离子束增强沉积

作品数：103被引量：247H指数：8
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用离子束增强沉积法制备In-N共掺杂ZnO薄膜
《廊坊师范学院学报（自然科学版）》2010年第4期50-52,共3页金铱 谢建生 李金华 袁宁一 
用In2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶。在Si和Si O2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积膜作Ar+/N+注入,制备In-N共掺杂氧化锌薄膜。在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致密、性能良好的共掺杂ZnO薄...
关键词：氧化锌薄膜 退火 离子束增强沉积 
应用物理学
《中国学术期刊文摘》2008年第21期64-64,共1页
光分插复用及实验系统的研究；单晶铜线材在冷拉拔变形过程中的组织演化；
关键词：应用物理学 离子束增强沉积 光分插复用 单晶铜线材 纳米多层膜 实验系统 组织演化 变形过程 
超高温度系数V_(0.97)W_(0.03)O_2多晶薄膜的制备研究被引量：12
《物理学报》2007年第3期1790-1795,共6页李金华 袁宁一 谢太斌 但迪迪 
国家自然科学基金(批准号:10675055);江苏省自然科学基金(批准号:BK2005023);常州市工业科技攻关基金(批准号:CE2005027)资助的课题.~~
将V2O5粉体与WO3粉体均匀混合并压制成靶,用离子束增强沉积加后退火技术在SiO2衬底上制备掺钨VO2多晶薄膜.X射线衍射表明,薄膜取向单一,为VO2结构的[002]相,晶格参数d比VO2粉晶增大约0.34%;薄膜从半导体相向金属相转变的相变温度约28℃...
关键词：二氧化钒薄膜 薄膜掺杂 离子束增强沉积 温度系数 
离子束增强沉积制备p型氧化锌薄膜及其机理研究被引量：7
《物理学报》2006年第7期3581-3584,共4页袁宁一 李金华 范利宁 王秀琴 谢建生 
采用离子束增强沉积方法在Si和SiO2/Si衬底上制备In-N共掺杂ZnO薄膜(INZO),溅射靶是用ZnO和2atm%In2O3粉体均匀混合并压制而成,在氩离子溅射ZnO靶的同时,氮、氩混合离子束垂直注入沉积的薄膜.实验结果显示INZO薄膜具有(002)的择优取向,...
关键词：氧化锌薄膜 P型掺杂 离子束增强沉积 
离子束增强沉积Al-N共掺杂ZnO薄膜的制备被引量：1
《江苏工业学院学报》2005年第4期6-9,共4页谢建生 李金华 袁宁一 陈汉松 周懿 
用Al2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶。在Si和SiO2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积 膜作Ar+/N+注入,制备Al-N共掺杂氧化锌薄膜(ANZO)。在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致 密、性能良好的共掺杂...
关键词：氧化锌薄膜 退火 离子束增强沉积 
离子束增强沉积VO_2多晶薄膜的相变模拟被引量：4
《功能材料与器件学报》2004年第3期332-336,共5页袁宁一 李金华 李格 
国家自然科学基金资助课题(No.60277019;No.10175027)
用多晶薄膜晶粒-晶界两相结构模型,考虑晶格畸变和载流子对晶界势垒区的隧穿机制,在10～100oC范围内,模拟了离子束增强沉积(IBED)VO2多晶薄膜的相变。模拟结果显示,由于晶粒中间隙位置氩的存在,使VO2晶格畸变,导致了薄膜中部分晶粒的相...
关键词：VO2 多晶薄膜 离子束增强沉积 晶格畸变 晶界隧穿 相变 模拟 
离子束增强沉积VO_2多晶薄膜的温度系数被引量：6
《物理学报》2004年第8期2683-2686,共4页李金华 袁宁一 
国家自然科学基金 (批准号 :10 175 0 2 7;60 2 770 19)资助的课题~~
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2 O5粉末直接制备了VO2 多晶薄膜 .实验测试表明 ,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好 ,薄膜的电阻温度系数 (TCR)最高可达 4 2 3% K .从成膜机理出发 ,...
关键词：红外成像器件 二氧化钒多晶薄膜 离子束增强沉积法 热电阻温度系数 退火处理 
用离子束增强沉积从V_2O_5粉末制备高热电阻温度系数VO_2薄膜被引量：20
《物理学报》2002年第8期1788-1792,共5页李金华 袁宁一 陈王丽华 林成鲁 
国家自然科学基金 (批准号 :10 175 0 2 7)资助的课题~~
采用了一种用离子束增强沉积从V2 O5粉末直接制备VO2 薄膜的新方法 ,将纯度为 99 7%的V2 O5粉末压成溅射靶 ,在用Ar离子束溅射的同时 ,用氩氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入 ,使沉积膜中V2 O5的V—O键断裂 ,进而被注入的氢还原 ,退火...
关键词：V2O5粉末 制备 离子束增强沉积 VO2薄膜 热电阻温度系数 氧化钒薄膜 五氧化二钒粉末 红外探测 红外成像 
离子束增强沉积AlN薄膜的研究被引量：3
《压电与声光》2001年第5期366-369,共4页门传玲 徐政 郑志宏 多新中 张苗 林成鲁 
国家重点基础研究专项基金资助项目( G2 0 0 0 0 36 5 );国家自然科学基金资助项目 ( 6 9976 0 34)
利用离子束增强沉积 (IBED)法成功地在 Si(10 0 )衬底上合成了大面积均匀的非晶 Al N薄膜。 XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质 Al和 N2 存在 ,随着 Al蒸发速率的提高 ,N/Al下降 ,在 0 .0 5 nm /s及0 .10 nm/s的蒸发速率下制得...
关键词：离子束增强沉积 ALN 薄膜 
钛合金表面离子束增强沉积MoS_2基膜层及其性能被引量：16
《中国有色金属学报》2001年第3期454-460,共7页刘道新 唐宾 陈华 何家文 
国家自然科学基金资助项目 ( 5 99710 3 5 );航空科学基金资助项目 ( 98H5 3 0 86);陕西省自然科学研究计划资助项目 ( 2 0 0 0C0 1)
将离子束增强沉积 (IBED)技术与离子束溅射沉积技术相结合 ,在钛合金表面制备了MoS2 ,MoS2 Ti复合膜。研究了膜层的形态、结构、膜基结合强度、硬度、摩擦学性能及抗微动 (fretting)损伤性能。结果表明 :所获膜层较纯溅射膜结合强度高...
关键词：钛合金 离子束增强沉积 MoS2复合膜 磨擦磨损 微动疲劳 喷丸强化 
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