失配

作品数：955被引量：2260H指数：17
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一种前后台结合的Pipelined ADC校准技术
《半导体技术》2025年第1期46-54,共9页薛颜 徐文荣 于宗光 李琨 李加燊 
国家自然科学基金(62174149)。
针对Pipelined模数转换器(ADC)中采样电容失配和运放增益误差带来的非线性问题,提出了一种前后台结合的Pipelined ADC校准技术。前台校准技术通过对ADC量化结果的余量分析,补偿相应流水级的量化结果,后台校准技术基于伪随机(PN)注入的方...
关键词：Pipelined模数转换器(ADC) 电容失配 增益误差 前台校准 后台校准 
一种11bit流水线高速模数转换器
《半导体技术》2024年第6期561-568,共8页黄政 蔡孟冶 姜岩峰 
江苏省自然科学基金(BK20210453)。
为解决流水线模数转换器(ADC)在连续工作时功耗高、电容器匹配度有限以及运算放大器大摆幅输出信号下线性度下降的问题,基于0.5μm BCD工艺,设计了一款11 bit流水线高速ADC。提出了无采样保持放大器、幅度减半和多位量化相结合的设计方...
关键词：流水线模数转换器(ADC) 幅度减半 无采样保持 线性度 多位量化 电容失配 有效位数(ENOB) 
高精度SAR ADC电容阵列设计及校准算法
《半导体技术》2023年第11期1020-1029,共10页金鹏展 丁晟 黄玮 朱樟明 居水荣 
江苏省高等学校自然科学研究项目(19KJB510027);江苏省“333工程”科研资助项目计划(BRA2020318);常州大学应用技术学院现代职教体系专本贯通教育教学改革研究课题(22ZBGT02)。
在高精度逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)中,电容阵列是SAR ADC的核心之一。电容阵列中的电容失配问题是导致转换精度降低的一个重要原因。为了尽可能改善这一问题,设计了一种6+6+6分段电容阵列,并且基于这种阵列设计了权重迭代算法...
关键词：逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC) 电容失配 电容阵列 校准 有效位数(ENOB) 信噪比(SNR) 
一种电流失配自适应补偿宽带锁相环设计被引量：3
《半导体技术》2023年第6期500-505,526,共7页韦雪明 梁东梅 谢镭僮 尹仁川 李力锋 
国家自然科学基金资助项目(62164003);广西无线宽带通信与信号处理重点实验室主任基金资助项目(GXKL06200131);广西创新研究团队项目(2018GXNSFGA281004);桂林电子科技大学研究生教育创新计划资助项目(2022YCXS034)。
针对宽带自偏置锁相环(PLL)中存在严重的电荷泵电流失配问题,提出了一种电流失配自适应补偿自偏置锁相环。锁相环通过放大并提取参考时钟与反馈时钟的锁定相位误差脉冲,利用误差脉冲作为误差判决电路的控制时钟,通过逐次逼近方法自适应...
关键词：电荷泵失配电流 电流补偿 自适应控制 自偏置锁相环(PLL) 抖动 
基于分段电容阵列的改进型逐次逼近型ADC
《半导体技术》2022年第2期126-133,共8页胡毅 李振国 侯佳力 国千崧 邓新伟 胡伟波 
国家电网有限公司总部管理科技项目(5100-201941436A-0-0-00)。
为缩短高速模数转换器(ADC)中高位(MSB)电容建立时间以及减小功耗,提出了一种基于分段式电容阵列的改进型逐次逼近型(SAR)ADC结构,通过翻转小电容阵列代替翻转大电容阵列以产生高位数字码,并利用180 nm CMOS工艺实现和验证了此ADC结构...
关键词：分段电容阵列 失配电压 锁存式比较器 一次性校准 逐次逼近型(SAR)模数转换器(ADC) 
28 nm工艺开发中的器件局域失配研究
《半导体技术》2018年第9期714-719,共6页蔡恩静 高金德 朱巧智 魏文 李强 
在集成电路28 nm和14 nm等先进制造工艺开发中,采用纳米探针锁定失配器件后,依然无法通过物性分析找出失效原因,成为提升低压良率的最大瓶颈。通过对存储失效单元器件特性的分析提出了失效模型,采用计算机辅助设计技术（TCAD）工具对器...
关键词：低压(Vmin)良率 器件局域失配 离子注入随机波动(RDF) 计算机辅助设计技术(TCAD)模拟 麦克斯韦-玻耳兹曼分布 
高效GaAs基系Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池的研究进展被引量：1
《半导体技术》2017年第2期81-90,共10页高慧 杨瑞霞 
河北省自然科学基金资助项目(2014202184);河北省研究生创新资助项目(220056)
GaAs基系Ⅲ-V族化合物太阳电池具有带隙最优、抗辐射能力强、高效率、高温稳定性好和机械强度高等优点,是目前高效太阳电池的研发重点。从异质结设计、多结结构设计、晶格匹配优化、光谱-能带匹配设计、掺N半导体材料及半导体键合工艺...
关键词：GAAS太阳电池 GAINNAS 反向失配 正向失配 半导体键合 
基于90nm工艺节点的MOSFET版图失配研究
《半导体技术》2015年第7期499-506,共8页张雷鸣 刘博 张金灿 
河南省科技厅国际合作项目(144300510037);2014年河南省教育厅基础与前沿技术研究项目(14B510004);河南科技大学校青年基金项目(2014QN037)
研究了CMOS模拟集成电路的不同版图结构对电路性能的影响规律,探讨了不同版图结构对工艺波动的抑制作用。通过采用90 nm CMOS工艺设计了8种不同宽长比(W/L)的数模转换器(DAC),分别利用单栅与多指栅结构实现该DAC电流源输出驱动管阵列,...
关键词：多指栅 电流舵 工艺波动 阈值电压 版图 
40nm节点低阻接触栓的电迁移可靠性优化
《半导体技术》2014年第7期532-538,553,共8页张亮 张慧君 曹永峰 
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02501)
研究了40 nm工艺中低阻值接触栓的电迁移性能的提升。高性能芯片要求接触栓电阻尽可能小,而接触栓尺寸的减小使低电阻率钨成为必然选择。新材料的引入和尺寸减小等因素使传统工艺中较为稳定的接触栓的电迁移可靠性面临新的挑战。通过减...
关键词：电迁移可靠性 低电阻率 钨 化学腐蚀 界面结合力 应力失配 
SMO-8封装器件的焊接可靠性
《半导体技术》2014年第4期300-304,314,共6页魏爱新 刘晓红 王志会 
SMO-8陶瓷管壳封装的器件在焊接到印制板作温度冲击试验后,管壳底部的陶瓷层出现了裂纹。使用ANSYS有限元分析的方法对管壳焊接到印制板的整体结构的应力分布情况进行仿真分析,找出陶瓷出现裂纹的力学原因。并据此提出SMO-8陶瓷管壳焊...
关键词：封装 可靠性 失配 瓷裂 有限元分析 焊盘 
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