缺陷密度

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氧化镓MOSFET
《半导体信息》2019年第5期16-17,共2页
位于柏林的费迪南德·布劳恩研究所(Ferdinand-Braun-Institut)开发了具有创纪录价值的氧化镓功率晶体管。仍在研发中的β氧化镓正在引起人们的轰动,用于功率半导体应用。它是一种宽带隙技术,这意味着它比传统的基于硅的设备更快,并且...
关键词：功率半导体 功率晶体管 氧化镓 击穿电压 缺陷密度 外延层 MOSFET 击穿场强 
晶片键合技术实现器件新发展
《半导体信息》2015年第3期35-35,共1页科发 
硅基上生长III-V族材料是一种常见的材料集成方式。该领域已经实现了一些突破,但该项技术仍存在一些缺陷,如:生长界面缺陷密度过高;化合物半导体沉积速率不够快;外延设备购置成本过高等。基于不同材料可在等离子体激活条件下直接键合这...
关键词：化合物半导体 外延生长 键合技术 生长界面 直接键合 缺陷密度 集成方式 购置成本 沉积速率 
TEL集团向英飞凌提供SiC外延设备
《半导体信息》2013年第1期22-22,共1页吴琪乐 
TOKYOELECTRON LIMITED（简称"TEL集团"）向英飞凌公司提供SiC外延设备Probus-SiCTM,用于最先端SiC功率器件的量产。Probus-SiC可以进行6英寸及以下成膜处理,具有自动搬运功能和多反应腔体功能,可达到最优装置性能和生产能力。
关键词：SIC TEL 英飞凌 应腔 装置性能 石川 缺陷密度 表面粗糙度 均一性 
降低蓝宝石上外延GaN的缺陷密度
《半导体信息》2013年第1期25-26,共2页吴琪乐 
最近开展的一项国际合作项目研究小组在蓝宝石衬底上制作了一种难以置信的超高质量GaN外延层。这项制备工艺仅需要单步外延生长就可以实现。来自加州大学洛杉矶分校的谢tahong说:"我们希望这项关键技术可以运用到那些需要高性能材料的...
关键词：缺陷密度 外延层 GAN 器件结构 蓝宝石衬底 高性能材料 掩膜 电致发光 光电探测器 国际合作项目 
超过20kV:半导体元件的世界最高耐压
《半导体信息》2012年第3期18-19,共2页江兴 
日本京都大学工学研究系电子工学专业教授木本恒畅等人的研究小组,试制出了耐压高达21.7 kV的SiC制PiN二极管。此前虽有耐压为十数kV的半导体功率元件,但超过20 kV的尚为首次,"是半导体元件中的世界最高值"。该二极管的设想用途为置换...
关键词：半导体元件 kV 日本京都大学 功率元件 专业教授 工学 导通电阻 功率半导体 缺陷密度 空间调制 
台积电谈有关28nm工艺良率问题
《半导体信息》2012年第1期27-27,共1页吴琪乐 
台积电(TSMC)日前回应了稍早前分析师指称该公司28nm CMOS工艺存在着良率问题的说法。台积电欧洲公司总裁Maria Marced重申她与其他台积电高层之前所强调的:减少28nm节点的缺陷密度一直在掌握中,以量产进度来看甚至快于40/45nm工艺技术。
关键词：欧洲公司 缺陷密度 NM 晶圆生产 Maria 发展趋势 
新日铁成功研制低缺陷的100mm SiC晶圆
《半导体信息》2008年第2期6-6,共1页孙再吉 
据《Semiconductor FPD World》2007年第10期报道,日本新日铁公司在计算机模拟技术的基础上,开发了坩锅晶体生产时可控温度分布和升华蒸气物质转移的工艺,使100 mm的SiC晶圆大幅度降低微管缺陷密度。
关键词：新日铁 m SIC 缺陷密度 温度分布 时可 计算机模拟技术 分布密度 
日立公司成功开发3英寸GaN衬底
《半导体信息》2007年第4期20-21,共2页孙再吉 
关键词：GaN 日立公司 缺陷密度 晶体质量 机械应力 金属层 晶格常数 钛金属 剥离法 技术创新 
全新的ESANTI单晶圆湿式平台
《半导体信息》2007年第3期29-29,共1页江兴 
关键词：ESANTI 工艺过程 芯片制造 干化 产品周期 处理器技术 缺陷密度 技术单 绝对主导地位 专利产品 
采用SiN薄层的非极性GaN基器件
《半导体信息》2007年第1期25-26,共2页陈裕权 
关键词：GaN SIN 缺陷密度 外延层 MOCVD 光致发光 淀积 发光强度 加里福尼亚 位错密度 
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