碲镉汞薄膜

作品数：42被引量：75H指数：5
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相关作者：孔金丞姬荣斌赵俊何力李雄军更多>>
相关机构：昆明物理研究所中国科学院中国电子科技集团第十一研究所华北光电技术研究所更多>>
相关期刊：《红外技术》《光电子．激光》《半导体光电》《红外》更多>>
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100 mm×100 mm液相外延碲镉汞薄膜技术进展
《红外技术》2024年第10期1172-1177,共6页邓文斌 宋林伟 孔金丞 姜军 杨晋 起文斌 万志远 刘燕 荣徽宇 许江明 杨翔 朱逊 郑要争 姬荣斌 
昆明物理研究所突破了φ150 mm碲锌镉单晶定向生长技术,实现了100 mm×100 mm碲锌镉衬底的小批量制备,位错腐蚀坑密度(EPD)≤4×10^(4) cm^(-2),沉积相尺寸小于5μm、沉积相密度小于5×10^(3) cm^(-2)。突破了大尺寸碲锌镉衬底表面处理...
关键词：液相外延 100mm×100mm 碲锌镉 碲镉汞 
昆明物理研究所大面积水平推舟液相外延碲镉汞薄膜技术进展被引量：4
《红外技术》2023年第2期111-122,共12页孔金丞 宋林伟 起文斌 姜军 丛树仁 刘燕 荣徽宇 许江明 方东 赵鹏 姬荣斌 
报道了近年来昆明物理研究所在富碲水平推舟液相外延碲镉汞外延薄膜制备技术方面的进展。2019年以来,突破了Ф120 mm碲锌镉晶体定向生长技术,使碲锌镉衬底沉积相和夹杂相密度≤5×103 cm^(-2),位错腐蚀坑密度(EPD)≤4.0×10^(4)cm^(-2),...
关键词：液相外延 碲锌镉衬底 碲镉汞薄膜 
异质衬底外延碲镉汞薄膜位错抑制技术进展
《红外技术》2022年第8期828-836,共9页杨晋 李艳辉 杨春章 覃钢 李俊斌 雷文 孔金丞 赵俊 姬荣斌 
核高基重大专项项目。
分子束外延碲镉汞技术是制备第三代红外焦平面探测器的重要手段,基于异质衬底的碲镉汞材料具有尺寸大、成本低、与常规半导体设备兼容等优点,是目前低成本高性能红外探测器发展中的研究重点。对异质衬底上碲镉汞薄膜位错密度随厚度的变...
关键词：碲镉汞 异质衬底 位错抑制 循环退火 位错阻挡 台面位错吸除 
非晶态碲镉汞薄膜晶化过程的椭圆偏振光谱研究(英文)被引量：1
《红外技术》2012年第4期187-190,共4页孔金丞 王光华 杨佩原 杨丽丽 李雄军 赵俊 张鹏举 孔令德 姬荣斌 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60576069)
采用椭圆偏振光谱技术研究了非晶态碲镉汞薄膜在不同退火条件下的结构性能。结果表明非晶态碲镉汞薄膜在退火过程中的成核晶化是在薄膜内部均匀发生的,对于不同晶化程度的薄膜,其光学常数谱具有明显的特征,通过对光学常数谱的分析研究...
关键词：椭圆偏振光谱 非晶态碲镉汞 晶化 
非晶态碲镉汞薄膜的射频磁控溅射生长及其晶化过程研究被引量：9
《红外技术》2007年第10期559-562,共4页孔金丞 孔令德 赵俊 张鹏举 李志 李雄军 王善力 姬荣斌 
国家自然科学基金项目(项目编号:60576069)
在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe或a-MCT)薄膜的低温生长,获得了射频磁控溅射生长a-HgCdTe薄膜的"生长窗口"。利用X射线衍射(XRD)技术对所生长的薄膜进行分析研究,a-HgCdTe薄膜的XRD衍射为典型的非晶衍射波...
关键词：非晶态碲镉汞 射频磁控溅射 晶化 
碲镉汞薄膜的MOVPE生长和特性
《红外技术》2000年第5期2-4,9,共4页王静宇 刘朝旺 杨玉林 宋炳文 
报道了在水平、常压MOVPE实验型生产装置中 ,采用互扩散多层工艺 (IMP) ,用金属有机化合物DMCd、DiPTe和元素Hg ,在CdTe和GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜 ,其组分和薄膜厚度的均匀性以及p型电学性质 ,初步达到了目前红外焦平面列阵研制的要...
关键词：MOVPE HGCDTE 薄膜生长 
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