热载流子

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薄硅膜SOI LDMOS器件的HCI劣变机理研究
《微电子学与计算机》2024年第12期132-138,共7页顾祥 张庆东 纪旭明 李金航 赵杨婧 
由于薄硅膜——绝缘体上硅型横向扩散金属氧化物半导体(Silicon On Insulator Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,SOI LDMOS)制作在厚度仅有几十到几百纳米的硅膜上,器件在高电压、大电流的作用下,热载流子注入(Hot Carrier...
关键词：绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 热载流子注入 电荷泵 缺陷 
科创中国·成果
《科技创新与品牌》2024年第9期10-11,共2页
“热发射极”晶体管新突破集成电路是现代信息技术的基石,而晶体管则是集成电路的基本单元。探索具有新工作原理的晶体管,已成为提升集成电路性能的关键。过去的热载流子晶体管主要依靠隧穿注入和电场加速来生成热载流子,由于界面势垒...
关键词：热载流子 集成电路 器件性能 界面势垒 晶体管 现代信息技术 隧穿注入 基本单元 
一种40 V NLDMOS器件热载流子寿命研究
《微电子学与计算机》2024年第9期126-134,共9页鹿祥宾 单书珊 余山 刘芳 钟明琛 邵亚利 
国家电网有限公司科技项目(5500-202156469A-0-5-ZN)。
为了更精确预测基于0.18μm工艺的40 V NLDMOS器件实际应用条件下的热载流子寿命,介绍了一种通过可靠性测试和计算机辅助数学解析相结合的热载流子可靠性寿命预计方法。该方法基于实际直流状态下的热载流注入测试数据,结合TCAD仿真,对...
关键词：40 V NLDMOS 热载流子注入 可靠性 交直流转换因子 寿命预计 Kirk效应 
我科学家发明新型“热发射极”晶体管
《电子质量》2024年第8期121-121,共1页
据报道,中国科学院金属研究所研究员刘驰、孙东明和中国科学院院士成会明主导的研究团队合作,发明出一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的“热发射极”晶体管,并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。相关研究成果已于2024年...
关键词：热载流子 中国科学院院士 集成电路 受激发射 晶体管 学术期刊 团队合作 发射极 
LDD MOSFET热载流子退化分析及其寿命预测
《固体电子学研究与进展》2024年第4期351-356,共6页陈光前 刘伟景 刘先婷 李清华 
国家自然科学基金资助项目(52177185,62174055)。
集成电路器件密集化导致电场梯度增大和电流密度集中,加剧了热载流子效应,电热性能退化。本文聚焦热载流子注入(Hot carrier injection, HCI)效应对器件可靠性的影响问题,通过研究N型轻掺杂漏极金属氧化物半导体场效应晶体管(N-type lig...
关键词：可靠性 热载流子注入(HCI) 轻掺杂漏极(LDD) 器件退化 寿命预测 
MXenes等离激元诱导热载流子产生与输运温度依变性
《物理学报》2024年第11期313-324,共12页见超超 马向超 赵子涵 张建奇 
国家自然科学基金青年科学基金(批准号:12304047);中国博士后科学基金(批准号:2023M742752);中央高校基本科研业务费(批准号:XJSJ23176)资助的课题。
MXenes可以实现大规模合成且具有诸多优异光电特性,被用于构建各种结构和功能独特的热载流子光电探测器件.然而,变温环境条件下MXenes并不稳定,一方面环境温度升高会加速材料氧化降解,另一方面温度变化可能影响光电器件的寿命和性能稳定...
关键词：MXenes 热载流子 温度特性 介电函数 
不同宽长比的柔性LTPS TFT的电应力可靠性
《半导体技术》2024年第6期589-595,共7页张之壤 朱慧 刘行 张轶群 徐朝 郑文轩 
国家自然科学基金(62374012)。
为了研究不同宽长比的柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的电应力可靠性,测试了器件的I-V特性,以表征器件在强电场直流应力下由于自热效应和热载流子效应带来的电学性能退化。通过瞬态电流法表征了器件在强电场直流应力下的时间常数谱...
关键词：柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT) 自热效应 热载流子效应 瞬态电流 强电场直流应力 
基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究
《电子学报》2024年第5期1582-1590,共9页邵红 李永顺 宋亮 金华俊 张森 
为满足中低压消费电子的市场需求,小尺寸高密度Bipolar-CMOS-DMOS技术得到了蓬勃发展,低损耗和高可靠成为Bipolar-CMOS-DMOS技术中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor field effect...
关键词：横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 热载流子注入 高温氧化层 低损耗 高可靠性 
纳米CMOS器件中热载流子产生缺陷局域分布的表征
《物理学进展》2024年第2期96-101,共6页马丽娟 陶永春 
国家自然科学基金项目(12274232,12104232)的资助
本文针对纳米小尺寸CMOS器件,提出了一种根据表面势模型表征热载流子产生电荷陷阱和界面态局域分布的方法。热载流子注入(Hot Carrier Injectione,HCI)应力会在栅氧化层和Si/SiO_(2)界面中产生电荷陷阱和界面态,随着应力时间递增,这些...
关键词：CMOS器件 热载流子注入 界面态 电荷陷阱 
CMOS器件热载流子注入老化的SPICE建模与仿真
《半导体技术》2023年第10期902-910,共9页王正楠 张昊 李平梁 
为了准确预测芯片电路寿命,建立了一种能成功双向预测CMOS器件寿命和器件老化程度的可靠性模型。结合改进的衬底电流方程、漏源电流和时间变量t,组建了Age(t)模型。通过挑选合适的BSIM4模型参数,联合Age(t)方程构建指数函数关系式,建立...
关键词：热载流子注入(HCI) 可靠性仿真 老化模型 模型参数提取 SPICE模型 
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