云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 电阻率变化

电阻率变化: 作品数：89被引量：310H指数：11; 导出分析报告; 相关领域：天文地球建筑科学更多>>; 相关作者：王昂路素青陈峰安金珍李荫更多>>; 相关机构：黄河科技学院中国石油天然气集团公司北京大学中国矿业大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金地震科学联合基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>

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硅单晶测试参数的差异分析: 《电子工业专用设备》2022年第5期29-31,共3页田原; 为实现对单晶参数的综合分析,指导单晶制备,迫切需要分析各单晶参数之间的关联性。采用统计分析方法,针对N<111>轻掺P单晶进行了差异分析,发现寿命与电阻率呈显著负相关,旋涡情况与寿命、电阻率不均性相关性不显著。对N<111>重掺As单晶...; 关键词：硅单晶假设检验少子寿命径向电阻率变化氧含量

不同选点方案下硅单晶薄层径向电阻率变化: 《电子工业专用设备》2017年第6期24-27,69,共5页李万策; 影响半导器件生产的的因素有很多,而硅单晶电阻率不均匀性就是众多衡量硅材料质量参数中的一个。电阻率对后道加工器件的稳定和重复性,甚至器件的质量参数指标都有很大的关联。硅单晶电阻率均匀性的指标要求也随着半导体器件的加工日益...; 关键词：硅单晶径向电阻率四探针不均匀性

PVT法掺钒SiC单晶生长电阻率变化规律研究: 《电子工业专用设备》2012年第6期31-34,共4页洪颖冯玢王磊吴华郭俊敏杜萍; 在采用COREMA方法测试SiC晶片电阻率时发现同一晶片电阻率相差较大,主要体现在高阻(>105Ω.cm量级)和低阻(<105量级)并存,有的甚至超高阻(>1012量级)和低阻并存,针对这一测试结果,开展了相关的实验研究,SiC单晶半绝缘性能的实现是通过...; 关键词：SIC 电阻率均匀性 COREMA SIMS

生长系统对高阻区熔硅单晶径向电阻率变化的影响被引量：2: 《电子工业专用设备》2011年第9期11-13,38,共4页闫萍索开南庞炳远; 分别采用L4375-ZE区熔炉和CFG/1400P区熔炉,生长了N型、(1.5～4.5)×103Ω.cm和P型、(1.0～5.0)×104Ω.cm两种规格的高阻区熔硅单晶,单晶的直径为52～54 mm,晶向为<111>。经对单晶的电阻率及其径向分布进行检测对比后发现,在加热线圈...; 关键词：区熔炉高阻硅单晶电阻率径向分布

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