NMOSFET

作品数：136被引量：120H指数：5
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0.35μm部分耗尽SOI NMOSFET的总剂量辐射效应与偏置状态的关系
《核电子学与探测技术》2010年第8期1031-1036,共6页唐威 刘佑宝 耿增建 吴龙胜 
研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因。通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相...
关键词：SOI 抗总剂量辐射 部分耗尽 俘获电荷 背沟道反型 
SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟被引量：6
《核电子学与探测技术》2008年第1期159-162,205,共5页赵发展 郭天雷 海潮和 彭菲 
随着SOI器件尺寸不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于其敏感区域的机理研究显得越来越重要。本文利用软件对SOI MOSFET的敏感区域进行了3-D空间模拟,阐述了敏感区域的机理:截止NMOSFET的反偏漏结迫使单粒子轰击产生的...
关键词：单粒子效应 SOI SRAM 加固 
CMOS器件的脉冲γ总剂量效应初探
《核电子学与探测技术》2004年第6期745-748,共4页罗尹虹 龚建成 关颖 石小峰 郭红霞 
利用"强光一号"加速器对部分CMOS器件开展了脉冲总剂量时间关联的辐射效应实验,研究了脉冲辐照后阈值电压漂移与时间的关联响应,以及辐照栅偏压对初始阈值电压漂移的影响,并比较了在给定实验条件下NMOSFET和PMOSFET脉冲总剂量效应与60C...
关键词：CMOS器件 阈值电压漂移 总剂量效应 NMOSFET PMOSFET 陷阱电荷 界面态 ^60CO 损伤 辐照 
nMOSFET X射线辐射影响研究被引量：3
《核电子学与探测技术》2004年第3期246-248,245,共4页罗宏伟 杨银堂 恩云飞 朱樟明 
国家"十五"预研基金(41308060602);重点实验室基金资助
介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响。试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有...
关键词：栅接地nMOS ESD 辐射总剂量 开启电压 二次击穿电流 X射线辐射 
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