HFALO

作品数：9被引量：7H指数：2
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相关作者：邱晓燕周广东张婷程新红汤振杰更多>>
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相关期刊：《Frontiers of physics》《稀有金属材料与工程》《Chinese Physics B》《中国科学：物理学、力学、天文学》更多>>
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HfAlO-based ferroelectric memristors for artificial synaptic plasticity
《Frontiers of physics》2023年第6期163-171,共9页Jie Yang Zixuan Jian Zhongrong Wang Jianhui Zhao Zhenyu Zhou Yong Sun Mengmeng Hao Linxia Wang Pan Liu Jingjuan Wang Yifei Pei Zhen Zhao Wei Wang Xiaobing Yan 
supported by the Natural Science Foundation of Hebei Province (No.F2021201009);the National Natural Science Foundation of China (No.62104058);the Natural Science Foundation of Hebei Province (No.F2021201022);the Science and Technology Project of Hebei Education Department (No.QN2020178);the Foundation of President of Hebei University (No.XZJJ201910);Advanced Talents Incubation Program of the Hebei University (No.521000981362).
Memristors have received much attention for their ability to achieve multi-level storage and synaptic learning.However,the main factor that hinders the application of memristors to simulate neural synapses is the inst...
关键词：MEMRISTOR ferroelectric domain polarization resistance regulation artificial synapse 
Controlled multilevel switching and artificial synapse characteristics in transparent HfAlO-alloy based memristor with embedded TaN nanoparticles
《Journal of Materials Science & Technology》2021年第36期203-212,共10页Chandreswar Mahata Hassan Algadi Muhammad Ismail Daewoong Kwon Sungjun Kim 
financially supported in part by National Research Foundation of Korea(NRF)grant funded by the Korean government(MSIP)(2018R1C1B5046454);by the Dongguk University Research Fund of 2020。
Atomic layer deposition technique has been used to prepare tantalum nitride nanoparticles(TaN-NPs)and sandwiched between Al-doped HfO;layers to achieve ITO/HfAlO/TaN-NP/HfAlO/ITO RRAM device.Transmission electron micr...
关键词：RRAM ALD TaN-nanoparticles Threshold switching Spike-rate-dependent plasticity Multilevel conductance Synaptic properties 
Effect of annealing temperature on interfacial and electrical performance of Au-Pt-Ti/HfAlO/InAlAs metal-oxide-semiconductor capacitor
《Chinese Physics B》2020年第9期423-428,共6页He Guan Cheng-Yu Jiang Shao-Xi Wang 
HfAlO/InAlAs metal-oxide-semiconductor capacitor (MOS capacitor) is considered as the most popular candidate of the isolated gate of InAs/AlSb high electron mobility transistor (HEMT). In order to improve the performa...
关键词：HfAlO/InAlAs MOS-capacitor annealing temperature interface leakage current 
HfAlO_x/γ-Fe_2O_3/HfAlO_x纳米堆栈结构的电阻开关特性被引量：1
《中国科学：物理学、力学、天文学》2015年第3期75-82,共8页郑烨 张祎杨 朱华星 王瑞雪 张道扬 邱晓燕 
国家自然科学基金(批准号:11274257);重庆市自然科学基金(编号:cstc2014jcyjA40029);中央高校基本科研业务费专项资金(编号:XDJK2014B043);西南大学本科生科技创新基金(编号:1318003)资助项目
本文用磁控溅射和旋涂法成功制备了HfAlOx/γ-Fe2O3/HfAlOx堆栈结构,该堆栈结构具有典型的双极性电阻开关特性:在-1V读取电压下可获得高达90的高/低电阻态阻值比,该比值可稳定维持近50个循环周期,远优于相同条件下制备的γ-Fe2O3纳米微...
关键词：γ-Fe2O3纳米微粒 HfAlOx薄膜 电阻开关特性 
Interfacial and electrical properties of HfAIO/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors with sulfur passivation被引量：2
《Chinese Physics B》2014年第1期427-431,共5页谭桢 赵连锋 王敬 许军 
Project supported by the National Basic Research Program of China （Grant No. 201 ICBA00602） and the National Science and Technology Major Project, China （Grant No. 2011 ZX02708-002）.
Interfacial and electrical properties of HfAlO/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors(MOSCAPs) with sulfur passivation were investigated and the chemical mechanisms of the sulfur passivation process were carefully ...
关键词：HFALO GASB metal-oxide-semiconductor capacitors interfacial properties 
高介电常数HfAlO氧化物薄膜基电荷俘获型存储器件性能研究被引量：2
《河南大学学报（自然科学版）》2013年第3期249-252,共4页汤振杰 张婷 殷江 
国家自然科学基金资助项目(50972054);河南省教育厅科学技术研究重点项目(13A140021)
利用原子层沉积方法制备了高介电常数材料(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜基电荷俘获型存储器件,并对器件的电荷存储性能做了系统研究.利用高分辨透射电子显微(HRTEM)技术表征了(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜的形貌、尺寸及器件结构.采用4200半导体...
关键词：高介电常数 HfAlO氧化物 电荷存储 原子层沉积 
Influences of different oxidants on the characteristics of HfAlO_x films deposited by atomic layer deposition
《Chinese Physics B》2013年第2期487-491,共5页樊继斌 刘红侠 马飞 卓青青 郝跃 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60976068 and 61076097);the Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project,Ministry of Education of China (Grant No. 708083)
A comparative study of two kinds of oxidants（H2O and O3） with the combinations of two metal precursors [trimethylaluminum（TMA） and tetrakis（ethylmethylamino） hafnium（TEMAH）] for atomic layer deposition（ALD） ...
关键词：HfAlOx atomic layer deposition OXIDANTS ANNEALING 
Si_(83)Ge_(17)/Si压应变衬底上HfAlO_x栅介质薄膜微结构、界面反应和介电性能研究
《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第12期1338-1345,共8页张守英 周广东 刘志江 邱晓燕 
国家自然科学基金(批准号:10904124;11274257);中央高校基本科研业务费专项资金(编号:XDJK2011C038)资助项目
本文研究了射频磁控溅射沉积在p-Si83Ge17/Si(100)压应变衬底上HfAlOx栅介质薄膜的微结构及其界面反应,表征了其各项电学性能,并与相同制备条件下沉积在p-Si(100)衬底上薄膜的电学性能进行了对比研究.高分辨透射电子显微镜观测与X射线...
关键词：HfAlOx薄膜 Si83Ge17 Si压应变衬底 界面反应 介电性能 
高性能HfAlO介质薄膜的制备(英文)被引量：2
《稀有金属材料与工程》2006年第8期1192-1194,共3页程新红 宋朝瑞 俞跃辉 
Supported by National Natural Science Foundation of China(50402026)
利用超高真空电子束蒸发法制备了可替代 SiO2作为栅介质的 HfAlO 膜。薄膜的化学组成为(HfO2)(Al2O3)2,900℃退火处理后仍然呈现非晶状态,而且表面平滑。介电常数为 12.7,等效氧化物厚度 2 nm,固定电荷密度 4×1012cm-2,2 V 栅偏压下漏...
关键词：HfAlO膜 高介电常数栅介质 电子束蒸发 
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