国家自然科学基金(10474020)

作品数：8被引量：19H指数：2
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相关期刊：《激光与红外》《物理学报》《Optoelectronics Letters》《红外与毫米波学报》更多>>
相关主题：发光二极管INGAN蓝色发光二极管数值模拟量子阱红外探测器更多>>
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红外光电子学中的新族--量子阱红外探测器被引量：14
《中国科学（G辑）》2009年第3期336-343,共8页陆卫 李宁 甄红楼 徐文兰 熊大元 
国家自然科学基金(批准号:10474020,10734090,60221502);国家重点基础研究发展规划(编号:2004CB619004)资助项目
回顾了近10年基于半导体中量子限制效应红外探测器的进展.主要关注的是二维限制结构,即量子阱结构,形成的区别与传统红外光子探测的子带跃迁机理.在红外光电子领域作为新族的量子阱红外探测器(quantum well infrared photo-detector,QW...
关键词：红外光电子学 量子阱红外探测器 研究进展 发展趋势 
InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析被引量：3
《物理学报》2009年第5期3421-3426,共6页李为军 张波 徐文兰 陆卫 
国家自然科学基金(批准号:10474020);上海市基础研究重大项目(批准号:06dj14008)资助的课题~~
分别采用量子阱模型和量子点模型对蓝色InGaN/GaN多量子阱发光二极管电学和光学特性进行模拟,并和实验测量结果进行了比对,结果发现,量子点模型的引入,很好地解决了I-V和电致发光二方面的实验与理论模型间符合程度不好的问题.同时,在I-...
关键词：INGAN/GAN 发光二极管 数值模拟 量子点模型 
Design of violet InGaN light-emitting diode with staggered quantum well structure
《Optoelectronics Letters》2008年第6期399-402,共4页LI Wei-jun ZHANG Bo XU Wen-Lan LU Wei 
the National Natural Science Foundation of China (Grant No.10474020);Knowledge Innovation Program of the Chinese Academy of Sciences (No.C2-14)
The staggered InGaN quantum well (QW) structure and the conventional InGaN QW structure for the emission at a particu-lar wavelength of 400 nm are designed and theoretically investigated,including the distribution of ...
关键词：发光二级管 量子阱 波长 SRH 
台阶型InGaN量子阱蓝光发光二极管设计与数值模拟
《激光与红外》2008年第11期1114-1117,共4页李为军 张波 徐文兰 陆卫 
国家自然科学基金(No.10474020);中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(No.C2-14)资助
一种特定发光波长（415—425nm）的台阶型InGaN构型量子阱被设计并从理论上进行考察，包括量子阱区域载流子浓度分布、自发辐射复合速率、Shockley-Read-Hall（SRH）辐射复合速率以及输出功率和内量子发光效率的分析。与传统的InGaN构...
关键词：Step-like InGaN量子阱 INGAN 发光二极管 数值模拟 
应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱发光二极管结构优化研究
《激光与红外》2008年第10期1023-1026,共4页李为军 张波 徐文兰 陆卫 
国家自然科学基金(No.10474020);中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(No.C2-14)资助
薄的应力补偿层AlGaN的引进对InGaN量子阱结构的发光二极管输出功率和内量子效率的影响被详细考察。由理论模拟结果得知,不管是在低温还是高温,合适的应力补偿层引进都能极大改善LED器件输出功率和内量子效率。应力补偿层AlGaN的加入导...
关键词：应力补偿型量子阱 INGAN 发光二极管 数值模拟 
氢离子注入法提高InAsP/InP应变多量子阱发光特性(英文)
《红外与毫米波学报》2008年第4期317-320,共4页曹萌 吴惠桢 劳燕峰 曹春芳 刘成 
the National Natural Science Foundation of China (10474020)
采用气态源分子束外延系统生长了InAsP/InP应变多量子阱,研究了H+注入对量子阱光致发光谱的影响以及高温快速退火对离子注入后的量子阱发光谱的影响。发现采用较低H+注入能量(剂量)时,量子阱发光强度得到增强;随着H+注入能量(剂量)的增...
关键词：离子注入 光致发光 量子阱互混 
InGaN基蓝色发光二极管量子阱阻挡层的优化设计
《液晶与显示》2008年第6期651-657,共7页李为军 张波 徐文兰 
国家自然科学基金(No.10474020);上海市基础研究重大项目(No.06dj14008)资助
计算比对了不同垒层构型量子阱的极化电场,对极化场下能级结构、载流子浓度分布、自发辐射复合速率和缺陷所造成的Shockley-Read-Hall(SRH)非辐射复合速率进行了研究,确定内建电场引起的量子阱区域载流子浓度分布均匀性是影响器件效能...
关键词：发光二极管 ALINGAN 应力补偿 量子阱障碍层 数值模拟 
MODIFICATION OF ABSORPTION SPECTRUM OF GaAs/AlGaAs QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTOR BY POSTGROWTH ADJUSTMENT被引量：2
《红外与毫米波学报》2006年第1期1-5,共5页Y FU YANG Chang-Li 
TheprojectispartiallysupportedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina(10474020)
Quantum well intermixing techniques modify the geometric shape of quantum wells to allow postgrowth adjustments.The tuning effect on the optical response property of a GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector(Q...
关键词：吸收光谱 量子阱 红外光电探测器 修正 
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