云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家高技术研究发展计划(2001AA312010)

国家高技术研究发展计划(2001AA312010): 作品数：13被引量：18H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：冯军王志功王骏峰袁晟熊明珍更多>>; 相关机构：东南大学更多>>; 相关期刊：《高技术通讯》《东南大学学报（自然科学版）》《半导体光电》《现代电子技术》更多>>; 相关主题：CMOS激光驱动器光纤通信B/S光接收机更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

2.5Gb/s混合集成光接收机: 《高技术通讯》2007年第5期489-492,共4页冯军张国宝黄璐张敬伟胡艳王志功江山; 863计划（2001AA312010）资助项目.; 研制了适用于光纤通信系统的具有完全自主知识产权的混合集成光接收机。该接收机由半导体光电探测器和相应采用硅0.35μmCMOS工艺研制的高速集成电路组成。混合集成模块采用高介电常数的陶瓷薄膜电路将PIN管芯和IC芯片在一块衬底上实现...; 关键词：光纤通信混合集成光接收机光电探测器跨阻放大器

2.5Gb/s混合集成光发射机被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2006年第9期1681-1685,共5页冯军时伟缪瑜李连鸣张军王志功江山; 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2001AA312010)~~; 介绍了适用于光纤通信系统且具有完全自主知识产权的混合集成光发射机的研制.该发射机采用薄膜电路和激光焊接耦合技术将高速集成电路和光电子器件进行混合集成,其中高速集成电路是采用0.35μm硅CMOS工艺实现的单片4∶1复接器加激光驱...; 关键词：光纤通信混合集成光发射机复接器激光驱动器

高速电路设计与库模型应用的研究: 《电路与系统学报》2005年第4期125-127,94,共4页冯军金杰; 国家863计划基金资助项目(2001AA312010); 通过对TSMC0.18μmCMOS工艺库模型的分析,电路仿真结果比较以及实际限幅放大器电路流片测试结果的验证比较,提出在深亚微米工艺中,大信号高速电路的设计适宜选用混合信号管进行。; 关键词：库模型 RF管 MM管高速电路

10 Gb/s 0.18μm CMOS光发射机芯片: 《半导体光电》2005年第4期350-352,共3页雷恺缪瑜冯军王志功; 国家"863"计划光电子主题项目(2001AA312010); 介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的10 Gb/s光发射机电路,包括复接器和激光驱动器两部分。仿真结果表明,在1.8 V电源电压作用下该电路可工作在10 Gb/s速率以上,输入四路单端峰峰值为0.2 V的信号时,在单端50Ω负载上的复接输出电压摆幅可...; 关键词：激光驱动器复接器锁存器 CMOS 直接耦合 SOC

10Gbit/s 0.18μm CMOS激光驱动器的集成电路被引量：1: 《东南大学学报（自然科学版）》2005年第4期510-513,共4页雷恺冯军黄璐王志功; 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2001AA312010).; 为了得到低电压、低功耗、高速率的激光驱动器电路,采用0.18μmCMOS工艺设计了10Gbit/s的激光驱动器集成芯片.电路的核心单元为两级直接耦合的差分放大器和电流输出电路.为扩展带宽、降低功耗,电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦...; 关键词：激光驱动器 CMOS 直接耦合

超高速激光驱动器电路设计与研制被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2005年第3期576-579,共4页黄颋王志功李连鸣; 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2001AA312010;2001AA312060)~~; 分别利用0 35μm CMOS工艺和0 2μm GaAs PHEMT(pseudomorphic high electron mobility transistor)工艺实现了激光驱动器集成电路,其工作速率分别为2 5Gb/s和 10Gb/s,可应用于光纤通信 SDH(synchronous dig ital hierarchy)传输系统.; 关键词：光纤通信激光驱动器 CMOS PHEMT SDH

7.3GHz 0.18μm CMOS注入式锁相环电路: 《Journal of Semiconductors》2004年第10期1331-1334,共4页王骏峰冯军袁晟熊明珍王志功; 国家高技术研究发展计划资助项目 (编号 :2 0 0 1AA3 12 0 10 )~~; 给出一种利用 0 .18μm CMOS工艺实现的注入式振荡器辅助锁相环 .在 1.8V电源电压下 ,电路工作频率为7.3GHz,功耗为 15 7m W,跟踪范围为 15 0 MHz,锁定时在 1‰ (7.3MHz)频率偏移量下的相位噪声为 - 97.36 d; 关键词：注入式锁相环 CMOS工艺

10Gb/s 0.18μmCMOS预处理芯片: 《光通信技术》2004年第8期16-17,共2页袁晟冯军王骏峰熊明珍王志功; 国家863计划光电子主题项目(编号:2001AA312010); 介绍采用0.18μm CMOS工艺设计并实现的光纤通信接收机时钟恢复电路预处理器。核心电路采用乘法器加LC选频器的结构。测试结果表明,该电路可工作在10Gb/s 的输入速率上。; 关键词：预处理 CMOS 乘法器

Monolithical Integrated CMOS Injected Synchronized Ring: 《Journal of Semiconductors》2004年第7期762-765,共4页刘丽王志功林其松熊明珍章丽; 国家高技术研究发展计划资助项目 ( No.2 0 0 1AA3 12 0 10 )~~; Oscillator IC technique is developed by combining injecting synchronization technique with a ring VCO.Using the technique,a novel 2 488GHz of monolithical integrated injected synchronized ring VCO (ISRVCO) is realize...; 关键词：VCO PLL CRC injection synchronization optical transmission systems

2.5 Gb/s 0.35 μm CMOS光接收机前置放大器设计被引量：7: 《现代电子技术》2004年第6期3-5,共3页张敬伟冯军刘欢艳; 国家863计划光电子主题项目(2001AA312010); 采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了用于SDH系统STM-16(2.5 Gb/s)速率级光接收机前置放大器。此放大嚣采用+5V电源电压,中频增益为73dBΩ,3dB带宽为2.2GHz。核面积为0.15mm×0.20mm。; 关键词：光接收机前置放大器跨阻放大器 CMOS工艺

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