硅热施主和机械强度的影响被引量：1
《河北工业大学学报》2001年第2期12-14,共3页张维连 孙军生 檀柏梅 李嘉席 
河北省自然科学基金资助项目!(500016)
利用四探针测试和三点弯曲法研究了掺入等价元素Ge的CZSi 450℃退火时晶体电学参数稳定性和硅片机械强度．发现Ge能抑制CZSi中氧施主的形成，降低热施主的形成速率和最大浓度，改善硅材料的内在质量，提高硅片的机械强度，以杂质量级掺...
关键词：热施主 热退火 机械强度 杂质氧 直拉单晶硅 锗 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部