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国家自然科学基金(61204080): 作品数：13被引量：22H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：冯松高勇薛斌宋立勋李连碧更多>>; 相关机构：西安工程大学西安理工大学更多>>; 相关期刊：《物理学报》《光学学报》《沈阳大学学报（自然科学版）》《现代电子技术》更多>>; 相关主题：电光调制器光子器件硅基SIGE光电子器件更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

硅基垂直光栅耦合器的研究进展: 《沈阳大学学报（自然科学版）》2023年第4期309-318,共10页刘勇冯松王迪陈梦林胡祥建冯露露; 国家重点研发计划项目(2018YFB2200500);国家自然科学基金资助项目(61204080);国家重点实验室基金资助项目(SKL201804);陕西省重点研发计划项目(2022GY-012);西安市科技计划项目(2020KJRC0026)。; 对国内外硅基垂直光栅耦合器的研究进展进行了总结,讨论了均匀光栅耦合器和非均匀光栅耦合器的研究现状,并对相关耦合器的性能参数做了对比和分析,为未来继续研发更高耦合效率、更大耦合带宽的垂直光栅耦合器提供思路与参考。; 关键词：光子器件光波导硅基光栅耦合器垂直耦合

SiGe/Si异质结PIN顶注入电光调制器的数值分析: 《西安工业大学学报》2022年第4期408-413,共6页冯露露冯松胡祥建王迪陈梦林; 国家重点研发计划项目(2018YFB2200500);国家自然科学基金项目(61204080);国家重点实验室基金项目(SKL201804);陕西省重点研发计划项目(2022GY-012,2020KW-011);西安市科技计划项目(2020KJRC0026)。; 针对电光调制器的调制效率低造成调制器的驱动电压较高的问题。文中基于等离子色散效应理论,利用计算机辅助设计模拟方法,设计了一种SiGe/Si异质结PIN顶注入硅基电光调制器,分析了不同结构尺寸、掺杂浓度下折射率变化、吸收系数变化和...; 关键词：电光调制器硅基调制器等离子体色散效应 SIGE/SI异质结

硅基光子调制器研究进展被引量：4: 《集成技术》2022年第2期89-106,共18页胡祥建冯松冯露露王迪刘勇陈梦林丁斌斌韩超韩小祥; 国家重点研发计划项目(2018YFB2200500);国家自然科学基金项目(61204080);国家重点实验室基金项目(SKL201804);陕西省重点研发计划项目(2022GY-012,2020KW-011);西安市科技计划项目(2020KJRC0026)~~。; 光子调制器是光纤通信系统的核心器件,主要对光信号进行调制,实现信号从电域到光域的转换。随着硅基半导体工艺的发展,硅基光子调制器逐渐成为了主流硅光子器件,基于硅工艺技术的千兆赫兹带宽调制器的实现,也为硅光子学的发展奠定了基...; 关键词：光子器件调制器硅基研究进展

基于目标分析技术的人力资源智能管理系统设计被引量：8: 《现代电子技术》2020年第10期76-78,共3页王丹莉; 国家自然科学基金项目(61204080)。; 针对传统的人力资源智能管理系统压力负载能力较差的问题,设计基于目标分析技术的人力资源智能管理系统。利用工业液晶屏和驱动模块设计人机交互界面,通过人机交互界面实现用户与系统的交流,计算人力资源管理系统中各模块的特征权重,根...; 关键词：人力资源管理智能管理目标分析人机交互特征权重计算程序编码

SiGe-OI微环谐振器的滤波特性分析被引量：3: 《西安理工大学学报》2016年第4期443-448,共6页冯松高勇; 国家自然科学基金资助项目(61204080);陕西省教育厅科研计划资助项目(15JK1292);西安工程大学博士科研启动基金资助项目(BS1128;BS1436);西安工程大学研究生教育"质量工程"资助项目(15yzl10);陕西省普通高校重点学科建设专项资金建设项目((2008)169); SiGe-OI微环谐振器是一种新型半导体材料的谐振器。本文根据传输矩阵法得到微环谐振器的传递函数,研究了上下载滤波器和上、下载端口的性能,分析了SiGe-OI微环谐振器的滤波特性,以及耦合特性对滤波特性的影响。通过模拟软件建立SiGe-OI...; 关键词：绝缘层上锗硅微环谐振器滤波特性耦合系数

波状PIN电光调制结构被引量：2: 《光学学报》2016年第10期236-243,共8页冯松薛斌李连碧宋立勋翟学军朱长军; 国家自然科学基金(61204080);陕西省教育厅科研计划项目(15JK1292);西安工程大学研究生教育"质量工程"项目(15yzl10);陕西省普通高校重点学科建设专项资金建设项目((2008)169); PIN是电光调制器中常见的一种调制结构,该结构工作时产生的热光效应直接影响着电光调制器的性能。为了缓解这种热光效应对调制器的影响,从PIN调制原理出发,在绝缘体上硅薄膜(SOI)材料的基础上提出了一种波状PIN调制结构,并将该结构与普...; 关键词：物理光学光电子器件电光调制器波状热光效应

一种新型Si/SiGe/Si双异质结PIN电学调制结构的异质结能带分析被引量：4: 《物理学报》2016年第5期90-97,共8页冯松薛斌李连碧翟学军宋立勋朱长军; 国家自然科学基金(批准号:61204080);陕西省教育厅科研计划(批准号:15JK1292);西安工程大学博士科研启动基金(批准号:BS1128;BS1436);西安工程大学研究生教育"质量工程"项目(批准号:15yzl10);陕西省普通高校重点学科建设专项资金建设项目(批准号:(2008)169)资助的课题~~; PIN结构是电光调制器中常见的一种电学调制结构,该结构中载流子注入效率直接影响着电光调制器的性能.在前期的研究中,我们在SOI材料的基础上提出了一种新型Si/Si Ge/Si双异质结PIN电学调制结构,可以有效提高载流子注入效率,降低调制功耗...; 关键词：光电子器件电光调制器锗硅异质结能带

《集成电路EDA》课程教学方式的改革与实践: 《时代教育》2015年第23期48-48,共1页冯松宋立勋李连碧薛斌; 2014年陕西省高等教育教学改革研究项目课题《微电子科学与工程专业实践性课程建设》(课题编号:13BY58,主持人:高勇);2015年西安工程大学研究生教育“质量工程”项目课题《集成电路EDA课程教学方法研究和实践》(课题编号:15yzl10,主持人:冯松);2013年国家自然科学基金项目课题《锗硅/硅异质结电光调制器的研究》(课题编号:61204080,主持人:冯松);2015年陕西省教育厅科研计划项目课题《基于纳米电光调制器的Si/SiGe/Si双异质结电学调制结构研究》(课题编号:15JK1292,主持人:冯松); 集成电路EDA是超大规模集成电路的一门核心技术,传统的教学方式已经不能满足学生对认知的需求,如何改进课程教学方式,引导学生掌握这门课程是一个值得研究的问题。本文从《集成电路EDA》课程在教学过程中存在的问题出发,结合多年来众多...; 关键词：集成电路EDA 教学方式改革实践

微纳米SiGe-SOI弯曲波导的设计被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2015年第1期71-75,共5页冯松高勇薛斌; 国家自然科学基金资助项目(61204080);陕西省教育厅科研计划项目(2013JK1111);西安工程大学博士科研启动基金资助项目(BS1128);陕西省普通高校重点学科建设专项资金建设项目((2008)169); 在绝缘体上硅(Silicon-on-insulator,SOI)材料的基础上,建立了SiGe-SOI微纳米尺寸的光波导结构模型,选取了损耗较小的S型SiGe-SOI弯曲光波导进行设计,并对其直波导和弯曲波导的模场进行了分析。设计中采用保角变换和三维全矢量BPM算法...; 关键词：光子器件弯曲光波导微纳米锗硅绝缘体上硅弯曲损耗

Analysis of coupling between nanotaper SiGe-SOI waveguide and fiber: 《Journal of Semiconductors》2014年第7期78-83,共6页冯松高勇; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61204080);the Natural Science Foundation of Shaanxi Province(No.2012JM1011);the Shaanxi Provincial Education Department(No.2013JK1111);the Doctoral Program Foundation of Xi’an Polytechnic University of China(No.BS1128);the Shaanxi Province Ordinary University Key Disciplines Construction Projects of Special Funds(No.(2008)169); Based on a submicrometer-sized SiGe-SOI waveguide, the coupling loss mechanism is analyzed between the submicrometer-sized SiGe-SOI waveguide and the fiber. The main sources of coupling loss are analyzed, and the mism...; 关键词：optical devices nanotaper SiGe-SOI waveguide mode field coupling loss

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