国家高技术研究发展计划(2001AA312060)

作品数:9被引量:19H指数:3
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2.5Gbit/s PHEMT前置放大器噪声分析与验证
《东南大学学报(自然科学版)》2007年第3期364-367,共4页蔡水成 王志功 朱恩 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2001AA312060)
根据OMMIC公司通过测量得到的0.2μm GaAs PHEMT器件参数模型和噪声模型,设计了2.5Gbit/s的共源跨阻前置放大器.并根据PHEMT晶体管Y参数下的噪声模型,结合Y参数和ABCD参数下的噪声密度矩阵,分析了电路在带有晶体管噪声源情况下整个电路...
关键词:PHEMT 跨阻放大器 噪声 
10Gb/s,0·2μm GaAs PHEMT跨阻放大器分析与设计被引量:1
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1808-1813,共6页蔡水成 王志功 高建军 朱恩 
国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312060);江苏省高校省级重点实验室开放基金(批准号:JSICK0403)资助项目~~
对基于0·2μmGaAsPHEMT工艺设计的10Gb/s低噪声前置放大器进行了理论分析与仿真,并且进行了流片测量验证.电路采用共源结构,噪声小,灵敏度高.测量结果表明该前置放大器在3·3V单电源、50Ω输出负载的条件下,跨阻为57·8dB·Ω,带宽可达...
关键词:PHEMT 跨阻 噪声 
16GHz CMOS4∶1分频器被引量:6
《固体电子学研究与进展》2006年第1期69-71,119,共4页刘丽 王志功 朱恩 熊明珍 章丽 
国家863计划资助项目(2001AA312060)
采用TSM C 0.18μm标准CM O S工艺实现了一种4∶1分频器。测试结果表明,电源电压1.8 V,核心功耗18 mW。该分频器最高工作频率达到16 GH z。当单端输入信号为-10 dBm时,具有5.8 GH z的工作范围。该分频器可以应用于超高速光纤通信以及其...
关键词:分频器 锁存器 互补金属氧化物半导体 光纤通讯系统 
10Gb/sNRZ码时钟信息提取电路被引量:1
《固体电子学研究与进展》2005年第3期320-324,共5页仇应华 王志功 朱恩 冯军 熊明珍 夏春晓 
国家863计划项目(2001AA312060)资助
利用法国OMM IC公司的0.2μm G aA s PHEM T工艺,设计实现了10 G b/s NRZ码时钟信息提取电路。该电路采用改进型双平衡G ilbert单元的结构,引进了容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路,大大提高了电路的性能。测试表明:在输入速率...
关键词:非归零码 时钟信息提取 双平衡Gilbert单元 容性耦合差动电流放大器 砷化镓 
11GHz CMOS环形压控振荡器设计被引量:7
《Journal of Semiconductors》2005年第1期187-191,共5页王雪艳 朱恩 熊明珍 王志功 
国家高技术研究发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 1AA3 12 0 60 )~~
设计了一种全差分高速环形压控振荡器 (VCO) .该VCO有三级 ,每一级的增益是快慢通路增益的矢量叠加和 ,快慢通路的增益由底部电流源决定 ,差分控制电压通过镜像电流源控制快慢通路的各自电流 ,最终实现对振荡频率的调节 .分析了VCO的工...
关键词:压控振荡器 相位噪声 射频电路 
12Gb/s0.25μm CMOS数据判决和1∶2数据分接电路
《Journal of Semiconductors》2004年第11期1521-1525,共5页王欢 王志功 冯军 朱恩 陆建华 陈海涛 谢婷婷 熊明珍 章丽 
国家自然科学基金 (批准号 :6982 5 10 1);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 1AA3 12 0 60 )资助项目~~
采用 TSMC 0 .2 5μm CMOS工艺成功实现了用于光纤传输系统的 12 Gb/s数据判决和 1∶ 2数据分接电路 .测试结果显示 ,在 3.3V电源供电情况下 ,功耗为 6 0 0 m W,其中包括 3路输出缓冲 .输入信号单端峰峰值为 2 5 0 m V时 ,该芯片的工作...
关键词:数据判决 数据分接 CMOS 光纤传输系统 D触发器 锁存器 
一种高工作频率、低相位噪声的CMOS环形振荡器被引量:4
《光电子.激光》2004年第10期1141-1143,共3页陈莹梅 王志功 朱恩 冯军 章丽 熊明珍 
国家863计划资助项目(2001AA312060)
采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器。环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90°的正交输出时钟,芯片采用台湾TSMC0.18μmCMOS工艺。测试结果表明,振荡器在5GHz的工作频率...
关键词:低相位噪声 环形振荡器 工作频率 CMOS工艺 TSMC 功耗 电路 主频 环路 芯片 
5GHz0.18μm CMOS工艺正交输出VCO
《光通信研究》2004年第2期39-41,共3页陈莹梅 王志功 朱恩 冯军 章丽 
国家"八六三计划"资助项目(2001AA312060)
文章采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器.环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90℃的正交输出时钟.采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行流片,电压控制振荡器(VCO)的频率范围为4....
关键词:CMOS 相位噪声 环形振荡器 电压控制振荡器 VCO 正交输出 光纤通信 
5Gb/s 0.25μm CMOS Limiting Amplifier
《Journal of Semiconductors》2003年第12期1250-1254,共5页胡艳 王志功 冯军 熊明珍 
国家自然科学基金 (批准号 :6982 5 10 1);国家高技术研究发展计划 (No.2 0 0 1AA3 12 0 60 )资助项目~~
A limiting amplifier (LA) IC implemented in TSMC standard 0.25μm CMOS technology is described.Active inductor loads and direct-coupled technology are employed to increase the gain,broaden the bandwidth,reduce the pow...
关键词:limiting amplifier active inductor shunt peaking technique CMOS 
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