云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 高功率半导体激光国家重点实验室基金

高功率半导体激光国家重点实验室基金: 作品数：47被引量：131H指数：5; 导出分析报告; 相关作者：王晓华魏志鹏方铉方芳李金华更多>>; 相关机构：长春理工大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所南昌大学中国科学院更多>>; 相关期刊：《功能材料》《太阳能学报》《高等学校化学学报》《半导体光电》更多>>; 相关主题：半导体激光器ALD量子点光致发光ZNS更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

低温808 nm高效率半导体激光器被引量：3: 《发光学报》2022年第5期786-795,共10页吴顺华刘国军王贞福李特; 国家自然科学基金(61504167);陕西省自然科学基金(2019ZY-CXPT-03-05,2018JM6010,2015JQ6263);陕西省科技厅人才项目(2017KJXX-72);长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室基金资助项目。; 为了提高低温工作环境下808 nm半导体激光器的输出特性,深入研究了电光转换效率的温度特性。结合载流子泄漏抑制和器件串联电阻的优化考虑,从理论上深入分析了有源区量子阱内的载流子限制现象,提出针对低温工作环境下的势垒高度及相应...; 关键词：半导体激光器载流子泄漏低温高效率温度效应

PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）被引量：2: 《红外与激光工程》2016年第4期212-215,共4页陈芳方铉王双鹏牛守柱方芳房丹唐吉龙王晓华刘国军魏志鹏; 国家自然科学基金(61076039,61204065,61205193,61307045);高等学校博士学科点专项科研基金(20112216120005);吉林省科技发展计划(20121816,201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C031115); 研究通过等离子增强原子层沉积（PEALD）在不同沉积温度下生长的A1N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA，在300oC、350oC和370oC沉积温度下分别沉积了200、500、800、1000、1500周期的A1N层，并讨论了A1N薄膜的生长速率、结晶化和表...; 关键词：氮化铝等离子增强原子层沉积生长速率结晶化表面粗糙度沉积温度

光谱稳定的低功耗980nm单模泵浦源半导体激光器被引量：5: 《发光学报》2016年第1期33-37,共5页李辉都继瑶曲轶张晶李再金刘国军; 国家自然科学基金(U1330136);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310205130C31004);长春市科技计划(13KG30)资助项目; 由于在很多特殊应用领域要求980 nm泵浦源半导体激光器具有光谱稳定、低功耗等,本文通过对980nm单模半导体激光器的腔长、腔面反射率及光纤光栅反射率等优化设计,研制出低阈值、高功率980 nm光纤光栅外腔波长稳定半导体激光器。该低功...; 关键词：半导体激光器光纤布拉格光栅外腔结构波长稳定低功耗

碳量子点的合成、性质及其应用被引量：26: 《功能材料》2015年第9期9012-9018,9023,共8页李婷唐吉龙方芳房丹方铉楚学影李金华王菲王晓华魏志鹏; 国家自然科学基金资助项目(61076039;61204065;61205193;61307045);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20112216120005);吉林省科技发展计划资助项目(20121816;201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金资助项目(9140C310101120C031115); 碳量子点(CQDs,C-dots or CDs)是一种新型的碳纳米材料,尺寸在10nm以下,具有良好的水溶性、化学惰性、低毒性、易于功能化和抗光漂白性、光稳定性等优异性能,是碳纳米家族中的一颗闪亮的明星。自从2006年[1]报道了碳量子点(CQDs)明亮多...; 关键词：碳量子点光致发光生物成像光催化

ZnO/ZnFe_2O_4复合纳米粒子的制备及其特性研究被引量：3: 《红外与激光工程》2015年第7期2110-2115,共6页高娴贾慧民方铉刘鹤唐吉龙房丹王双鹏赵海峰李金华方芳楚学影王菲王晓华徐莉马晓辉魏志鹏; 国家自然科学基金(61076039;61204065;61205193;61307045);高等学校博士学科点专项科研基金(20112216120005);吉林省科技发展计划(20121816;201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C031115); 利用水热法制备了ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光光谱(PL)对退火前后的ZnO/ZnFe2O4纳米粒子进行表征。研究结果表明,退火后的ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子表现出更好的形貌和晶体质量,主要由六...; 关键词：ZNO ZNFE2O4 纳米复合结构光催化特性

扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究被引量：1: 《光谱学与光谱分析》2015年第7期1787-1790,共4页陈芳房丹王双鹏方铉唐吉龙赵海峰方芳楚学影李金华王菲王晓华刘国军马晓辉魏志鹏; 国家自然科学基金项目(61076039,61204065,61205193,61307045,61404009,61474010);高等学校博士学科点专项科研基金项目(20112216120005);吉林省科技发展计划项目(20121816,201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金项目(9140C310104110C3101,9140C310102130C31107,9140C3101024C310004,9140C310101120C031115)资助; 采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响...; 关键词：扩散掺杂 P型ZNO P掺杂原子层沉积光致发光

1.3μm InGaAsSb/GaAsSb量子阱激光器有源区结构设计被引量：3: 《激光与红外》2015年第5期505-508,共4页何斌太刘国军魏志鹏刘超安宁刘鹏程王旭; 国家自然科学基金资助项目(No.61006039;No.61370043);吉林省科技发展计划(No.20121816;No.201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金(No.9140C310101120C031115)资助课题; 为了研制满足光纤通讯需求的高性能半导体激光器,对压应变In Ga As Sb/Ga As Sb量子阱激光器有源区进行了研究。根据应变量子阱能带理论、固体模型理论和克龙尼克-潘纳模型,确定了激射波长与量子阱材料组分及阱宽的关系。基于Lastip软...; 关键词：半导体激光器 InGaAsSb/GaAsSb 量子阱有源区

1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱垂直腔面发射激光器的仿真研究: 《长春理工大学学报（自然科学版）》2014年第6期1-4,共4页何斌太刘国军魏志鹏安宁刘鹏程刘超王旭; 国家自然科学基金资助项目(61006039;61370043);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C031115); 设计了用于提高1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱激光器光反馈的分布布拉格反射镜。基于PICS3D软件建立了单量子阱垂直腔面发射激光器仿真模型,并对有源区量子阱的材料组分和阱宽进行了优化分析。结果表明,量子阱组分为GaAs0.64Sb0.36/GaAs...; 关键词：GaAsSb/GaAs 量子阱垂直腔面发射激光器阈值电流斜率效率

InGaAsSb四元合金材料禁带宽度的计算方法被引量：2: 《物理学报》2014年第24期346-351,共6页刘超魏志鹏安宁何斌太刘鹏程刘国军; 国家自然科学基金(批准号:61076039;61204065;61205193;61307045);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20112216120005);吉林省科技发展计划(批准号:20121816;201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金(批准号:9140C310101120C031115)资助的课题~~; 讨论了计算In Ga As Sb四元合金材料禁带宽度常用的Glisson方法和Moon方法,比较了它们的计算结果.将两者化成相同形式下的等价公式后发现,二者都只考虑了Γ点带隙弯曲因子对禁带宽度的影响.通过考虑自旋轨道分裂带对价带的影响,提出一...; 关键词：INGAASSB 禁带宽度弯曲因子

扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展被引量：1: 《材料导报》2014年第23期28-33,共6页陈芳魏志鹏刘国军唐吉龙房丹方铉高娴赵海峰王双鹏; 国家自然科学基金(61076039;61204065;61205193;61307045);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C-031115); 半导体材料及其光电器件如激光器、探测器以及高速微波器件有着广阔的应用前景。半导体材料的结构和缺陷特性对器件性能起着至关重要的影响,然而对材料进行纳米尺度下的检测、表征无论是理论上还是技术和设备上都需要深入研究和发展,因...; 关键词：扫描近场光学显微技术半导体材料超高空间高分辨率

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