缺陷密度

作品数：125被引量：120H指数：5
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生长气压对分子束外延β-Ga_(2)O_(3)薄膜特性的影响被引量：1
《人工晶体学报》2022年第7期1152-1157,共6页蔡文为 刘祥炜 王浩 汪建元 郑力诚 王永嘉 周颖慧 杨旭 李金钗 黄凯 康俊勇 
国家重点研发计划(2021YFB3600101);国家自然科学基金(61874090,62174141);福建省自然科学基金(2021J01008);厦门市重大科技项目(3502Z20191016)。
本文采用分子束外延技术在具有6°斜切角的c面蓝宝石衬底上外延β-Ga_(2)O_(3)薄膜,系统研究了生长气压对薄膜特性的影响。X射线衍射谱和表面形貌分析表明,不同生长气压下所外延的薄膜表面平整,均具有(201)择优取向。并且,其结晶质量和...
关键词：β-Ga_(2)O_(3)薄膜 分子束外延 生长气压 缺陷密度 晶体质量 光学特性 
图形化衬底上GaN基高温缓冲层的研究
《科学技术创新》2020年第32期36-37,共2页吴洪浩 周瑜 霍丽艳 
针对图形化衬底上GaN基高温缓冲层的生长条件的研究,用以改善因蓝宝石衬底与GaN材料之间存在大的晶格失配和热膨胀系数失配而产生的大量的位错密度,抑制缺陷向外延表面的延伸,提高了GaN材料的晶体质量和器件的内量子效率。
关键词：GaN LED 低缺陷密度 晶体质量 
MOF晶体薄膜材料的发展综述
《金属世界》2019年第3期20-20,共1页王丹 
自然科学基金资助项目(51371112);国家重点基础研究发展计划资助项目(2014CB643403)
相较于传统的聚合物膜与分子筛膜,金属-有机框架(MOFs)薄膜材料具有结构多样化、孔隙率极高、取向性高、缺陷密度低等诸多优势,其设计、制备及应用的研究已吸引了越来越多研究者的关注。多种合成方法的提出,为大量合成膜厚度、均匀性、...
关键词：薄膜材料 MOF 综述 晶体 分子筛膜 聚合物膜 缺陷密度 多样化 
SiC籽晶表面状态对晶体质量的影响被引量：3
《人工晶体学报》2012年第2期294-297,共4页杨莺 刘素娟 陈治明 林生晃 李科 杨明超 
为了研究表面状态对晶体质量的影响,本文分别采用腐蚀后抛光与未抛光的晶片作为籽晶,利用金相显微镜对所得晶体进行了显微观察,结果表明:经过腐蚀后抛光的籽晶生长出的晶体质量高于未抛光籽晶所得晶体;生长前端的位错尺寸以及数量小于...
关键词：SiC籽晶 表面状态 腐蚀 抛光 缺陷密度 
ZnGeP_2晶体近红外吸收特性的研究被引量：3
《无机材料学报》2010年第10期1029-1033,共5页夏士兴 杨春晖 朱崇强 马天慧 王猛 雷作涛 徐斌 
国家自然科学基金(E50872023);黑龙江省科技攻关项目(GC05A205)~~
采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体,晶体毛坯尺寸达φ20mm×90mm,选取晶体尾部、晶体中部、籽晶端三个部位厚度为4.0mm的抛光晶片作为测试样品.从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性.实验结果显示:晶体透过率由尾部至近籽晶...
关键词：磷化锗锌 近红外吸收 缺陷密度 施主缺陷 受主缺陷 
半导体材料晶片加工应力控制研究
《天津科技》2009年第1期76-78,共3页秦学敏 吕菲 马玉通 靳彩明 
晶片在加工过程中要经过滚磨、切割、倒角等工序才能实现由单晶锭到单晶片的过程,并保持一定的直径和获得参考面。这一系列的机械加工过程中会对单晶造成不同程度的损伤,改变单晶内部应力。通过对单晶滚磨、切割、倒角等加工过程的研究...
关键词：半导体材料 晶体 缺陷密度 应力 
日立公司成功开发3英寸GaN衬底
《半导体信息》2007年第4期20-21,共2页孙再吉 
关键词：GaN 日立公司 缺陷密度 晶体质量 机械应力 金属层 晶格常数 钛金属 剥离法 技术创新 
Φ6″CZSi热系统的改造对原生缺陷密度的影响
《中国科学（A辑）》2001年第7期639-643,共5页任丙彦 张志成 刘彩池 郝秋艳 王猛 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9876 0 0 6 );河北省重大攻关项目 (批准号 :0 0 2 135 0 2D)
在大直径CZSi单晶生长时 ,热场与氩气流场通过影响晶体与熔体的温度分布来影响硅单晶中缺陷的形成 .通过变单晶炉的普通热系统为以矮加热器为主的复合式热系统 ,改普通氩气流场为可控氩气流场 ,得到了原生缺陷密度不同的硅单晶 ,并通过...
关键词：原生缺陷 热场 氩气流场 数值模拟 硅单晶 CZSi热系统 集成电路 晶体生长 
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