双稳

作品数：1182被引量：1662H指数：15
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扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第1期143-149,共7页姜政 丁桂甫 王艳 张东梅 王志明 冯建智 
教育部科学技术研究资助项目(批准号:0307)~~
在进行理论分析证实可行性和模拟仿真优化参数后,利用非硅表面微加工方法中的牺牲层工艺制备了一种扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构.该双稳态结构尺寸为1.9mm×1.6mm×0.03mm,通过永磁力实现稳态姿态无功耗保持,通过对其单侧...
关键词：永磁 双稳态 MEMS 微继电器 
垂直腔半导体光放大器双稳及逻辑特性的理论研究被引量：11
《Journal of Semiconductors》2005年第2期357-362,共6页潘炜 张晓霞 罗斌 邓果 李孝峰 陈建国 
国家自然科学基金(批准号:10174057;90201011);四川省应用基础研究(批准号:03JY0290481);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20030613007)资助项目~~
基于垂直腔半导体光放大器 (VCSOA)双稳模型 ,从数值上分析了VCSOA的双稳条件、双稳控制以及双稳环简并下的AND逻辑实现 .结果表明 ,在阈值附近 (大于阈值的 93% )和初始相位失谐量为负的情况下 ,输出光功率出现双稳态 .偏置电流为阈值...
关键词：半导体光放大器 VCSOA 双稳态 开关功率 双稳环简并 
单稳双稳态转变逻辑单元等效电路模型被引量：2
《Journal of Semiconductors》1999年第4期349-352,共4页张斌 阮刚 薛乐川 
基于共振隧穿二极管的单片集成的单稳双稳态转变逻辑单元电路是近年出现的一种新型电路逻辑单元．本文介绍一种简单的ＭＯＢＩＬＥ电路结构，给出了适合于ＰＳＰＩＣＥ模拟的模型，并根据模拟结果分析了共振隧穿二极管电容的充放电过程...
关键词：模型 MOBILE电路 PSPICE 单片集成电路 模拟 
InGaAsP／InP　MQW电流控制型双稳／非线性增益开关激光器被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第11期813-816,共4页张权生 石志文 杜云 颜学进 赵军 
863计划;国家自然科学基金
一种电流控制型二端及三端ＭＱＷ（多量子阱）ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔双稳／非线性增益开关激光器业已研制成功，文中报道了部分结果．
关键词：双稳激光器 InGaAs 磷化铟 多量子阱 
InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的H^+轰击掩膜研究
《Journal of Semiconductors》1993年第9期562-567,T001,共7页张权生 吕卉 杜云 马朝华 吴荣汉 高洪海 高文智 芦秀玲 
"863"高技术资助
在InP H^+轰击工艺研究基础上,开发出一种对中等轰击能量(E≤250keV)的H^+具有满意掩蔽能力的掩膜──Au/Zn/Au/AZ 1350J复合膜,并首次解决了条宽窄至5μm的Au/Zn/Au/AZ 135J断条状掩膜的制备技术,在InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器...
关键词：半导体激光器 INGAASP/INP 共腔 
低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器被引量：4
《Journal of Semiconductors》1992年第2期103-108,T001,共7页张权生 吴荣汉 林世鸣 高洪海 高文智 吕卉 韩勤 段海龙 杜云 芦秀玲 
一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵...
关键词：双稳 激光器 INGAASP/INP 
半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe中吸收光学非线性和双稳现象研究
《Journal of Semiconductors》1991年第12期759-762,共4页窦恺 黄世华 秦伟平 靳春明 周方策 虞家琪 张新夷 徐叙瑢 
国家自然科学基金
室温下半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe(x=0.01)具有较宽的带边吸收.采用泵浦-探测系统观测到随激发功率增加吸收边的蓝移.在激发波长(532—560nm)范围内都能得到光学双稳现象.双稳开关时间短到800ps.讨论了双稳性的来源.
关键词：磁性半导体 ZnMnSe 非线性 双稳态 
组合光双稳半导体激光器的光逻辑门
《Journal of Semiconductors》1991年第4期245-247,共3页石家纬 金恩顺 
国家自然科学基金
用半导体激光器和光晶体管组成了组合光双稳激光器,以不同的电路结构实现了与、或、非、与非、或非光逻辑门.特别是利用光可并行输入输出特性实现了光异或门.
关键词：半导体激光器 双稳激光器 
GaAs/GaAlAs多量子阱自电光效应光学双稳态被引量：2
《Journal of Semiconductors》1991年第2期120-124,共5页吴荣汉 段海龙 王启明 曾一平 孔梅影 潘钟 张权生 林世鸣 
采用国产分子束外延系统生长的GaAs/GaAlAs多量子阱材料,成功地制备出室温自电光效应(Self Electrooptic Effect)光学双稳态器件(SEED).报道了这种器件在对称工作(S-SEED)和非对称工作时的光学双稳态特性.
关键词：半导体材料 量子阱 光电效应 
InGaAsP/InP CCTS双稳态激光器的纵模及偏振特性
《Journal of Semiconductors》1990年第10期790-794,共5页李建蒙 王启明 
本文给出了InGaAsP/InP CCTS双稳态激光器的模式特性。通过实验得到对双稳态激光器来说其吸收区的存在,使其对偏振及纵模的选择有一定的作用,使得TM模的输出强度在总输出中占的比例更小,及在双稳区内给出单纵模输出。
关键词：半导体激光器 双稳态 纵模 偏振 
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