中国博士后科学基金(Q6312573)

作品数：3被引量：6H指数：2
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相关主题：负偏压温度不稳定性界面态热载流子注入衬底NBT更多>>
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深亚微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1813-1817,共5页刘红侠 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部重点科技研究(批准号:104172);国防重大预研基金(批准号:41308060305);博士后基金(批准号:Q6312573)资助项目~~
研究了深亚微米pMOS器件的热载流子注入(hot-carrier injection,HCI)和负偏压温度不稳定效应(negative bias temperature instability,NBTI)的耦合效应和物理机制.器件在室温下的损伤特性由HCI效应来控制.高温条件下,器件受到HCI和NBTI...
关键词：深亚微米pMOS器件 热载流子注入 负偏压温度不稳定性 界面态 氧化层固定正电荷 
pMOS器件的热载流子注入和负偏压温度耦合效应
《Journal of Semiconductors》2005年第5期1005-1009,共5页刘红侠 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:60206006);博士后基金(批准号:Q6312573)资助项目~~
研究了在热载流子注入HCI(hot-carrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性.测量了pMOS器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移,并与单独HCI和NBT应力下的特性进行了对比.在这...
关键词：PMOS器件 热载流子注入 负偏压温度不稳定性 界面态 氧化层固定正电荷 
NBT导致的深亚微米PMOS器件退化与物理机理被引量：4
《物理学报》2005年第3期1373-1377,共5页刘红侠 郑雪峰 郝跃 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 0 60 0 6);国家博士后科学基金 (批准号 :Q63 12 5 73 )资助的课题~~
研究了深亚微米PMOS器件在负偏压温度 (negativebiastemperature,NBT)应力前后的电流电压特性随应力时间的退化 ,重点分析了NBT应力对PMOS器件阈值电压漂移的影响 ,通过实验证明了在栅氧化层和衬底界面附近的电化学反应和栅氧化层内与...
关键词：器件退化 深亚微米 阈值电压漂移 栅氧化层 NBT 衬底 物理机理 依赖 影响 元素 
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