低压化学气相淀积

作品数：26被引量：46H指数：4
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相关作者：李仁锋谭刚吴嘉丽周再发徐大为更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国工程物理研究院电子工程研究所东南大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊：《半导体技术》《中国工程物理研究院科技年报》《赣南师范大学学报》《集成电路通讯》更多>>
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沟槽栅IGBT非晶Si填槽工艺研究与优化
《半导体技术》2018年第7期534-539,共6页汤光洪 高周妙 罗燕飞 李志栓 周燕春 
采用低压化学气相淀积（LPCVD）非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺。分析了LPCVD非晶Si工艺参数如PH3体积流量和沉积时间等对LPCV...
关键词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 低压化学气相淀积(LPCVD) 非晶Si 填槽工艺 无缝回填 高深宽比 
4H-SiC MESFET工艺中的高温氧化及介质淀积技术被引量：1
《半导体技术》2012年第4期280-283,共4页付兴昌 潘宏菽 
采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高了器件的击穿电压,同时也提高了器件的输出功率及功率增益,为器件长期稳定可靠工作奠定了工艺基础。采用...
关键词：碳化硅 微波功率器件 氧化 低压化学气相淀积 S波段 
TEOS LPCVD技术在SiC功率器件工艺中的应用
《半导体技术》2011年第6期439-442,共4页胡玲 杨霏 商庆杰 潘宏菽 
应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,...
关键词：低压化学气相淀积 正硅酸乙酯 碳化硅 微波功率器件 二氧化硅 
SiC MESFET反向截止漏电流的研究被引量：4
《半导体技术》2010年第8期784-786,共3页崔现锋 潘宏菽 
给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升。从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和...
关键词：反向截止漏电流 碳化硅金属外延半导体场效应晶体管 氧化 低压化学气相淀积 
SiN介质薄膜内应力的实验研究被引量：5
《半导体技术》2007年第10期851-853,870,共4页石霞 孙俊峰 顾晓春 
研究了低压化学气相淀积SiN(LPCVD)介质薄膜的内应力,采用XP-2型台阶仪测量了SiN介质薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺参数,观察了反应气体流量比、淀积温度、反应室压力等因素对SiN薄膜内应力的影响。讨论了应力产生的原因以及...
关键词：内应力 氮化硅薄膜 低压化学气相淀积 
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