国家自然科学基金(60976044)

作品数：8被引量：26H指数：3
导出分析报告
相关作者：曲轶李辉马祥柱刘国军赵博更多>>
相关机构：长春理工大学吉林大学更多>>
相关期刊：《科技创新导报》《红外与激光工程》《光子学报》《发光学报》更多>>
相关主题：半导体激光器高功率ALNVCSELSIO2膜更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-8
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
中红外半导体激光器GaSb基材料的刻蚀研究被引量：6
《红外与激光工程》2013年第12期3363-3366,共4页田超群 魏冬寒 刘磊 高婷 赵博 李辉 曲轶 
国家自然科学基金(60976044)
锑化物半导体激光器在中红外波段具有广泛的应用前景。针对目前GaSb基材料的刻蚀工艺存在的问题,对现有的GaSb基材料的湿法刻蚀工艺进行了改进,实验分别用氢氟酸系和磷酸系对GaSb材料进行湿法刻蚀,并在两种酸系溶液中分别加入酒石酸进...
关键词：湿法刻蚀 GASB 氢氟酸 酒石酸 
高功率905nm InGaAs隧道结串联叠层半导体激光器被引量：4
《强激光与粒子束》2013年第10期2517-2520,共4页李辉 曲轶 张剑家 辛德胜 刘国军 
国家自然科学基金项目(60976044);吉林省科技厅项目(20111810)
设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构,采用分子束外延进行激光器材料的外延生长,材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺,制作成条宽200μm、腔长800μm的半导体激光器。两隧道结激光器在脉冲宽度1...
关键词：高功率 应变量子阱 隧道结 半导体激光器 
650nm VCSEL-下一代光通信的光源被引量：1
《科技创新导报》2011年第31期21-22,共2页李特 郝二娟 李再金 王勇 芦鹏 曲轶 
国家自然科学基金。项目号:60976044;吉林省科技厅项目(20080335)
由于新型的聚合物塑料光纤(Plastic Optic Fiber,简称POF)的出现,以及其在通信网络领域的应用前景,使得与该种光纤相对应的光源成为极具潜力的光纤通信光源。650nm垂直腔面发射激光器(VCSELs)正是满足这一需要的光电子器件,本文从光纤...
关键词：光通信 650nm VCSELS 
C-mount封装不同激光器芯片尺寸的热阻分析被引量：9
《发光学报》2011年第2期184-187,共4页马祥柱 霍晋 曲轶 杜石磊 王宇 
国家自然科学基金(60976044)资助项目
采用波长漂移法对基于C-mount封装类型的不同尺寸芯片的热阻进行测量,得到了使热阻最小的最佳芯片尺寸和铟焊料厚度。测量结果表明,在铟焊料厚度为10μm、输出功率为2 W、条宽为200μm、腔长为2 000μm时,激光器芯片的热阻最小值为2.01...
关键词：热阻 C-mount封装 激光二极管 铟焊料 
自由空间用半导体激光器抗辐射的研究被引量：1
《半导体光电》2011年第1期30-33,共4页杨旭 曲轶 李辉 赵博 赵强 张斯钰 高欣 薄报学 刘国军 
国家自然科学基金项目(60976044);教育部新世纪优秀人才支持计划项目;高功率半导体激光国家重点实验室基金项目(9140C3104050904)
为了提高半导体激光器的抗辐射性能,满足空间应用的需要,在介绍了空间辐射环境的基础上,对空间辐射在半导体激光器中产生的总剂量效应、单粒子翻转效应和位移效应进行了分析,并探讨了半导体激光器在空间辐射环境中相应的抗辐射防护技术...
关键词：半导体激光器 空间辐射 辐射效应 抗辐射 
基于AlN膜结构VCSEL热特性的研究(英文)被引量：1
《光子学报》2010年第12期2113-2117,共5页马祥柱 张斯钰 赵博 李辉 霍晋 曲轶 
Supported by the National Natural Science Foundation of China(60976044)
本文用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和Si O2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布.目的是证明Al N膜钝化层要比SiO2膜钝化层有具更好的特性,使器件能更稳定的工作,提高器件...
关键词：垂直腔面发射激光器 AlN膜 SIO2膜 ANSYS 
基于AlN膜钝化层VCSEL激光器热特性的研究被引量：1
《应用光学》2010年第6期1023-1026,共4页马祥柱 霍晋 曲轶 杜石磊 
国家自然科学基金(60976044)
用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和SiO2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.123℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.377...
关键词：垂直腔面发射半导体激光器 AlN膜 SIO2膜 ANSYS 
高性能980nm单模半导体激光器被引量：3
《兵工学报》2010年第8期1110-1113,共4页李辉 曲轶 高欣 薄报学 刘国军 
国家自然科学基金资助项目(60976044)
采用经过优化的新型大光腔结构,设计出低发散角的980nm半导体激光器,利用分子束外延系统生长出应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,并制作出980nm单模半导体激光器。器件在3μm条宽,750μm腔长时,100mA电流下室温连续输出功率达到70mW以...
关键词：光电子学与激光技术 980nm单模半导体激光器 高功率 低发散角 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部