云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家杰出青年科学基金(50325518)

国家杰出青年科学基金(50325518): 作品数：11被引量：31H指数：4; 导出分析报告; 相关作者：郭东明康仁科金洙吉郭晓光霍凤伟更多>>; 相关机构：大连理工大学华东政法学院更多>>; 相关期刊：《润滑与密封》《中国机械工程》《大连理工大学学报》《电子工业专用设备》更多>>; 相关主题：天线罩CMP单晶硅纳米级材料去除率更多>>; 相关领域：金属学及工艺电子电信自动化与计算机技术更多>>

带罩天线远场仿真中有效等效源的确定: 《系统仿真学报》2009年第2期364-366,共3页张春波郭东明盛贤君柳敏静孙玉文; 国家杰出青年科学基金(50325518);国家重点基础研究发展计划973项目(2005CB724104);中国博士后科学基金(20060400966); 采用平面波谱-表面积分法或口径积分-表面积分法计算带罩天线远场特性时,都需要把天线罩表面作为等效辐射源,等效源的确定直接影响到算法的精度和效率。通过对天线近场分布特性的分析,提出一种通用于多种外形天线罩的确定有效等效源的...; 关键词：天线罩有效等效源平面波谱-表面积分法口径积分-表面积分法三次样条函数

CMP设备控制软件的模块规划及可视化技术被引量：1: 《电子工业专用设备》2008年第6期19-23,共5页姜培青王永青康仁科郭东明; 国家自然科学基金重大项目(基金号为.50390061);国家杰出青年基金(基金号为50325518)资助项目; CMP(Chemical Mechanical Polishing)设备是半导体集成电路(IC)制造中的关键设备,CMP设备控制软件的开发是CMP设备研发的关键技术之一。针对三工位CMP机床,自行设计开发了具有抛光压力在线监控、真空吸盘的真空度实时监测、抛光头及抛...; 关键词：CMP 面向对象多视图通讯 OPENGL

单晶硅纳米级磨削过程的理论研究被引量：5: 《中国机械工程》2008年第23期2847-2851,共5页郭晓光郭东明康仁科金洙吉; 国家自然科学基金资助重大项目(50390061);国家杰出青年科学基金资助项目(50325518); 对内部无缺陷的单晶硅纳米级磨削过程进行了分子动力学仿真,从磨削过程中瞬间原子位置、磨削力、原子间势能、损伤层深度等角度研究了纳米级磨削加工过程,解释了微观材料去除、表面形成和亚表面损伤机理。研究表明:磨削过程中,单晶硅亚...; 关键词：纳米级磨削分子动力学仿真加工机理单晶硅

天线-罩系统辐射特性的快速仿真被引量：1: 《系统工程与电子技术》2008年第6期1015-1017,共3页张春波盛贤君柳敏静孙玉文郭东明; 国家杰出青年科学基金项目(50325518);国家重点基础研究发展计划“973”项目(2005CB724104);中国博士后科学基金项目(20060400966)资助课题; 口径积分-表面积分法是带罩天线远场电性能数值仿真的常用方法,针对该法分析电中大尺寸天线-罩系统远场电性能计算效率过低的问题,提出了基于等效源区域分解的并行口径积分-表面积分算法。开发并在集群系统中实测了基于消息传递并行编...; 关键词：数值仿真并行算法口径积分-表面积分法天线罩集群

单晶硅纳米级压痕过程分子动力学仿真被引量：4: 《大连理工大学学报》2008年第2期205-209,共5页郭晓光郭东明康仁科金洙吉; 国家自然科学基金资助项目(重大项目50390061);国家杰出青年科学基金资助项目(50325518); 对内部无缺陷的单晶硅纳米级压痕过程进行了分子动力学仿真,从原子空间角度分析了单晶硅纳米级压痕过程的瞬间原子位置、作用力和势能等变化,解释了压痕过程.研究表明:磨粒逐渐向单晶硅片的逼进和压入,使得磨粒下方的硅晶格在磨粒的作...; 关键词：压痕过程分子动力学仿真单晶硅

基于深腾1800机群系统的分子动力学并行仿真研究: 《大连理工大学学报》2007年第6期818-822,共5页郭晓光郭东明康仁科金洙吉; 国家自然科学基金资助项目(重大项目50390061);国家杰出青年科学基金资助项目(50325518); 介绍了分子动力学并行仿真计算的软硬件环境,分析了现有的几种并行算法,确定采用区域分解法作为并行算法,并在此基础上提出了基于区域二次划分的分子动力学并行仿真算法.另外,阐述了原子链、原子近邻表和原子亲属表的概念,提出了基于永...; 关键词：分子动力学仿真并行算法区域分解法

细粒度金刚石砂轮表面磨粒识别研究被引量：7: 《大连理工大学学报》2007年第3期358-362,共5页霍凤伟金洙吉康仁科郭东明杨春; 国家自然科学基金资助项目(重大项目50390061);国家杰出青年科学基金资助项目(50325518); 准确地评价砂轮表面形貌对磨削机理研究、磨削过程优化、磨削过程的建模与仿真等具有重要意义,而准确的磨粒识别是砂轮形貌测量和评价的关键.对超精密磨削所用细粒度金刚石砂轮磨粒粒径的分布特点和砂轮表面上磨粒的轮廓波长进行了分析...; 关键词：金刚石砂轮表面形貌金刚石磨粒超精密磨削识别

分散剂对铜CMP材料去除率和表面粗糙度影响的实验研究被引量：9: 《润滑与密封》2007年第3期70-72,109,共4页李庆忠金洙吉张然康仁科郭东明; 国家自然科学基金重大项目(50390061);中国博士后科学基金资助项目(20060390984);国家杰出青年科学基金资助项目(50325518); 使用5种分散剂,SiO2水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂,分别进行抛光实验。结果表明:二乙烯三胺和吡啶2种分散剂相对较好,二乙烯三胺(质量分数0.05%)对铜的材料去除率达到570.20nm/min,表面粗糙度为Ra1.0760nm,吡啶(质量分数0.75%)的材料去除...; 关键词：CMP 分散剂铜去除率粗糙度

RBR控制在超大规模集成电路制造的化学机械抛光工艺中的应用: 《金刚石与磨料磨具工程》2006年第2期61-64,共4页李秀娟金洙吉康仁科郭东明苏建修; 国家自然科学基金重大项目资助(50390061);国家杰出青年科学基金资助(50325518); 本论文介绍了RBR过程控制技术在超大规模集成电路(ULSI)制造中的化学机械抛光(CMP)这一关键工艺中的应用。CMP工艺中的RBR控制是利用CMP工艺后检测获得的抛光质量数据来调整下一片硅片抛光的输入工艺参数的方法实现的。由于影响CMP过程...; 关键词：化学机械抛光 RBR控制过程控制

An Improved Angle Polishing Method for Measuring Subsurface Damage in Silicon Wafers被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2006年第3期506-510,共5页霍凤伟康仁科郭东明赵福令金洙吉; 国家自然科学基金(批准号:50390061);国家杰出青年科学基金(批准号:50325518)资助项目~~; We present an improved angle polishing method in which the end of the cover slice near the glue layer is beveled into a thin,defect-free wedge,the straight edge of which is used as the datum for measuring the depth of...; 关键词：silicon wafer subsurface damage angle polishing defect etching wedge fringes

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