硼掺杂

作品数：277被引量：541H指数：9
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HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜
《人工晶体学报》2016年第8期2003-2010,共8页郭宇坤 周玉荣 陈瑱怡 马宁 刘丰珍 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CBA00705);青年教师科研启动基金(201524)
采用热丝化学气相沉积（HWCVD）技术在低温条件下（100℃）制备超薄（-30 nm）的硼掺杂硅薄膜。系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响。当RH由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;...
关键词：热丝化学气相沉积 硅薄膜 硼掺杂 电学性能 
钴纳米粒子催化水相费托合成被引量：2
《催化学报》2013年第10期1914-1925,共12页王航 寇元 
国家重点基础研究发展计划(973计划;2013CB933100;2013CB834603)~~
水相费托合成可以在远低于传统温度下实现,其低温高效的特点使其具有重要的应用潜力.本文制备了水相稳定且可循环利用的Co纳米粒子并应用于水相费托反应,150oC下活性为7.4×10 7molCO gCo1s 1,C5+选择性接近40%,是目前纯钴水相费托合成...
关键词：水相费托合成 钴纳米粒子 硼掺杂 原位红外光谱 
掺硼纳米非晶硅的太阳能电池窗口层应用研究被引量：2
《真空科学与技术学报》2009年第2期119-124,共6页李喆 张溪文 韩高荣 
国家重点基础研究发展计划(No.2007CB613403)(973计划);浙江省科技计划项目纳米技术攻关及示范应用专项(No.2006C11118);高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目(No.705026)
本文通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积p型纳米非晶硅薄膜(na-Si∶H),系统地研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、沉积温度、射频电源功率对薄膜结构、光学、电学性能的影响。研究表明,轻掺硼有利于非晶硅薄膜晶化,但随着掺硼量的增...
关键词：等离子体增强化学气相沉积 纳米非晶硅 硼掺杂 掺杂比 光学带隙 
衬底温度和硼掺杂对p型氢化微晶硅薄膜结构和电学特性的影响被引量：4
《物理学报》2008年第8期5176-5181,共6页杨仕娥 文黎巍 陈永生 汪昌州 谷锦华 郜小勇 卢景霄 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB202601);河南省自然科学基金(批准号:072300410080)资助的课题~~
以B2H6为掺杂剂,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备p型氢化微晶硅薄膜.研究了衬底温度和硼烷掺杂比对薄膜的微结构和暗电导率的影响.结果表明:在较高的衬底温度下很低的硼烷掺杂比即可导致薄膜非晶化;在实验范围内...
关键词：p型氢化微晶硅薄膜 衬底温度 晶化率 电导率 
弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响被引量：5
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1164-1168,共5页黄君凯 杨恢东 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G200002822;G200002823)~~
研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜(μc-Si∶H)及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si∶H薄膜的沉积速率先减小后增加,变化范围约为0.7～0.8nm/s.相比较而言,材料的结晶度...
关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积 氢化微晶硅薄膜 弱硼掺杂补偿 
硼掺杂对a-Si薄膜电导率及太阳电池效率的影响被引量：2
《光电子．激光》2003年第11期1146-1148,共3页林列 蔡宏琨 张德贤 孙云 郝延明 
国家"863"计划资助项目(2002AA715081);国家"973"计划资助项目(ZM200202A01)
对等离子增强化学气相沉积技术(PECVD)低温制备的非晶硅(a Si)薄膜的电导率随B掺杂浓度的变化规律进行了研究。结果表明:当B2H6/SiH4由0.6%增加到0.8%时,a Si薄膜的暗电导率由10-5(Ω·cm)-1急剧增加到10-1(Ω·cm)-1;进一步增加B2H6/S...
关键词：硼掺杂 非晶硅薄膜 电导率 太阳电池 光电转换效率 
微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化被引量：6
《物理学报》2002年第1期111-114,共4页张世斌 孔光临 徐艳月 王永谦 刁宏伟 廖显伯 
国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)资助的课题~~
利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢稀释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量 ,并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响 .发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合 ,说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作用 ,...
关键词：非晶硅薄膜 光致变化 硼掺杂 光电导衰退 瞬态响应 
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