江苏省自然科学基金(BK2008287)

作品数：6被引量：6H指数：1
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相关机构：东南大学安徽大学更多>>
相关期刊：《东南大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》《中国工程科学》《微电子学》更多>>
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相关领域：电子电信更多>>
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SOI-LDMOS器件改善电安全工作区后驼峰现象的研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第3期262-268,共7页霍昌隆 刘斯扬 钱钦松 孙伟锋 
江苏省自然科学基金支持项目(BK2008287)
研究了高压SOI-LDMOS器件在引入P-sink结构改善电安全工作区(E-SOA)后I-V特性曲线呈现的驼峰现象(hump)。首先将驼峰现象出现后器件的源端总电流分成电子电流与空穴电流单独分析,确定高栅压下电子电流阶梯上升是驼峰现象产生的表面原因...
关键词：电安全工作区 驼峰现象 Kirk效应 电导调制 
高栅压低漏压条件下FG-pLEDMOS的热载流子退化机理被引量：1
《东南大学学报（自然科学版）》2012年第1期25-28,共4页万维俊 刘斯扬 孙虎 孙伟锋 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2008287);江苏省青蓝工程资助项目
针对FG-pLEDMOS施加高栅压低漏压的热载流子应力会使器件线性区漏电流发生退化,而阈值电压基本保持不变,使用TCAD软件仿真以及电荷泵测试技术对其进行了详细的分析.结果表明:沟道区的热空穴注入到栅氧化层,热空穴并没有被栅氧化层俘获,...
关键词：FG-pLEDMOS 热载流子 电荷泵 p型缓冲区 
单个浮置场限环终端结构击穿电压模型被引量：1
《微电子学》2009年第6期848-851,856,共5页孙伟锋 王佳宁 易扬波 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2008287);东南大学国家自然科学基金预研支持项目(XJ2008312)
基于B.J.Baliga的击穿电压理论,通过求解双边突变圆柱结的泊松方程,提出了单个浮置场限环终端结构的击穿电压解析模型。该模型计算结果与模拟结果的误差在±7%之内,具有精度高、应用范围广等特点,可以帮助设计者初步确定浮置场限环注入...
关键词：浮置场限环 击穿电压模型 终端结构 
200V高压SOI PLDMOS研究被引量：1
《电子器件》2009年第5期880-883,共4页宋慧滨 李维聪 钱钦松 
江苏省自然科学基金资助(BK2008287)
提出了一种200V高压SOI PLDMOS器件结构,重点研究了SOI LDMOS的击穿电压、导通电阻等电参数与漂移区注入剂量、漏端缓冲层、Nbody注入剂量及场极板长度等之间的关系。经过专业半导体仿真软件TSUPREM-4和MEDICI模拟仿真,在0.8μm埋氧层...
关键词：击穿电压 导通电阻 SOI PLDMOS 
基于电荷泵法的N-LDMOS界面态测试技术研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2009年第4期597-601,605,共6页刘斯扬 钱钦松 孙伟锋 李海松 时龙兴 
江苏省自然科学基金支持项目(项目编号:BK2008287)
详细研究了高压N-LDMOS器件的电荷泵(CP)测试技术,指出了高压N-LDMOS器件的特殊结构对其CP测试结果的影响,并解释了高压N-LDMOS器件的CP曲线不饱和的原因,同时对由于不同的源漏偏压造成的高压N-LDMOS器件CP曲线的变化进行了深入的理论...
关键词：N型横向双扩散金属氧化物晶体管 电荷泵测试 热载流子 
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