贵州省科学技术基金(J[2011]2095)

作品数：8被引量：15H指数：2
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低As压退火对GaAs(001)表面形貌与重构的影响
《物理学报》2015年第21期381-388,共8页周勋 罗子江 王继红 郭祥 丁召 
国家自然科学基金(批准号:61564002);教育部博士点基金(批准号:20105201110003);贵州师范大学2012年博士基金;2013年度贵州财经大学引进人才科研项目(批准号:[2013]2114);贵州省科学技术基金项目(批准号:黔科合J字[2011]2095号)资助的课题~~
在低As压条件下退火处理原子级平坦的Ga As(001)β2(2×4)重构表面.利用扫描隧道显微镜对表面进行研究,发现随着低As压退火时间的延长,表面形貌与表面重构的演变同步进行.表面形貌经历了从有序平坦转变为无序平坦,然后逐渐恢复到有序平...
关键词：表面形貌 表面重构 预粗糙 (2×6)重构 
GaAs(001)表面重构
《材料导报》2014年第9期15-19,29,共6页罗子江 周勋 王继红 郭祥 丁召 
国家自然科学基金(60866001);教育部博士点基金(20105201110003);贵州师范大学2012年博士基金;贵州省科学技术基金(黔科合J字[2011]2095号);贵州大学青年教师科研基金(2012年001号);2013年度贵州财经大学引进人才科研项目
GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点。重点回顾了几十年来研究者们对于GaAs(001)表面重构的研究成果,结合所在实验室最近的实验数据,对GaAs(001)表面重构的相关...
关键词：RHEED STM GAAS(001) 表面重构 
InAs(001)吸附表面的不可逆重构相变研究
《真空科学与技术学报》2013年第12期1266-1269,共4页郭祥 周勋 罗子江 王继红 周清 刘珂 丁召 
国家自然科学基金资助项目(60866001);贵州师范大学2012博士基金项目;教育部博士点基金资助项目(20105201110003);贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(黔省专合字(2009)114号);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2011]2095号);贵州省留学人员科技项目(Z103233)
对吸附了大量As的InAs（001）样品进行升降温热处理，发现在485℃时表面有从（3×1）重构到（2×4）重构的不可逆转变现象。利用扫描隧道显微镜对（3X1）重构表面分析，结果表明大量常温吸附的As从表面脱附使InAs（001）（2×4）重构表...
关键词：扫描隧道是微镜InAs(001) 重构 不可逆相变 
高In组分InGaAs薄膜的分子束外延生长及其表面分析被引量：2
《材料导报》2013年第22期29-32,共4页罗子江 周勋 郭祥 王继红 魏文喆 王一 丁召 
国家自然科学基金(60866001);教育部博士点基金(20105201110003);贵州师范大学2012年博士基金;贵州省科学技术基金(黔科合J字[2011]2095号);贵州省留学人员科技项目(Z103233);贵州大学青年教师科研基金(2012年001号)
采用分子束外延(MBE)方法,通过反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡测算生长速率,利用RHEED衍射实时监控生长过程,在InAs(001)和InP(001)单晶衬底上生长高In组分的InGaAs薄膜,并通过扫描隧道显微镜(STM)对其表面形貌和表面重构进行了细致分...
关键词：INAS INP INGAAS MBE STM 表面形貌 
MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究被引量：7
《功能材料》2013年第6期847-849,853,共4页王继红 罗子江 周勋 郭祥 周清 刘珂 丁召 
国家自然科学基金资助项目(60866001);贵州省优秀科技教育人才省长专项基金资助项目(黔省专合字(2009)114号);贵州省留学人员科技资助项目([2010](Z103233));贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2011]2095号);2010年度贵州财经学院博士基金的资助
采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs(001)基片上同质外延GaAs薄膜。利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究。研究发现,随着退火时间的延长,刚...
关键词：GaAs薄膜 MBE RHEED STM 熟化 
RHEED衍射花样与晶体表面形貌的关联性研究被引量：2
《贵州大学学报（自然科学版）》2013年第2期73-76,共4页王继红 罗子江 周勋 郭祥 周清 刘珂 丁召 
国家自然科学基金资助项目(60866001);贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(黔省专合字(2009)114号);贵州省留学人员科技项目2010年(Z103233);贵州省科学技术基金(黔科合J字[2011]2095号);贵州大学青年教师科研基金项目(2012年001)
采用带有RHEED的MBE技术,在GaAs(001)单晶衬底上生长不同厚度(0 ML,4 ML,15 ML)的In0.53Ga0.47As外延层,实时监测RHEED衍射图像的演变过程,生长结束后采用STM对其形貌进行扫描分析。研究分析结果表明,随着In0.53Ga0.47As外延层的不断加...
关键词：RHEED STM 平坦 粗糙 
InAs薄膜的分子束外延生长与表面形貌及表面重构分析被引量：2
《材料导报》2013年第4期90-92,共3页王继红 罗子江 周勋 张毕禅 郭祥 丁召 
国家自然科学基金(60866001);贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(黔省专合字(2009)114号);2010年度贵州财经学院博士基金;贵州省科学技术基金(黔科合J字[2011]2095号);贵州大学青年教师科研基金([2012]001号)
利用带有反射高能电子衍射(RHEED)仪的分子束外延(MBE)方法,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,在InAs(001)基片上同质外延InAs薄膜。利用扫描隧道显微镜(STM)对MBE生长的InAs薄膜表面形貌以及...
关键词：InAs薄膜 分子束外延 反射高能电子衍射 扫描隧道显微镜 表面重构 
RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜被引量：5
《功能材料》2011年第11期2107-2111,共5页罗子江 周勋 贺业全 何浩 郭祥 张毕禅 邓朝勇 丁召 
国家自然科学基金资助项目(60866001);贵州省委组织部高层人才科研特助资助项目(TZJF-2008-31);教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-08-0651);贵州大学博士基金资助项目(X060031);贵州省优秀科技教育人才省长专项基金资助项目(黔省专合字(2009)114号);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2011]2095号)
利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs(001)基片上外延生长了不同In组分(39%、29%、19%)的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像...
关键词：MBE RHEED STM InGaAs薄膜 
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