国家自然科学基金(60086001)

作品数：9被引量：15H指数：3
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InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究被引量：2
《发光学报》2003年第4期380-384,T001,共6页李昱峰 韩培德 陈振 黎大兵 王占国 刘祥林 陆大成 王晓晖 汪度 
国家自然科学基金(60086001);国家重点基础研究专项经费(G20000683)资助项目
降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,...
关键词：INGAN 量子点 诱导生长 发光特性 微观形貌 氮镓铟化合物 半导体 
表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质被引量：3
《Journal of Semiconductors》2003年第1期39-43,共5页李昱峰 韩培德 陈振 黎大兵 王占国 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 860 0 1);国家重点基础研究专项经费 (No.G2 0 0 0 0 683 )资助项目~~
为了得到高性能的 Ga N基发光器件 ,有源层采用 MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了 In-Ga N量子点 ,并通过原子力显微镜 (AFM)、透射电子显微镜 (TEM)和光致发光 (PL )谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究 .AFM和 TEM...
关键词：表面应力 INGAN 量子点 生长 铟镓氮化合物 MOCVD 
R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究
《人工晶体学报》2002年第5期451-455,共5页李昱峰 陈振 韩培德 王占国 
国家自然科学基金 (No .6 0 0 86 0 0 1);国家重点基础研究专项经费 (No.G2 0 0 0 0 6 83)资助项目
采用表面钝化和MOCVD低温生长在蓝宝石 (0 0 0 1)面 (即C面 )和蓝宝石 (110 2 )面 (即R面 )上形成了InGaN量子点 ,并构成了该量子点的多层结构。原子力显微镜测试的结果表明单层InGaN量子点平均宽约 40nm ,高约15nm ;而多层量子点上层...
关键词：R面 C面 蓝宝石 INGAN 多层量子点 发光性质 研究 MOCVD 
铟镓氮薄膜的光电特性被引量：4
《Journal of Semiconductors》2002年第2期143-148,共6页韩培德 刘祥林 王晓晖 袁海荣 陈振 李昱峰 陆沅 汪度 陆大成 王占国 
国家自然科学基金 (No.60 0 860 0 1);国家重点基础研究专项经费 (No.G2 0 0 0 0 683 )资助项目~~
用金属有机物气相外延设备 ,在氮化镓 /蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜 ,并对其进行了 X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试 .确定该薄膜为单晶 ,其中 In组分可以从 0增加到 0 .2 6 ;在光致激发下发光光谱...
关键词：MOVPE 铟镓氮薄膜 光电特性 外延生长 
在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异被引量：5
《Journal of Semiconductors》2001年第8期1030-1034,共5页韩培德 段晓峰 孙家龙 张泽 王占国 
国家"八六三"高技术计划 (863 -3 0 7-2 1-0 1);国家自然科学基金 (60 0 860 0 1);国家重点基础研究专项经费 (G2 0 0 0 0 683 )资
运用金属有机气相外延设备 ,在蓝宝石衬底两个相反取向的 c面上同时生长六方相氮化镓薄膜 .对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究 .
关键词：蓝宝石 衬底 氮化镓 微观结构 薄膜 
三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)被引量：1
《发光学报》2001年第S1期17-20,共4页陈振 袁海荣 陆大成 王晓晖 刘祥林 韩培德 汪度 王占国 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1);国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流...
关键词：GAN 三甲基镓流量 缓冲层 MOVPE 
氮化镓/蓝宝石异质结构中极性的研究(英文)被引量：1
《发光学报》2001年第S1期33-37,共5页韩培德 刘祥林 王晓晖 汪度 陆大成 王占国 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1);国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜 ,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜的分析和研究。发现当衬底表面是向籽晶面时 ,生长的六方相氮化镓薄膜为 ( 0 0 0 1 )取向 ,而当...
关键词：极性 GaN/Al2O3 MOVPE 
三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)
《发光学报》2001年第z1期17-20,共4页陈振 袁海荣 陆大成 王晓晖 刘祥林 韩培德 汪度 王占国 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1);国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流...
关键词：GAN 三甲基镓流量 缓冲层 MOVPE 
氮化镓/蓝宝石异质结构中极性的研究
《发光学报》2001年第z1期33-37,共5页
国家自然科学基金资助项目(60086001);国家重点基础研究项目专项支持(G20000683)
用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜的分析和研究.发现当衬底表面是向籽晶面时,生长的六方相氮化镓薄膜为(0001)取向,而当衬底表面是...
关键词：极性 GaN/A12O3 MOVPE 
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