广西壮族自治区自然科学基金(2010GXNSFB013054)

作品数：9被引量：7H指数：2
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一种基于电荷泵的衬底电位选择器设计
《桂林电子科技大学学报》2013年第4期272-274,共3页陈阳光 张扬 李琦 
广西自然科学基金(2010GXNSFB013054)
为避免电荷泵中PMOS开关管的衬底发生闩锁现象,设计了一款高效低功耗的衬底电位选择器。选择器由偏置电路、比较电路、输出级3部分组成,电荷泵输出电压不仅作为独立偏置电路的电源,而且作为源端输入带迟滞功能的电压比较器的输入信号。...
关键词：衬底电位选择器 滞回区间 低功耗 电荷泵 
一种高效大功率LED驱动器的设计被引量：3
《桂林电子科技大学学报》2013年第1期14-18,共5页张冠群 李琦 
广西自然科学基金(2010GXNSFB013054)
为提高大功率LED驱动器的转换效率及其稳定性,针对车载大功率照明的要求,设计了一种宽输入电压范围、高效大功率LED驱动器。驱动器采用高效率的改进BOOST型拓扑结构作为主电路,峰值电流PWM控制模式作为其控制部分,输入电压范围可达6～1...
关键词：LED驱动器 开关电源 多路输出基准源 
基于衬底偏压电场调制的高压器件新结构及耐压模型
《北京理工大学学报》2012年第12期1279-1282,1287,共5页李琦 唐宁 王卫东 李海鸥 
广西自然科学基金资助项目(2010GXNSFB013054);广西省重大科技攻关工程资助项目(11107001-20)
提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构,称为SB LDMOS.通过在高阻P型衬底背面注入N^+薄层,衬底反偏电压的电场调制作用重新分配体内电场,纵向漏端电压由源端和漏端下两个衬底PN结分担,器件的击穿特性显著改善.求...
关键词：衬底偏压 电场调制 击穿电压 耐压模型 
一种用电流基准核作温度互补性补偿的基准电压源
《桂林电子科技大学学报》2012年第5期364-368,共5页欧龙振 李琦 刘云 
广西自然科学基金(2010GXNSFB013054)
为克服传统带隙基准源在温度性能上的缺陷,设计了一种低温度系数的带隙基准电路。该电路在传统电流模基准结构的基础上,引入一个工作在亚阈值区电流基准核产生的电流来达到高阶补偿的目的。在一阶补偿的基础上,补偿电流的进一步补偿,大...
关键词：电流模基准源 亚阈值区 电流基准源 电流基准核 温度补偿 
薄型双漂移区高压器件新结构的耐压分析
《微电子学与计算机》2012年第2期129-132,137,共5页李琦 王卫东 赵秋明 晋良念 
广西自然科学基金(2010GXNSFB013054);广西千亿元产业重大科技攻关工程项目(桂科攻11107001-20)
提出与CMOS工艺兼容的薄型双漂移区(TD)高压器件新结构.通过表面注入掺杂浓度较高的N-薄层,形成不同电阻率的双漂移区结构,改变漂移区电流线分布,降低导通电阻;沟道区下方采用P离子注入埋层来减小沟道区等位线曲率,在表面引入新的电场峰...
关键词：薄型双漂移区 调制 击穿电压 导通电阻 
A novel high-voltage device structure with an N^+ ring in substrate and the breakdown voltage model
《Journal of Semiconductors》2011年第12期76-79,共4页李琦 朱金鸾 王卫东 岳宏卫 晋良念 
Project supported by the Guangxi Natural Science Foundation,China(No.2010GXNSFB013054);the Guangxi Key Science and Technology Program,China(No.1 1107001-20).
A novel high-voltage device structure with a floating heavily doped N＋ ring embedded in the substrate is reported, which is called FR LDMOS. When the N＋ ring is introduced in the device substrate, the electric field...
关键词：floating ring model breakdown voltage MODULATION 
埋层低掺杂漏SOI高压器件的击穿电压被引量：1
《微纳电子技术》2011年第9期553-557,共5页李琦 王卫东 张杨 赵秋明 
广西自然科学基金资助项目(2010GXNSFB013054);广西千亿元产业重大科技攻关工程项目(桂科攻11107001-20)
提出一种具有埋层低掺杂漏(BLD)SOI高压器件新结构。其机理是埋层附加电场调制耐压层电场,使漂移区电荷共享效应增强,降低沟道边缘电场,在漂移区中部产生新的电场峰。埋层电中性作用增加漂移区优化掺杂浓度,导通电阻降低;低掺杂漏区在...
关键词：埋层 低掺杂漏 击穿电压 调制 导通电阻 掺杂浓度 
表面注入D-RESURF器件耐压模型被引量：1
《半导体技术》2011年第5期348-351,共4页李琦 王卫东 张杨 张法碧 
广西自然科学基金(2010GXNSFB013054);广西千亿元产业重大科技攻关工程项目(1114001-10F);桂林电子科技大学博士科研启动基金(UF08021Y)
建立表面注入双重降低表面电场(D-RESURF)结构击穿电压模型。D-RESURF器件在衬底纵向电场和Pb区附加电场的影响下,漂移区电荷共享效应增强,优化漂移区掺杂浓度增大,器件导通电阻降低。分析漂移区浓度和厚度对击穿电压的影响,获得改善击...
关键词：表面注入 双重降低表面电场 模型 击穿电压 导通电阻 
具有浮空埋层的高压器件新结构和击穿电压模型被引量：3
《固体电子学研究与进展》2011年第1期35-39,共5页李琦 张扬 段吉海 
广西自然科学基金资助项目(2010GXNSFB013054);桂林电子科技大学国家自然科学基金资助项目(60961002)
提出具有浮空埋层的变掺杂高压器件新结构(BVLD:Variation in lateral doping with floating buriedlayer),建立其击穿电压模型。线性变掺杂漂移区的电场耦合作用使表面电场达到近似理想的均匀分布,n+浮空等电位层与衬底形成新平行平面...
关键词：变掺杂 浮空埋层 调制 模型 
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