热载流子损伤

作品数：6被引量：9H指数：2
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相关机构：中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院上海交通大学中国科学院研究生院更多>>
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沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响被引量：5
《物理学报》2012年第2期347-353,共7页崔江维 余学峰 任迪远 卢健 
本文对不同沟道宽长比的NMOSFET进行了辐射与热载流子应力的试验研究,电参数测量数据表明:虽然两种损伤的原理具有相似之处,但总剂量辐射与热载流子的损伤表现形式及对沟道宽长比的依赖关系均不同.辐射损伤的最大特点是关态泄漏电流增加...
关键词：深亚微米 总剂量辐射 热载流子效应 
基于DCIV法对pMOSFET热载流子损伤的研究被引量：1
《半导体技术》2009年第3期240-243,共4页冯志刚 何波涌 
国家自然科学基金资助项目(NSFC60606015);上海交通大学微电子学院科研基金资助项目(C071026)
利用新型的直流电流电压(DCIV)法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为,并对热载流子应力下pMOSFET的阈值电压和线性区漏端电流的退化机制做出了物理解释。实验发现在栅极电压较高的热载流子应力条件下...
关键词：PMOSFET 热载流子退化 表面态 氧化层电荷 
MOSFET的热载流子损伤及其退火被引量：1
《固体电子学研究与进展》2006年第4期560-563,共4页余学峰 艾尔肯 任迪远 张国强 陆妩 郭旗 
对国内常规54HC工艺制作的PMOSFET进行了F-N热载流子注入损伤实验,研究了MOSFET跨导、阈电压等参数随热载流子注入的退化规律,特别是从微观氧化物电荷和界面态变化对阈电压影响角度,对国内外较少见报道的MOSFET热载流子损伤在室温和高温...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 热载流子 损伤 退火 
深亚微米PD和FD SOIMOS器件热载流子损伤的研究
《微电子学》2003年第5期377-379,共3页颜志英 
浙江省教育厅科研计划项目
　研究了深亚微米PD和FDSOIMOS器件遭受热载流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和阈值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分...
关键词：深亚微米器件 SOI MOSFET 热截流予效应 器件退化 热截流子效应 
通过直接栅电流测量研究PMOSFET's热载流子损伤
《Journal of Semiconductors》2002年第1期61-64,共4页张进城 郝跃 刘海波 
国防预先研究基金资助项目 (项目编号 :8.5 .3 .4)~~
通过直接栅电流测量方法研究了热载流子退化和高栅压退火过程中 PMOSFET's热载流子损伤的生长规律 .由此 ,给出了热载流子引起 PMOSFET's器件参数退化的准确物理解释 .
关键词：直接栅电流测量 热载流子损伤 PMOSFET 场效应管 
MOS电容的热载流子损伤及其与电离辐射损伤的关系被引量：2
《固体电子学研究与进展》2001年第1期103-108,共6页任迪远 余学峰 艾尔肯 张国强 陆妩 郭旗 范隆 严荣良 
国防科技预研基金
通过对国产加固 N型 MOS电容进行衬底热电子高场注入 ( SHE)及 γ总剂量辐照实验 ,特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加实验 ,从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究比较了 MOS结构热载流子...
关键词：金属-氧化物-半导体结构 热载流子损伤 电离辐射损伤 
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