国家自然科学基金(60306004)

作品数：15被引量：49H指数：4
导出分析报告
相关作者：钟景昌赵英杰郝永芹李林姜晓光更多>>
相关机构：长春理工大学沈阳化工学院中国科学院吉林大学更多>>
相关期刊：《半导体光电》《长春理工大学学报（自然科学版）》《系统仿真学报》《半导体技术》更多>>
相关主题：垂直腔面发射激光器氧化速率激光技术半导体激光器VCSEL更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
垂直腔面发射激光器的湿法氧化速率规律被引量：4
《中国激光》2009年第4期790-793,共4页侯立峰 钟景昌 赵英杰 郝永芹 冯源 谢浩锐 姜晓光 
国家自然科学基金(60306004)资助项目
为实现垂直腔面发射激光器(VCSEL)氧化孔径的精确控制,对垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的氧化速率规律进行了实验研究。在不同的温度下对垂直腔面发射激光器样品进行湿法氧化,氧化后采用扫描电镜(SEM)对氧化层不同氧化深度处生成物组...
关键词：激光技术 垂直腔面发射激光器 湿法氧化 扫描电镜微区分析 氧化速率 
840nm VCSEL阵列湿法氧化研究
《半导体技术》2008年第6期473-476,共4页侯立峰 钟景昌 赵英杰 郝永芹 冯源 谢浩锐 姜晓光 
国家自然科学基金资助项目(60306004)
湿法氧化工艺已经成为制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其阵列的关键技术,为提高器件的散热性能,对单元器件采用环行分布孔的氧化窗口,优化设计了分布孔的数目与间距,同时从瞬态热传导方程对构成激光器阵列单元器件的热相互作用进行了...
关键词：垂直腔面发射激光器 阵列 湿法氧化 热相互作用 
垂直腔面发射激光器中选择性氧化工艺稳定性研究被引量：13
《中国激光》2007年第8期1055-1058,共4页马建立 郝永芹 钟景昌 赵英杰 李海军 乔忠良 冯源 
国家自然科学基金(60306004)资助项目
选择性氧化工艺已经成为制备高性能垂直腔面发射激光器(VCSEL)的关键技术,氧化后形成的氧化层提供了良好的电限制和折射率导引,但选择性氧化速率是呈线性规律还是抛物线规律仍存在很大的争议.在多种温度条件下,做了环形沟槽和环形分布...
关键词：激光技术 垂直腔面发射激光器 选择性氧化 氧化速率 环形分布孔结构 
半导体激光器温度特性自动测试装置被引量：1
《长春理工大学学报（自然科学版）》2007年第1期15-17,共3页马建立 钟景昌 郝永芹 赵英杰 乔忠良 李海军 
国家自然科学基金(60306004)
温度是影响半导体激光器特性的重要因素,对半导体激光器温度特性测试有重要的意义。本装置抛开传统的恒温测量方法,采用自动改变温度,并在不同温度下记录激光器的特性参数的方法测试半导体激光器的温度特性。在实验中得到良好的效果,给...
关键词：半导体激光器 温度特性 自动测试 
垂直腔面发射激光器制作新工艺被引量：10
《中国激光》2006年第4期443-446,共4页郝永芹 刘文莉 钟景昌 张永明 冯源 赵英杰 
国家自然科学基金(60306004)资助项目
采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器（VCSEL），即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥，为电注入提供了天然的桥状通道，解决了电极过沟断线问题。这种新结构器件的输出功率...
关键词：激光技术 垂直腔面发射激光器 开环分布孔 氧化物限制技术 量子阱 半导体激光器 
GaSb薄膜生长的RHEED研究被引量：3
《人工晶体学报》2006年第1期139-142,共4页李林 王勇 刘国军 李梅 王晓华 
国家自然科学基金资助项目(No.60306004);高功率半导体激光国家重点实验室基金资助项目(No.ZS3603)
采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生...
关键词：GaSb薄膜 反射式高能电子衍射仪 分子束外延 低温缓冲层 表面结构 
渐变型DBR的数值模拟以及SPS型DBR的设计
《系统仿真学报》2005年第9期2231-2232,2250,共3页苏伟 钟钢 
国家自然科学基金青年基金(60306004)
利用特征矩阵法分析推导了分布布拉格反射镜(DistributedBraggReflector,DBR)的反射率公式,在此基础上对渐变折射率型DBR进行了数值模拟,并与实验结果进行了比较,提出了腔膜由于受到有源区折射率变化的影响而偏移的结论,并用数值模拟加...
关键词：分布布拉格反射镜(DBR) 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 数值模拟 短周期超晶格(SPSs) 
选择氧化工艺在垂直腔面发射激光器中的应用
《长春理工大学学报（自然科学版）》2005年第4期13-15,共3页谢浩锐 钟景昌 赵英杰 郝永芹 姜晓光 冯源 张和保 魏东 
国家自然科学基金(60306004);武器装备预研支撑项目
讨论和研究了氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面对A l0.98Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响。综合考虑各因素,得到最佳氧化条件:氧化温度为420℃,氧化载气的气体流量1.6L/m in,此时的氧化速率为0.58μm/m in。
关键词：垂直腔面发射激光器 布拉格反射镜 选择氧化 氧化物限制 氧化速率 
RHEED振荡精确测量AlGaAs生长速率研究
《光电子技术与信息》2005年第2期50-52,共3页李林 钟景昌 张宝顺 王勇 卢鹏 王晓华 刘国军 
国家自然科学基金(60306004)资助
采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具。通过RHEED可讨论GaAs表面结构和生长机制,并可以估算衬底温度,更重要的是能计算出材料的生长速率。RHEED强...
关键词：反射式高能电子衍射仪 分子束外延 半导体材料 
垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究
《半导体光电》2005年第2期124-127,共4页谢浩锐 钟景昌 赵英杰 王晓华 郝永芹 刘春玲 姜晓光 
国家自然科学基金资助项目(60306004);武器装备预研支撑项目.
在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中常用氧化物限制结构来对其进行电流和光场的限制。分别从氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面讨论研究了它们对Al0.98 Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响。最后得到最佳氧化条件:氧化温度为422 ...
关键词：垂直腔面发射激光器 布拉格反射镜 氧化物限制 氧化速率 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部