姜政

作品数：10被引量：36H指数：4
导出分析报告
供职机构：上海交通大学更多>>
发文主题：MEMS双稳态光刻胶微机电系统微加工更多>>
发文领域：电子电信电气工程化学工程理学更多>>
发文期刊：《微细加工技术》《压电与声光》《传感技术学报》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部科学技术研究重大项目上海市科委纳米专项基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
微加工电化学沉积锌牺牲层工艺被引量：2
《压电与声光》2006年第6期701-703,共3页姜政 丁桂甫 吴惠菁 张冬梅 
教育部科学技术研究重大基金资助项目(0307);上海市纳米专项基金资助项目(0352nm017)
在微加工中通过电化学沉积Zn制备牺牲层从而制备悬空结构。电化学沉积Zn牺牲层工艺具有易获取牺牲层,去除快速,腐蚀选择性好,耐高温等优点。在电化学沉积Zn牺牲层工艺中易遇到与基底结合力不够、使用高温工艺时易产生气泡、打磨后残留...
关键词：锌 牺牲 电化学 微加工 
用于MEMS的叠层光刻胶牺牲层技术(英文)被引量：6
《传感技术学报》2006年第05A期1422-1425,共4页张永华 丁桂甫 姜政 蔡炳初 赖宗声 
国家高技术研究发展计划资助(2003AA404140);国家信息工业部科学基金资助(41308050116);国家自然科学基金资助(10377009)
研究了用于制备悬空结构的叠层光刻胶牺牲层工艺.讨论了工艺中常遇到的烘胶汽泡、龟裂、起皱、刻蚀电镀种子层时产生的絮状物和悬空结构释放时的粘附等问题,并提出了相应的解决办法.借助于分层刻蚀法和逐步替换法,用叠层光刻胶作牺牲层...
关键词：MEMS 微结构 光刻胶 牺牲层 
基于Sn/Bi合金的低温气密性封装工艺研究被引量：12
《功能材料与器件学报》2006年第3期211-214,共4页张东梅 丁桂甫 汪红 姜政 姚锦元 
国家自然科学基金项目(No.10377009);电科院预研课题(No.41308050116)
研究了采用Sn/B i合金作为中间层的键合封装技术。通过电镀的方法在基片上形成Cr/N i/Cu/Sn、芯片上形成Cr/N i/Cu/B i多金属层,在513K、150Pa的真空环境中进行共晶键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。实验表明:...
关键词：微机电系统 气密性封装 低温键合 
MEMS器件气密性封装的低温共晶键合工艺研究被引量：8
《传感器与微系统》2006年第1期82-84,共3页张东梅 丁桂甫 汪红 姜政 姚锦元 
国家自然科学基金资助项目(10377009)
介绍了一种采用Pb-Sn共晶合金作为中间层的键合封装技术,通过电镀的方法在芯片与基片上形成Cr/N i/Cu/Pb-Sn多金属层,在温度为190℃、压强为150 Pa的真空中进行键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。试验表明:这种...
关键词：微机电系统 气密性封装 共晶键合 低温封装 
扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第1期143-149,共7页姜政 丁桂甫 王艳 张东梅 王志明 冯建智 
教育部科学技术研究资助项目(批准号:0307)~~
在进行理论分析证实可行性和模拟仿真优化参数后,利用非硅表面微加工方法中的牺牲层工艺制备了一种扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构.该双稳态结构尺寸为1.9mm×1.6mm×0.03mm,通过永磁力实现稳态姿态无功耗保持,通过对其单侧...
关键词：永磁 双稳态 MEMS 微继电器 
一种快速响应双稳态热执行器的结构设计
《微纳电子技术》2005年第10期469-472,共4页姜政 丁桂甫 张东梅 
国家高技术研究发展计划(863)项目(2003AA404140);国家自然科学基金资助项目(10377009)
利用ANSYS有限元分析软件并结合工艺条件,就其中的热执行按照快速响应的特点,对各结构参数与热执行器部件的驱动力、驱动位移、电阻、响应时间等驱动性能的影响进行了分析与仿真,从而得到了优化结构设计。此设计所要达到的目标是,热执...
关键词：热执行器 响应 微机电系统 结构设计 
纵向驱动MEMS永磁双稳态机构
《纳米科技》2005年第4期25-30,共6页姜政 丁桂甫 王艳 顾东华 王志明 冯建智 
教育部科学技术研究重大项目资助（0307）;电科院预研（41308050116）
在MEMS继电器中引入双稳态机构可以有效地减少功耗。在进行理论分析证实可行性和模拟仿真优化参数后，利用非硅表面微加工方法中的牺牲层工艺制备了一种扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构。该双稳态结构尺寸为1．9mm×1．6mm×0...
关键词：永磁 双稳态 MEMS 微继电器 
叠层光刻胶牺牲层工艺研究被引量：6
《微细加工技术》2005年第3期62-66,共5页姜政 丁桂甫 张永华 倪志萍 毛海平 王志明 
国家高技术研究发展计划(863)项目资助(2004AA404260);国家自然科学基金资助项目(10377009)
通过溅射电镀种子层前预烘胶与严格控制烘胶温度变化速率、用KOH稀溶液去胶、再用稀腐蚀体系加以轻度超声干涉去除电镀种子层和使用丙酮与F117进行应力释放等方法改进工艺后,解决了在叠层光刻胶牺牲层工艺中极易出现的烘胶龟裂、光刻胶...
关键词：光刻胶 牺牲 微加工 
微型机电继电器研究进展
《电子产品世界》2005年第03A期112-114,122,共4页张东梅 丁桂甫 姜政 
国家高技术研究发展计划(863)项目(2003AA404140);信息产业部电子科学研究院基金资助项目(0241308050116)
微型化是机电继电器最重要的发展方向之一,MEMS设计和制造技术的进展开辟了机电继电器微型化的崭新途径。本文系统介绍了典型MEMS继电器的研究进展,简要地比较、评述了它们的优势和缺点。
关键词：机电继电器 微型机 MEMS 微型化 系统 设计 新途径 制造技术 
微加工厚光刻胶掩膜电镀工艺研究被引量：3
《电镀与涂饰》2005年第7期16-17,41,共3页姜政 丁桂甫 汪红 黎莉 
国家高技术研究发展计划(863)项目(2004AA404260);国家自然科学基金资助项目(10377009)
介绍了溢出电镀二次涂覆薄层光刻胶再光刻的工艺流程:磁控溅射法电镀种子层-涂覆光刻胶-溢出电镀-光刻胶二次涂覆-再光刻-电镀。电镜照片表明,通过此方法可以消除微加工过程中在光刻胶掩膜与电镀结构间产生的深沟壑,从而获得了平整性和...
关键词：微加工 光刻胶 掩膜 溢出电镀 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部