数控衰减器

作品数：67被引量：108H指数：6
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带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计被引量：5
《半导体技术》2016年第7期499-503,共5页张滨 李富强 杨柳 魏洪涛 方园 
采用GaAs增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑...
关键词：微波单片集成电路(MMIC) 数字驱动 数控衰减器 直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL) 均方根(RMS)误差 
一种正电控制低温漂单片数控衰减器被引量：1
《半导体技术》2014年第1期46-50,共5页韩玉鹏 赵国庆 赵瑞华 王凯 甄建宇 
数控衰减器在宽频带内具有高的衰减精度、优良的电压驻波比和大的衰减动态范围，因而得到了推广和应用。正电控制、低温漂6bit数控衰减器，各衰减位均采用具有低温漂特性的桥T型结构，并通过对衰减结构的合理构建，在不采用电平转换驱...
关键词：低温漂 数控衰减器 正电控制 单片微波集成电路(MMIC) 砷化镓 
GaAsE/DPHEMT正压驱动单片数控衰减器被引量：6
《半导体技术》2013年第12期910-913,923,共5页白元亮 张晓鹏 陈凤霞 默立冬 
采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路原理。采用桥T型结构衰减电路单元、E/D PHEMT控制电路设计了...
关键词：砷化镓 增强 耗尽型(E D) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 6 bit单片数控衰减器 正压控制电路 
2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片被引量：11
《半导体技术》2013年第4期254-258,共5页刘志军 陈凤霞 高学邦 崔玉兴 吴洪江 
在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端...
关键词：增强 耗尽型 均方根衰减误差 TTL 数控衰减器 赝配高电子迁移率晶体管 
一种正电控制大衰减量的6bit单片数控衰减器被引量：5
《半导体技术》2013年第3期184-188,共5页甄建宇 王清源 赵瑞华 刘金 王凯 
分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC～2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器。并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平,成功实现了正电控制,对单片电路进行了仿真与优化,...
关键词：大衰减量 数控衰减器 正电控制 微波单片集成电路 数模混合 
一款高精度大衰减量单片数控衰减器被引量：9
《半导体技术》2012年第1期59-62,共4页刘志军 高学邦 
介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法。电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现。对开关器件建模流程和数控衰减器电路设计流程分别作了相应的描述。针对不同衰减值的基本衰减...
关键词：大衰减量 高精度 单片式微波集成电路 数控衰减器 砷化镓 
DC～20GHz宽带单片数控衰减器被引量：4
《半导体技术》2009年第3期287-290,共4页刘志军 方园 高学邦 吴洪江 
介绍了五位数控衰减器单片电路的主要技术指标和设计方法。电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAsPHEMT工艺技术实现。利用版图电磁仿真验证技术,实现了全态附加相移小的目标。工作频率为DC～20GHz,全态衰减附加相移小于等于±3°,驻波...
关键词：宽带 衰减附加相移 微波单片集成电路 数控衰减器 电磁仿真 
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