国家高技术研究发展计划(2006AA03A142)

作品数：6被引量：5H指数：2
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相关作者：郑有炓张荣谢自力刘斌韩平更多>>
相关机构：南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室中国科学院更多>>
相关期刊：《微纳电子技术》《中国科技成果》《功能材料》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关主题：表面形貌超晶格材料超晶格MOCVDN型GAN更多>>
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推广型Ⅲ族氮化物HVPE材料生长系统
《中国科技成果》2010年第12期21-21,共1页
国家863计划课题（2006AA03A142）.
Ⅲ族氮化物在光显示、光照明等光电子器件领域有广阔的应用前景，在光显示和光照明方面，用高效率蓝绿光发光二极管制作的超大屏幕全色显示和新型高效节能固体光源，使用寿命超过10万小时，
关键词：Ⅲ族氮化物 生长系统 PE材料 光电子器件 发光二极管 固体光源 高效节能 全色显示 
采用高分辨XRD确定AlxGa1-xN／GaN异质结的应变状态
《中国科学（G辑）》2009年第11期1623-1627,共5页谢自力 张荣 张彤 周元俊 刘斌 张曾 李弋 宋黎红 崔颖超 傅德颐 修向前 韩平 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展规划(编号:2006AA03A118,2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063,60676057,60731160628,60776001,60820106003);江苏省自然科学基金(编号:BK2008019);南京大学扬州光电研究院研发基金资助项目
利用高分辨X射线衍射方法,分析了采用金属有机物汽相沉积生长的AlxGa1-xN/GaN薄膜的晶体结构和应变状态.通过(002)和(105)面的倒易空间映射,分析获得AlxGa1-xN外延层的应变程度,并且计算了不同Al组分的AlxGa1-xN在倒易空间图上的弛豫方...
关键词：高分辨X射线衍射 倒易空间图 应变 弛豫 
n型GaN薄膜输运性质与发光研究被引量：2
《中国科学（G辑）》2008年第9期1221-1227,共7页张曾 张荣 谢自力 刘斌 修向前 江若琏 韩平 顾书林 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063,60731160628,60676057);教育部重大项目(编号:10416);高等学校博士学科点专项科研基金(编号:20050284004);江苏省自然科学基金(编号:BK2005210)资助项目
系统研究了掺Si的n型GaN的表面形貌、电学性质和光学性质.GaN薄膜采用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)制备,通过选择不同掺杂流量的SiH4,使n型载流子浓度变化范围为3×1016~5.4×1018cm-3.原子力显微镜研究发现随掺杂浓度的增加样品表...
关键词：N型GAN 表面形貌 霍尔效应 光致发光 
Mg掺杂AlGaN的特性研究被引量：1
《微纳电子技术》2008年第9期512-515,541,共5页吴超 谢自力 张荣 张曾 刘斌 刘启佳 聂超 李弋 韩平 陈鹏 陆海 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划973资助项目(2006CB6049);国家高技术研究发展规划资助项目(2006AA03A103,2006AA03A11,2006AA03A142);国家自然科学基金资助项目(60721063,60676057,60731160628,60776001);国家基础科学人才培养基金资助项目(J0630316);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050284004)
采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活。用X射线衍射ω-2θ扫描计算确定样品的Al组分,发现Mg摩尔掺杂浓度和退火对Al组分均未产生明显影响。X射...
关键词：AlGaN薄膜 Mg掺杂 热退火 表面形貌 阴极射线发光 
高温高压合成Co掺杂ZnO基DMS及其磁性特征
《Journal of Semiconductors》2008年第6期1156-1159,共4页张国煜 修向前 张荣 陶志阔 崔旭高 张佳辰 谢自力 徐小农 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604907);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A142;2006AA03Z411);国家自然科学基金(批准号:60731160628;60776001)资助项目~~
采用高温高压方法将由溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体纳米颗粒置于6GPa压强和1000℃环境中处理,并研究其结构和磁学性质.XRD,XPS以及HRTEM等结构测量和分析表明,在掺杂浓度不高时,Co2+离子被较好地掺杂到了ZnO晶格中...
关键词：高温高压 ZNO稀磁半导体 CO掺杂 
AlxGa1-xN／AlN超晶格材料特性研究被引量：2
《功能材料》2008年第5期727-729,共3页谢自力 张荣 江若琏 刘斌 龚海梅 赵红 修向前 韩平 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB6049);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2006AA03A103,2006AA03A118,2006AA03A142);国家科学基金资助项目(6039070,60421003,60676057);教育部重大资助项目(10416);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050284004)
用MOCVD技术在(0001)蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料。研究了AlxGa1-xN/Al N超晶格材料特性。结果表明,缓冲层材料和结构对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响。AFM研究表明...
关键词：MOCVD 超晶格 AlxGa1-xN/AlN 
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