等离子体蚀刻

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华虹半导体功率器件平台累计出货量突破500万片晶圆
《集成电路应用》2017年第4期90-90,共1页
华虹半导体有限公司宣布,功率器件平台累计出货量已突破500万片晶圆。其中,得益于市场对超级结MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的强劲需求,华虹半导体独特且具竞争力的垂直沟槽型Super Junction MOSFET（SJNFE...
关键词：半导体功率器件 等离子体刻蚀 离子刻蚀 半导体设备 导通电阻 开关速度 光刻胶 去胶 开关损耗 等离子体蚀刻 
蚀刻设备
《集成电路应用》2006年第3期36-36,共1页
DFE8040（200mm）／DFE8060（300mm）干法蚀刻设备采用了等离子体蚀刻以达到应力释放的目的，增强在半导体器件制造中芯片的强度。这种干法蚀刻设备可作为晶圆减薄后应力释放的在线单元。
关键词：等离子体蚀刻 应力释放 干法蚀刻 半导体器件 晶圆 
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